The utility model discloses a surface layer has a lower electrode impedance of piezoelectric film sensor, including the piezoelectric film and a piezoelectric thin film on the surface, at least one of the electrode layers; wherein the electrode layer is a metal mesh layer. The piezoelectric film sensor provided by the utility model has a lower impedance surface of the electrode layer, the electrode layer is made of metal mesh layer thickness under the same conditions, the ITO is basically the same with the original light transmittance, but the impedance decreased greatly, the surface resistance decreased from 15~150 to 0.1~10. And the conductive the rate is greatly improved. The corresponding sensor signal, the overall transfer sensitivity is greatly increased, as the instruction of touch devices faster response speed and higher degree of user control and smooth, can meet the industry for piezoelectric film sensor of low impedance and high transmittance function requirements.
【技术实现步骤摘要】
具有更低阻抗表面电极层的压电薄膜传感器
本技术涉及一种具有更低阻抗表面电极层的压电薄膜传感器。
技术介绍
基于PVDF压电薄膜材料的压电式传感器,由于其对动态应变或压力具有较高的灵敏度和响应时间而被广泛应用在电子、医疗和人体工程等诸多领域。尤其是随着以智能手机为代表的电子触控设备的快速增多,对于压电式传感器的需求也越来越大。已知的压电式传感器的主要构成包括(PVDF)压电薄膜和贴附于压电薄膜上下表面中至少一面的ITO薄膜电极层。ITO薄膜是一种n型半导体材料,具有较好的导电率、可见光透过率、机械硬度和良好的化学稳定性,是液晶显示器(LCD)、等离子显示器(PDP)、电致发光显示器(EL/OLED)、触摸屏(TouchPanel)、太阳能电池以及其他电子仪表的最常用的透明电极材料。众所周知,压电式传感器中电极层的导电率高低直接关系到传感器电信号传递的敏感性,越敏感则表现为所采用的触控设备指令响应速度越快,用户操控顺畅度越高。电极层导电率的高低由其阻抗决定。目前ITO薄膜虽然相比其他压电材料具有较好的光透过率,但其阻抗相对比较高,实际运用时其阻抗区间(面电阻)基本上都在50~150Ω之间,并没有达到理想的低阻抗要求。而已知的针对其阻抗特性方面的改进主要都是增加ITO薄膜的厚度,因为较厚的ITO薄膜能带来较低的阻抗,但缺点是导致光透过率降低,且不利于传感器厚度控制。
技术实现思路
本技术目的是:提供一种具有更低阻抗表面电极层的压电薄膜传感器,同时确保有好的光透过率,能够满足行业内对于压电薄膜传感器低阻抗、高透过率的功能要求。本技术的技术方案是:一种具有更低阻抗表面电 ...
【技术保护点】
一种具有更低阻抗表面电极层的压电薄膜传感器,包括压电薄膜(1)和设于压电薄膜(1)上、下表面中至少一个上的电极层;其特征在于所述电极层为金属网格层(2)。
【技术特征摘要】
1.一种具有更低阻抗表面电极层的压电薄膜传感器,包括压电薄膜(1)和设于压电薄膜(1)上、下表面中至少一个上的电极层;其特征在于所述电极层为金属网格层(2)。2.根据权利要求1所述的具有更低阻抗表面电极层的压电薄膜传感器,其特征在于所述金属网格层(2)为铜、银、钼、铝、铬中任意一种金属制成的单层单金属网格层,或者为上述金属中任意两种以上的合金制成的单层合金网格层;或者所述金属网格层(2)由前述两种以上的单层单金属网格层层叠而成。3.根据权利要求2所述的具有更低阻抗表面电极层的压电薄膜传感器,其特征在于所述铜为纳米铜。4.根据权利要求3所述的具有更低阻抗表面电极层的压电薄膜传感器,其特征在于纳米铜的级数为20~200nm。5.根据权利要求1所述的具有更低阻抗表面电极层的压电薄膜传感器,其特征在于所述金属网格层(2)通过真空溅射形成于...
【专利技术属性】
技术研发人员:吕敬波,王志坚,
申请(专利权)人:江苏日久光电股份有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
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