等离子体刻蚀机的下电极屏蔽装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种等离子体刻蚀机的下电极屏蔽装置，包括接地机构和第一绝缘机构,所述接地机构与地相接，包括屏蔽板和屏蔽筒，所述屏蔽板安装在下电极射频柱下方，所述屏蔽筒包裹下电极射频柱，所述屏蔽筒与所述屏蔽板相连接，所述第一绝缘机构位于所述接地机构与所述下电极射频柱之间，用于防止下电极射频柱与所述接地机构之间相接触。该装置可以有效降低下电极的对外射频辐射，具有可靠接地措施，结构简单、易于实施、成本低且效果显著。

【技术实现步骤摘要】
等离子体刻蚀机的下电极屏蔽装置
本技术涉及半导体
，具体涉及等离子体刻蚀机的下电极屏蔽装置。
技术介绍
刻蚀是半导体加工、微电子制造、LED生产等领域中非常重要的一步工艺。常见的刻蚀手段主要有干法刻蚀和湿法刻蚀。与湿法刻蚀相比，干法刻蚀具有各向异性好、选择比高、工艺可控、重复性好、无化学废液污染等优点。干法刻蚀可分为光挥发刻蚀、气相刻蚀、等离子体刻蚀等。等离子体刻蚀是目前常见的一种干法刻蚀形式，当气体暴露于电子区域时，产生电离气体和具有高能电子的气体，从而形成等离子体，电离气体经过加速电场，将释放大量能量刻蚀表面。与其他刻蚀技术相比，等离子体刻蚀技术的结构简单、操作便利、性价比高。等离子刻蚀机在工作时，首先通过真空系统对反应腔室抽真空；然后，向反应腔室内注入反应气体；射频源通过铜柱耦合至上、下电极后，反应腔室内的气体被电离，形成等离子体；等离子体在电场作用下，向下电极运动，与加工件发生物理或化学反应，从而对加工件进行加工。工作期间，下电极的射频源使用高频功率电源作为激励电源，容易产生射频辐射，对传感器信号和电路信号产生干扰，且容易出现人身安全隐患。为防止射频辐射对信号及人身安全的影响，需对下电极进行屏蔽处理，从而降低信号干扰，减少对外辐射强度。
技术实现思路
为了解决上述问题，本技术公开一种等离子体刻蚀机的下电极屏蔽装置，其包括接地机构和第一绝缘机构,所述接地机构与地相接，包括屏蔽板和屏蔽筒，所述屏蔽板安装在下电极射频柱下方，所述屏蔽筒包裹下电极射频柱，所述屏蔽筒与所述屏蔽板相连接，所述第一绝缘机构位于所述接地机构与所述下电极射频柱之间，用于防止下电极射频柱与所述接地机构之间相接触。优选为，所述屏蔽筒底部设有凸缘，通过螺钉与所述屏蔽板连接。优选为，所述第一绝缘机构呈筒状，包裹下电极射频柱。优选为，所述屏蔽筒包括两个可装配组合为一体的半圆筒。优选为，所述第一绝缘机构包括两个可装配组合为一体的半圆筒。优选为，所述屏蔽筒的拼合接缝与所述绝缘机构的拼合接缝的不重合。优选为，所述屏蔽筒的下部直径大于上部直径，以对射频电源匹配器的射频头进行包裹。优选为，还包括第二绝缘机构，位于射频电源匹配器的射频头与所述屏蔽筒之间，对所述射频电源匹配器的射频头进行包裹。优选为，所述第一绝缘机构和第二绝缘机构的材质为聚四氟乙烯。优选为，所述接地机构的材质为铝。该装置可以有效降低下电极的对外射频辐射，具有可靠接地措施，结构简单、易于实施、成本低且效果显著。附图说明为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是等离子体刻蚀机的下电极屏蔽装置及等离子体刻蚀机的部分相关结构的示意图；图2是等离子体刻蚀机的下电极屏蔽装置的第一绝缘机构的结构示意图；图3是等离子体刻蚀机的下电极屏蔽装置的屏蔽筒的结构示意图；图4是等离子体刻蚀机的下电极屏蔽装置的第二绝缘机构的结构示意图。具体实施方式下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在图1中示出了等离子体刻蚀机的下电极屏蔽装置的结构示意图及等离子体刻蚀机的相关部分结构。如图1所示，等离子体刻蚀机的下电极射频柱3从腔底屏蔽铝板2探出，并通过过渡柱4与射频电源匹配器5采用插接的方式相连接，保证下电极射频柱3与射频电源匹配器5之间的良好接触。本技术的等离子体刻蚀机的下电极屏蔽装置根据该部分的结构特点设计，在不影响设备整体布局的情况下，对下电极射频柱3、过渡柱4及射频电源匹配器5的射频头的射频辐射进行屏蔽处理，降低射频辐射对信号及人身安全的影响。