一种复合导电薄膜及其制备方法以及触控传感器及其制备方法技术

一种复合导电薄膜及其制备方法以及触控传感器及其制备方法，涉及传感器技术领域。复合导电薄膜的制备方法包括：将石墨烯薄膜转移到氧化铟锡的表面得到复合层，对复合层进行处理使得氧化铟锡破碎，得到复合导电薄膜。该方法简单易操作，能制备出柔性的导电能力强的石墨烯/氧化铟锡复合导电薄膜。复合导电薄膜不仅导电能力强，且具有较好地柔性。一种触控传感器的制备方法，在上述的复合导电薄膜表面制作通道电极，将复合导电薄膜制成电容式触控传感器的图案，然后贴合光学胶后进行脱泡处理得到触控传感器，该传感器克服了常见触控传感器无法实现柔性的缺点，可以很好的兼容现有触控传感器工业化生产的生产线工艺，可以很快的推广和应用。

【技术实现步骤摘要】
一种复合导电薄膜及其制备方法以及触控传感器及其制备方法
本专利技术涉及传感器
，且特别涉及一种复合导电薄膜及其制备方法以及触控传感器及其制备方法。
技术介绍
现有的透明柔性触控传感器基本上是基于石墨烯薄膜、纳米银线薄膜、金属网格制作的，在设计、加工和使用时，均存在一定的局限性。石墨烯薄膜的方阻偏高，导电能力偏弱，要达到触控传感器透明电极的方阻，就得做多层石墨烯，而多层石墨烯的透光率较低，导致做出来的传感器体验很差。纳米银线薄膜制备触控传感器时，会在使用过程中逐渐发生银迁移，表现出来就是慢慢发黄并失效。金属网格因为良率和加工难度的原因，很难做到小尺寸，使用范围受限。氧化铟锡薄膜因为自身的性质不具有良好的柔性，无法达到可穿戴电子行业所需要的柔性要求。
技术实现思路
本专利技术的第一目的在于提供一种复合导电薄膜的制备方法，该方法简单易操作，能制备出柔性的导电能力强的石墨烯/氧化铟锡复合导电薄膜。本专利技术的第二目的在于提供一种复合导电薄膜，该复合导电薄膜不仅导电能力强，且具有较好地柔性。本专利技术的第三目的在于提供一种触控传感器的制备方法，该方法利用上述的复合导电薄膜制成传感器，该传感器克服了常见触控传感器无法实现柔性的缺点，可以很好的兼容现有触控传感器工业化生产的生产线工艺，可以很快的推广和应用。本专利技术的第四目的在于提供一种触控传感器，其由上述触控传感器的制备方法制得，该传感器具有透明、柔性好的特点。本专利技术解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。本专利技术提出一种复合导电薄膜的制备方法，包括：将石墨烯薄膜转移到在形成于基底表面的氧化铟锡的表面，进而得到复合层，对复合层进行处理使得氧化铟锡破碎。本专利技术还提出一种复合导电薄膜，复合导电薄膜是上述的复合导电薄膜的制备方法制得。本专利技术又提出一种触控传感器的制备方法，在上述的复合导电薄膜表面制作通道电极，将复合导电薄膜制成电容式触控传感器的图案，将图案化后的复合导电薄膜表面贴合光学胶然后进行脱泡处理。本专利技术再提出一种触控传感器，其由上述触控传感器的制备方法制得。本专利技术实施例的有益效果是：一种复合导电薄膜的制备方法将石墨烯薄膜转移到氧化铟锡薄膜的表面得到石墨烯薄膜/氧化铟锡薄膜/柔性基底的复合层，对复合层进行处理使得氧化铟锡薄膜破碎，破碎的氧化铟锡与石墨烯薄膜贴合，破碎的氧化铟锡会提升石墨烯载流子的浓度，从而提升石墨烯薄膜的导电能力，起导电作用的还是石墨烯薄膜，具有较好地柔性。利用上述的复合导电薄膜的制备方法制得的复合导电薄膜中，石墨烯薄膜的方阻合适，且透光性好。该复合导电薄膜不仅导电能力强，且具有较好地柔性、透明性。一种触控传感器的制备方法，该方法利用上述的石墨烯薄膜/氧化铟锡薄膜复合导电薄膜制成传感器，该传感器克服了常见触控传感器无法实现柔性的缺点，可以很好的兼容现有触控传感器工业化生产的生产线工艺，可以很快地推广和应用。一种触控传感器，其由上述的触控传感器的制备方法制得。该触控传感器包含了上述的复合导电薄膜，该复合导电薄膜中石墨烯的方阻合适，且透光性好。因此，该触控传感器兼具透明、柔性好的特点。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本专利技术具体实施方式的触控传感器的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。下面对本专利技术实施例的一种复合导电薄膜及其制备方法以及触控传感器及其制备方法进行具体说明。一种复合导电薄膜的制备方法，包括：将石墨烯薄膜转移到在形成于柔性基底表面的氧化铟锡薄膜的表面，进而得到复合层，对复合层进行处理使得氧化铟锡薄膜破碎。将石墨烯薄膜转移到氧化铟锡薄膜的表面得到石墨烯薄膜/氧化铟锡薄膜/柔性基底的复合层，对复合层进行处理使得氧化铟锡薄膜破碎，破碎的氧化铟锡与石墨烯薄膜贴合，破碎的氧化铟锡会提升石墨烯载流子的浓度，从而提升石墨烯薄膜的导电能力，起导电作用的还是石墨烯薄膜，具有较好地柔性。