一种具有半封闭原胞的绝缘栅双极型晶体管器件结构，顶部包括有源沟槽和虚拟沟槽两种沟槽；有源沟槽和虚拟沟槽组成半封闭的结构；有源沟槽和虚拟沟槽之间有缝隙；所有沟槽都至少穿透了部分CS层到达N‑漂移层，并在部分N‑漂移层中延伸一段距离；CS层...

本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管，与现有技术相比较，沟槽中填充的多晶硅被介质层分隔成上多晶硅层和下多晶硅层，上多晶硅层和下多晶硅层分别和沟槽上部氧化层和沟槽下部氧化层相互接触，上多晶硅层和栅极电极相连，下多晶硅层和发射极电极相连；沟槽...

本发明公开了一种具有不连续P型基区嵌入原胞结构的半导体器件，包括金属集电极、P型集电极、N型场终止层和N‑漂移区，器件顶部包含有源原胞和嵌入原胞，有源原胞的多晶硅和栅电极相连，嵌入原胞的多晶硅和发射极电极相连，有源原胞和嵌入原胞区域都包...

本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管，包括金属集电极、P型集电极、N型场终止层和N‑漂移区，晶体管顶部包括有源原胞和虚拟原胞，有源原胞和虚拟原胞通过沟槽栅分开，沟槽栅结构由相互接触的多晶硅栅电极和栅氧化层组成，有源原胞包括N+发射区和P+...

本发明公开了一种增大沟槽的底部和顶部曲率半径的工艺，先在半导体基板上形成第一层氧化硅和第一层氮化硅；然后通过光刻把第一层氧化硅和第一层氮化硅打开窗口；以第一层氧化硅和第一层氮化硅为掩膜，通过刻槽工艺，在半导体基板内形成沟槽；然后，在半导...

一种绝缘栅双极型晶体管器件结构，顶部包括有源原胞和虚拟原胞，有源原胞由两个相邻的有源沟槽及其相邻半导体层组成，有源原胞的左右两边都是虚拟原胞，虚拟原胞包含虚拟沟槽，虚拟原胞以虚拟沟槽为边界，所有沟槽都至少穿透部分CS层和部分N-漂移层；...

本发明公开了一种具有优化嵌入原胞结构的CSTBT器件，包括金属集电极、P型集电极、N型场终止层和N-漂移区，器件顶部包括有源原胞和嵌入原胞两种区域。嵌入原胞区域的沟槽结构由多晶硅和栅氧化层组成，多晶硅和金属发射极都和发射极电极相连接，嵌...

本发明公开了一种具有不连续P型基区的沟槽双极型晶体管，包括金属集电极、P型集电极、N型场终止层和N-漂移区，晶体管顶部的沟槽栅结构由相互接触的多晶硅栅电极和栅氧化层组成，沟槽栅结构从沟槽中延伸出来，覆盖住顶部一侧的N-漂移区，在N-漂移...

本发明公开了一种具有不连续P型基区的沟槽双极型晶体管，包括金属集电极、P型集电极、N型场终止层和N-漂移区，晶体管顶部的沟槽栅结构由相互接触的多晶硅栅电极和栅氧化层组成，沟槽栅结构从沟槽中延伸出来，覆盖住顶部一侧的N-漂移区，在N-漂移...