等离子体刻蚀机的下电极屏蔽装置，包括接地机构和第一绝缘机构7,接地机构与地相接，第一绝缘机构7位于接地机构与下电极射频柱3之间，用于防止下电极射频柱与接地机构之间相接触造成短路。如图1所示，接地机构包括屏蔽板6和屏蔽筒1，屏蔽板6安装在下电极射频柱3和过渡柱4的下方，用于屏蔽下电极射频柱3及过渡柱4的射频辐射。屏蔽筒1位于第一绝缘机构7外，对下电极射频柱3和过渡柱4进行包裹，实现屏蔽。屏蔽筒1的截面例如也可以正方形、矩形、椭圆形等任意合适结构，只要能够实现对第一绝缘结构7、下电极射频柱3和过渡柱4的包裹即可。优选地，屏蔽筒1为可拼合的结构，如图1所示，屏蔽筒1包括两个可装配组合为一体的半圆筒。该设计使等离子体刻蚀机的下电极屏蔽装置安装更加便利，能够在不影响和改变等离子体刻蚀机的结构的情况下进行。但是本技术不限定于此，例如拼合而成的横截面为椭圆形、三角形、矩形等，或者拼合结构非均分等大，或者可拼合结构的数量为两个以上等。第一绝缘机构7优选呈筒状，对下电极射频柱3和过渡柱4进行包裹，防止其与接地机构接触。第一绝缘机构7的截面例如也可以正方形、矩形、椭圆形等任意合适结构，只要能够实现对下电极射频柱3和过渡柱4的包裹即可。优选地，第一绝缘机构7为可拼合的结构，如图1、图2所示，第一绝缘机构7包括两个可装配组合为一体的半圆筒。该设计使等离子体刻蚀机的下电极屏蔽装置安装更加便利，能够在不影响和改变等离子体刻蚀机的结构的情况下进行。但是本技术不限定于此，例如拼合而成的横截面为椭圆形、三角形、矩形等，或者拼合结构非均分等大，或者可拼合结构的数量为两个以上等。此外，对于采用拼合结构的屏蔽筒1和第一绝缘机构7，在安装时，优选使屏蔽筒1的拼合接缝与第一绝缘机构7的拼合接缝的不重合，以保证绝缘和屏蔽。进一步优选地，错开角度的为90°左右。屏蔽筒1底部设有凸缘，通过螺钉9与屏蔽板6相连接，保证良好的接地效果，如图1和图3所示。优选地，屏蔽筒1顶部也设有凸缘，通过螺钉与腔底屏蔽铝板2相连接。当然，也可以采用其他方式实现屏蔽筒1与屏蔽板6的连接，例如在屏蔽板6上设置卡槽，对屏本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体刻蚀机的下电极屏蔽装置，其特征在于，包括接地机构和第一绝缘机构，所述接地机构与地相接，包括屏蔽板和屏蔽筒，所述屏蔽板安装在下电极射频柱下方，所述屏蔽筒包裹下电极射频柱，所述屏蔽筒与所述屏蔽板相连接，所述第一绝缘机构位于所述接地机构与所述下电极射频柱之间，用于防止下电极射频柱与所述接地机构之间相接触。

【技术特征摘要】
1.一种等离子体刻蚀机的下电极屏蔽装置，其特征在于，包括接地机构和第一绝缘机构，所述接地机构与地相接，包括屏蔽板和屏蔽筒，所述屏蔽板安装在下电极射频柱下方，所述屏蔽筒包裹下电极射频柱，所述屏蔽筒与所述屏蔽板相连接，所述第一绝缘机构位于所述接地机构与所述下电极射频柱之间，用于防止下电极射频柱与所述接地机构之间相接触。2.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀机的下电极屏蔽装置，其特征在于，所述屏蔽筒底部设有凸缘，通过螺钉与所述屏蔽板连接。3.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀机的下电极屏蔽装置，其特征在于，所述第一绝缘机构呈筒状，包裹下电极射频柱。4.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀机的下电极屏蔽装置，其特征在于，所述屏蔽筒包括两个可装配组合为一体的半圆筒。5.根据权利要求3所述的等离子体刻蚀机的下电极屏蔽装置，其特征在于，所述第一绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡冬冬，李娜，车东辰，刘训春，许开东，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32