一种新型转移石墨烯薄膜的方法以及传感器的制备方法技术

一种新型转移石墨烯薄膜的方法以及传感器的制备方法，涉及石墨烯技术领域。新型转移石墨烯薄膜的方法，包括：使熔化的石蜡覆盖在形成于生长衬底表面的石墨烯薄膜表面。待石蜡固化后，去除生长衬底得到石蜡/石墨烯复合薄膜，将石蜡/石墨烯复合薄膜置于目标衬底的表面，对目标衬底加热直至石蜡贴合在目标衬底，使用溶剂去除石蜡。该方法采用石蜡作为新的转移介质，便于操作，且能实现基本无损地转移石墨烯薄膜。传感器的制备方法包括：在上述方法制得的石墨烯薄膜表面制作通道电极，将石墨烯薄膜制成触控传感器的图案，在石墨烯薄膜表面贴合光学胶后进行脱泡处理。利用上述方法得到的石墨烯薄膜完整、基本无损且面积大，可用于传感器的制作。

Novel method for transferring graphene film and method for preparing sensor

The invention relates to a novel method for transferring graphene film and a preparation method of the sensor, and relates to the technical field of graphene. A novel method for transferring graphene films comprises the following steps of covering the surface of the graphene film formed on the surface of the growth substrate by melting the wax. The paraffin after curing, the removal of the growth substrate by paraffin / graphene composite film, the surface of the paraffin / graphene composite thin film on a target substrate, the target substrate heating until the paraffin attached to the target substrate, using paraffin removal solvent. The method uses paraffin as a new transfer medium, which is easy to operate and can realize the basic and non - destructive transfer of graphene thin film. Including the preparation method of sensor in graphene films prepared by the method of making the surface channel electrode, Shi Moxi film made of the touch sensor pattern of defoaming treatment attached the surface of graphene thin film optical adhesive. The graphene film obtained by the method mentioned above is complete, basically nondestructive and large in size, and can be used for sensor fabrication.

【技术实现步骤摘要】
一种新型转移石墨烯薄膜的方法以及传感器的制备方法
本专利技术涉及石墨烯
，且特别涉及一种新型转移石墨烯薄膜的方法以及传感器的制备方法。
技术介绍
石墨烯是碳原子按六角结构紧密堆积成的单原子层二维晶体，石墨烯具有极高的载流子迁移率、高透光性、高强度等优异性质，其在电子器件中有着巨大的应用价值。为了制备石墨烯电子器件，首先得制出大尺寸、具有优良电学性能的石墨烯薄膜，并转移至合适的目标基底上。石墨烯薄膜的转移技术是制约石墨烯薄膜发展的关键因素。目前，转移石墨烯薄膜主要是通过PMMA法、树脂转移法或热释放胶带法，但是均存在一定的操作难度或固有缺陷。PMMA法转移石墨烯时由于PMMA难以溶解，只能降低PMMA厚度，这样在操作中十分容易破坏PMMA薄膜，从而破坏了石墨烯，且PMMA转移石墨烯时，捞起PMMA薄膜的动作十分容易造成PMMA薄膜褶皱，影响石墨烯薄膜的转移效果。树脂转移法固有的缺陷是作为转移材质的树脂层不能去除，对石墨烯的表征和应用都是难以克服的缺点。热释放胶带法转移石墨烯时，基底胶在达到发泡温度时，会有较大的力将石墨烯薄膜从基底表面剥离，这个过程会破坏石墨烯的结构，同时还会有胶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型转移石墨烯薄膜的方法，其特征在于，包括：使熔化的石蜡覆盖在形成于生长衬底表面的石墨烯薄膜的表面；待所述石蜡固化后，去除所述生长衬底并得到石蜡/石墨烯复合薄膜；将所述石蜡/石墨烯复合薄膜置于目标衬底的表面使所述石墨烯薄膜与所述目标衬底接触，对所述目标衬底加热直至所述石蜡贴合在所述目标衬底，使用溶剂去除所述石蜡。

【技术特征摘要】
1.一种新型转移石墨烯薄膜的方法，其特征在于，包括：使熔化的石蜡覆盖在形成于生长衬底表面的石墨烯薄膜的表面；待所述石蜡固化后，去除所述生长衬底并得到石蜡/石墨烯复合薄膜；将所述石蜡/石墨烯复合薄膜置于目标衬底的表面使所述石墨烯薄膜与所述目标衬底接触，对所述目标衬底加热直至所述石蜡贴合在所述目标衬底，使用溶剂去除所述石蜡。2.根据权利要求1所述的新型转移石墨烯薄膜的方法，其特征在于，涂布的所述石蜡厚度为1μm-10mm。3.根据权利要求2所述的新型转移石墨烯薄膜的方法，其特征在于，涂布的所述石蜡厚度为0.5-3mm。4.根据权利要求1所述的新型转移石墨烯薄膜的方法，其特征在于，去除所述生长衬底的方法包括化学腐蚀法、电化学腐蚀法和鼓泡法中的至少一种。5.根据权利要求4所述的新型转移石墨烯薄膜的方法，其特征在于，去除所述生长衬底的方法为化学腐蚀法。...

【专利技术属性】
技术研发人员：周培，邓广才，朱小英，
申请(专利权)人：成都川烯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51