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本发明涉及微电子器件与存储器技术领域，公开了一种实现多值存储的阻变存储器制备方法。该方法包括：在硅片上生长下电极，再在其上生长功能层材料，接着对功能层进行离子注入，最后生长上电极。本发明的阻变存储器能够实现多值存储，大的开关电阻比，均一性好...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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