一种含丁二炔基聚硅氮烷及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种含丁二炔基聚硅氮烷及其制备方法。本发明专利技术所提供的含丁二炔基聚硅氮烷，其结构式如式Ⅰ所示，其中，Ｒ、Ｒ′为Ｈ，芳香基，碳原子数为１－６的烷基或烯烃基，ｎ为１－２０的整数，ｍ为１－１００的整数。本发明专利技术含丁二炔基聚硅氮烷具有良好的热稳定性，可发出一定强度的荧光，具有良好的导电性，其制备方法产率高，可达８０－９８％，可用作陶瓷前驱体，发光材料，导电材料等，具有广泛的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及共轭聚合物及其制备方法，特别是涉及。
技术介绍
共轭聚合物因具有独特的电子结构共轭的大∏体系而具有一些特殊的性质，尤其是具有独特的光电性能，可以制成大面积平面显示器和发光二极管，导电涂层，化学和生物传感器，非线性光学材料，发光材料和电池等。自从1990年第一次报道基于聚苯乙烯制成的发光二极管以来，基于有机聚合物制备的电致发光材料已经引起了极大的关注(Burroughes，J.H.；Bradley，D.D.C.；Brown，A.R.；Marks，R.N.；Mackay，K.；Friend，R.H.；Bums，P.L.；Holmes，A.B.Nature 1990，34，539.)。目前共轭主链全部为碳结构的聚合物研究得比较广泛，例如PPV及其系列衍生物。这类聚合物主要应用于光电材料、半导体材料，但是存在刚性大，溶解度差，难加工的缺点。目前有人在共轭主链中引入有机硅单元来改善性能，主要是引入Si-O，Si-Si链节。由于硅原子的引入，有效的弥补了以往共轭材料的不足，改善光学性能，在共轭主链中引入硅，可观察到蓝移；极大地改善了链段的柔韧性，降低了玻璃化转变温度，使得链段柔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种含丁二炔基聚硅氮烷，其结构式如式Ⅰ所示，－［－［－＊ｉ－Ｃ≡Ｃ－Ｃ≡Ｃ－＊ｉ－］↓［ｎ］－ＮＨ－］↓［ｍ］－（式Ⅰ）其中，Ｒ、Ｒ′为Ｈ，芳香基，碳原子数为１－６的烷基或烯烃基，ｎ为１－２０的整数，ｍ为１－１００的整数 。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：颜梅，张志杰，谭永霞，谢择民，
申请(专利权)人：中国科学院化学研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]