确定半导体装置的可着色性的方法和实施所述方法的系统制造方法及图纸

本发明专利技术实施例揭示了一种确定半导体装置的可着色性的方法和实施所述方法的系统，所述方法包含迭代地分解冲突图以移除具有少于阈值数目的链路的链路的所有节点。所述方法还包含确定所述已分解的冲突图是否为简化图。所述方法还包含当所述已分解的冲突图并非简化图时使用专用处理装置分割所述已分解的冲突图。所述方法还包含当所述已分解的冲突图是简化图时基于用于图案化所述半导体装置的所述层的掩模的数目来确定所述已分解的冲突图是否可着色。所述方法还包含当所述已分解的冲突图不可着色时标记冲突。

【技术实现步骤摘要】
确定半导体装置的可着色性的方法和实施所述方法的系统
本专利技术实施例涉及一种确定半导体装置的可着色性的方法和实施所述方法的系统。
技术介绍
在半导体工艺中，当半导体装置的单个层中的特征定位成比图案化分辨率允许的程度还要接近时，通常使用多个掩模来图案化特征。将半导体装置的单个层的特征分离到不同掩模中使得每一掩模包含分离等于或大于图案化分辨率参数的距离的特征。在某些实例中，使用两个掩模的工艺称为双重图案化且使用三个掩模的工艺称为三重图案化。在设计半导体装置时，设计者将以布局图案来布局半导体装置的特征。这些布局图案包含存储为单元库中的标准单元的通常使用的结构。单元库是设计者可用来有效地以布局图案插入通常使用的结构并同时避免针对每一不同半导体装置设计每一结构的额外任务的标准单元的数据库。在某些实例中，检查这些标准单元以基于用于形成半导体装置的单个层的掩模的数目确定标准单元是否可着色。如果单元的特征能够分离到多个掩模中，那么所述单元是可着色的，其中每一掩模维持特征的间距大于或等于图案化分辨率参数。例如，可与双重图案化工艺兼容的标准单元称为可2次着色，且可与三重图案化工艺兼容的标准单元称为可3次本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种确定半导体装置的层的可着色性的方法，所述方法包括：迭代地分解冲突图以移除具有少于阈值数目的链路的链路的所有节点；当所述已分解的冲突图并非简化图时使用专用处理装置分割所述已分解的冲突图；当所述已分解的冲突图是简化图时基于用于图案化所述半导体装置的所述层的掩模的数目来确定所述已分解的冲突图是否可着色；及当所述已分解的冲突图不可着色时标记冲突。

【技术特征摘要】
2016.01.07 US 14/990,4461.一种确定半导体装置的层的可着色性的方法，所述方法包括：迭代地分解冲突图以移除具有少于阈值数目的链路的链路的所有节点；当所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑众允，徐金厂，李宪信，李建毅，柯利升，杨稳儒，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71