在本专利技术的实施例中，对复合层进行处理的方式包括辊压，在辊压复合层的过程中，氧化铟锡薄膜在辊压的过程中会破碎，同时辊压使得石墨烯和破碎的氧化铟锡形成紧密结合，氧化铟锡起到提升石墨烯载流子浓度的作用，从而提升了石墨烯薄膜的导电能力。辊压的压力范围会对复合导电薄膜的性能有一定影响，压力太大，容易造成石墨烯薄膜也破损，影响复合薄膜的导电能力；压力太小，不能使得氧化铟锡破碎以提高石墨烯载流子浓度，复合薄膜的导电能力也会受到影响。因此，在本专利技术的实施例中，辊压的压力范围选择10-106MPa。优选地，辊压的压力范围为103-106MPa。该压力范围是专利技术人结合自身经验与创造性劳动得到的优选值，在该压力范围内，得到的复合导电薄膜导电能力更好，且不会使得石墨烯薄膜损伤。在其他实施例中，对复合层的处理方式不限于辊压，只要能够使得氧化铟锡破碎的同时石墨烯不会受损，更进一步地，能够使得石墨烯薄膜与破碎的氧化铟锡能够紧密地结合即可。另外，需要说明的是，氧化铟锡薄膜形成于柔性基底的方式不做限定。可以是在柔性基底上现场镀上氧化铟锡薄膜；也可以是购买现成的柔性基底上已镀膜好氧化铟锡薄膜的产品。在本专利技术下文例举的实施例中，选用的是利用化学气相沉积的方法在柔性基底上现场镀上氧化铟锡薄膜的方式。在本专利技术的实施例中，石墨烯薄膜是采用介质转移的方法转移到氧化铟锡薄膜的表面。利用介质转移的方法将石墨烯薄膜转移到形成于柔性基底表面的氧化铟锡薄膜的表面，转移介质一般采用减粘膜，比如热减粘膜等。采用减粘膜等转移介质，在后续的操作中直接撕掉就可以，不会影响石墨烯薄膜的性能。具体地，将石墨烯薄膜/生长衬底上的石墨烯薄膜与减粘膜贴合，然后去除生长衬底，接着将石墨烯薄膜/减粘膜的复合层转移到氧化铟锡薄膜表面，使得石墨烯薄膜与氧化铟锡薄膜接触。利用辊压的方式将石墨烯薄膜和氧化铟锡薄膜紧密结合后，将减粘膜直接撕掉即可。另外，柔性基底的材质一般选择高分子聚合物材料，例如，柔性基底的原料可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺、环状烯烃共聚物、聚碳酸酯和聚乙烯中的任意一种，也可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺、环状烯烃共聚物、聚碳酸酯和聚乙烯中任意两种或者多种的复合材料。在本专利技术的实施例中，柔性基底的厚度为1μm-1mm，柔性基底的厚度会对最后的复合导电薄膜的透明性能造成一定影响，优选地，柔性基底的厚度为2-200μm，该厚度的柔性基底得到的复合导电薄膜透明性较好，且导电性能优异。一种复合导电薄膜，复合导电薄膜是上述的复合导电薄膜的制备方法制得。该复合导电薄膜中石墨烯薄膜的方阻合适，且透光性好。该复合导电薄膜不仅导电能力强，且具有较好地柔性、透明性。一种触控传感器的制备方法，上述的复合导电薄膜表面制作通道电极，将复合导电薄膜制成电容式触控传感器的图案，将图案化后本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括：将石墨烯薄膜转移到在形成于柔性基底表面的氧化铟锡薄膜的表面，进而得到复合层，对所述复合层进行处理使得所述氧化铟锡薄膜破碎。

【技术特征摘要】
1.一种复合导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括：将石墨烯薄膜转移到在形成于柔性基底表面的氧化铟锡薄膜的表面，进而得到复合层，对所述复合层进行处理使得所述氧化铟锡薄膜破碎。2.根据权利要求1所述的复合导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述处理方式包括辊压，所述辊压的压力范围为10-106MPa；优选地，所述辊压的压力范围为103-104MPa。3.根据权利要求1所述的复合导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述柔性基底为高分子聚合物材料；优选地，所述柔性基底的原料包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺、环状烯烃共聚物、聚碳酸酯和聚乙烯中的至少一种。4.一种复合导电薄膜，其特征在于，所述复合导电薄膜是利用权利要求1-3任一项所述的复合导电薄膜的制备方法制得。5.一种触控传感器的制备方法，其特征在于，在权利要求4所述的复合导电薄膜表面制作通道电极，将所述复合导电薄膜制成电容式触控传感器的图案...

【专利技术属性】
技术研发人员：周培，邓广才，朱小英，
申请(专利权)人：成都川烯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51