一种实现多值存储的阻变存储器的制备方法技术

本发明专利技术涉及微电子器件与存储器技术领域，公开了一种实现多值存储的阻变存储器制备方法。该方法包括：在硅片上生长下电极，再在其上生长功能层材料，接着对功能层进行离子注入，最后生长上电极。本发明专利技术的阻变存储器能够实现多值存储，大的开关电阻比，均一性好，结构简单，易集成等优点，有利于本发明专利技术的广泛推广应用。

Method for preparing resistance memory for realizing multi value storage

The invention relates to the technical field of microelectronic devices and memory, and discloses a method for preparing a blocking memory for realizing multiple valued storage. The method comprises the following steps: growing a lower electrode on a silicon chip, growing a functional layer material thereon, then injecting ions into the functional layer, and finally growing the upper electrode. The resistance memory of the invention has the advantages of multi value storage, large switching resistance ratio, good uniformity, simple structure, easy integration, etc., and is beneficial to the popularization and application of the invention.

【技术实现步骤摘要】
一种实现多值存储的阻变存储器的制备方法
本专利技术属于集成电路制造
，具体涉及一种实现多值存储的阻变存储器制备方法。
技术介绍
半导体存储器，根据其掉电是否能够保持存储信息，可以分为两类：挥发性存储器和非挥发性存储器。随着便携式电子设备的普及，非挥发存储器在存储器市场中的份额也越来越大。虽然当前FLASH技术是非挥发存储器市场的主流，但随着半导体工艺节点的推进，FLASH技术正遇到一系列的瓶颈问题比如操作电压大，尺寸无法缩小，保持时间不够长等。有报道称FLASH技术的极限在16nm左右，科学界和工业界正在寻找一种可以替代FLASH的下一代非挥发性存储器。阻变存储器(RRAM)由于操作电压低、非破坏性读取、操作速度快和结构简单易于集成等优点成为新型非挥发性存储器的研究重点。其中阻变存储器能在多个电阻态间转变的能力(多值存储)使得存储容量大大增加，使得阻变存储器得到广泛关注。目前实现多值存储的方式主要有两种：一种是在SET(编程使器件转变到低阻态)过程中通过不同限制电流来实现，另一种是在RESET(编程使器件转变到高阻态)过程中通过不同电压幅值或电压持续时间来得到不同阻态。通过调控本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种实现多值存储的阻变存储器制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在衬底上形成下电极，并在下电极上形成功能层；S2：对功能层进行离子注入；S3：在功能层上形成上电极。

【技术特征摘要】
1.一种实现多值存储的阻变存储器制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在衬底上形成下电极，并在下电极上形成功能层；S2：对功能层进行离子注入；S3：在功能层上形成上电极。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述下电极材料包括Pt、W、Ru、Al、TiN、TaN、IrO2、ITO或IZO。3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述功能层材料包括SiO2、HfO2、Al2O3、TaOx或TiOx。4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中采用的离子注入材料包括Ag、Cu、Cr或W。5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射、脉冲激...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘琦，伍法才，刘明，龙世兵，吕杭炳，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11