半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

提供一种能够谋求小型化，配线电阻很小并且效率很高的半导体装置。实施方式中的半导体装置1包括：绝缘基板2；导电部3，朝第一方向延伸；导电部4，从导电部3开始远离第二方向，并且朝第一方向延伸；多个导电部5，在导电部3和导电部4之间沿第一方向并排；高边开关11,12,13，被安装在导电部3上；低边开关14,15,16，分别被安装在相对应的导电部5上；多个信号端子，沿着第一方向被排列为与多个导电部5之间存在导电部3；电源端子21，与导电部3电气连接；接地端子22，与导电部4电气连接；输出端子23,24,25，分别与相对应的导电部5电连接，在绝缘基板2的另一端侧沿第一方向被排列，通过导电部4并且跨过沿第一方向延伸的直线L。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体装置及其制造方法。
技术介绍
以往，已知一种逆变器(inverter)装置作为半导体装置，将从直流电源输入的直流电力转换为交流电力并输出。逆变器装置例如是用来将直流电压转换为三相交流电压并且驱动三相电机(motor)。对于这样的半导体装置，近年来，越发在寻求小型化以及高效率化。在专利文献一中记载有将电感(inductance)降低和装置的小型化作为目的的逆变器装置。在该逆变器装置中，电源端子(逆变器输入端子)或接地端子(逆变器接地端子)都没有被捆成一个，被排列在一个方向上(参照专利文献一的图20)。在专利文献二中记载有将减少损失或者噪声作为目的的逆变器装置。在该逆变器装置中，与电源端子电气连接的电源模块(Block)和被接地(Ground)的接地模块被邻接配置(参照专利文献二的图15)。先行技术文献专利文献专利文献一日本特开2011-250491号公报专利文献二日本特开2014-72316号公报
技术实现思路
然而，在专利文献一的逆变器装置中，由于电源端子或接地端子没有被捆成一个，因此宽度变大，导致难以实行小型化。另外，在专利文献二的逆变器装置中，由于电源模块和被接地的接地模块被邻接配置，因此电流路径变长从而配线电阻变大，导致存在效率低下的问题。因此，本专利技术的目的是提供一种能够谋求小型化，配线电阻很小并且效率很高的半导体装置。本专利技术涉及的半导体装置是一种将直流电力转换为交流电力的半导体装置，其特征在于，包括：绝缘基板；第一导电部，被设置在所述绝缘基板上朝第一方向延伸；第二导电部，被设置在所述绝缘基板上，从所述第一导电部开始远离与所述第一方向不同的第二方向，并且朝所述第一方向延伸；多个第三导电部，被设置在所述绝缘基板上，在所述第一导电部和所述第二导电部之间沿所述第一方向并排；多个第一开关，具有第一主电极，第二主电极以及控制电极，沿所述第一方向被安装在所述第一导电部上，并且所述第一主电极与所述第一导电部电气连接；多个第二开关，具有第四主电极以及控制电极，分别被安装在相对应的所述第三导电部上，所述第三主电极与所述第一开关的所述第二主电极电气连接，所述第四主电极与所述第二导电部电气连接；多个信号端子，沿着所述第一方向被排列为与所述多个第三导电部之间存在所述第一导电部；电源端子，与所述第一导电部电气连接，被配置在设有所述多个信号端子的所述绝缘基板的一端侧；接地端子，与所述第二导电部电气连接，被配置在所述绝缘基板的所述一端侧；多个输出端子，分别与相对应的所述第三导电部电气连接，在所述绝缘基板的作为所述一端侧的反对侧的另一端侧沿所述第一方向被排列，通过所述第二导电部并且跨过沿所述第一方向延伸的直线。另外，在所述碳化硅半导体装置中，所述第二开关的所述第四主电极与所述第二导电部通过导电金属线从而电气连接，所述导电金属线的一端与所述第四主电极相连接，且在所述第二导电部中，另一端与被夹在相邻的输出端子间的区域相连接亦可。另外，在所述碳化硅半导体装置中，所述多个信号端子的前端部沿所述第一方向被配置为交错状亦可。另外，在所述碳化硅半导体装置中，所述电源端子以及所述接地端子的前端部相对于所述多个信号端子被配置为交错状亦可。另外，在所述碳化硅半导体装置中，所述电源端子，所述接地端子以及所述输出端子中的至少一个具有对所述绝缘基板的角落部的导电部回避的平面形状亦可。另外，在所述碳化硅半导体装置中，所述平面形状为L字型亦可。本专利技术涉及的半导体装置的制造方法，是一种将直流电力转换为交流电力的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：配线板准备工序，该配线板具有：第一导电部，朝第一方向延伸；第二导电部，远离与第一方向不同的第二方向，并且朝第一方向延伸；多个第三导电部，在第一导电部和第二导电部之间沿第一方向并排；引线框架准备工序，该引线框架具有：多个信号端子；包含电源端子以及接地端子的第一端子群；包含多个输出端子的第二端子群；装载工序，在所述第一导电部上经由膏状焊料将多个第一开关沿所述第一方向装载，在所述各个第三导电部上经由膏状焊料将第二开关装载；位置对准工序，将所述配线板与所述引线框架对准位置使得所述电源端子的底部，所述接地端子的底部，以及所述输出端子的底部分别在所述第一导电部上，在与第二导电部相连接且朝所述第二方向延伸的第四导电部上，以及在所述第三导电部上经由膏状焊料从而相接；接合工序，通过回流焊处理，使所述电源端子，所述接地端子以及所述输出端子分别与所述第一导电部，所述第二导电部以及所述第三导电部相接合；以及键合工序，将所述第二导电部和所述第二开关的主电极通过导电金属线相连接。另外，在所述碳化硅半导体装置的制造方法中，所述键合工序具有：第一连接工序，将所述导电金属线的一端与所述第二开关的所述主电极相连接；第二连接工序，在所述第一连接工序之后，将所述导电金属线的另一端与在所述第二开关中被夹在相邻的所述输出端子间的区域相连接。【专利技术效果】在本专利技术涉及的半导体装置中，包括：第一导电部，朝第一方向延伸；第二导电部，远离与第一方向不同的第二方向，并且朝第一方向延伸；多个第三导电部，在第一导电部和第二导电部之间沿第一方向并排；多个第一开关(Switch)，沿第一方向被安装在第一导电部上；多个第二开关，分别被安装在相对应的第三导电部上；多个信号端子，沿着第一方向被排列为与多个第三导电部之间存在第一导电部；电源端子，第一导电部电气连接；接地端子，与第二导电部电气连接；以及输出端子，分别与相对应的第三导电部电气连接。并且，电源端子以及接地端子被配置在设有多个信号端子的绝缘基板的一端侧，多个输出端子在绝缘基板的另一端侧沿第一方向被排列。另外，各个输出端子通过第二导电部并且跨过朝第一方向延伸的直线。根据像这样构成的本专利技术，能够谋求半导体装置的小型化，并且能够提供一种配线电阻很小并且效率很高的半导体装置。【简单附图说明】【图1】是显示实施方式涉及的半导体装置1的概略结构的平面图。【图2】是显示实施方式涉及的半导体装置1的电路结构的电路图。【图3】是显示被用于实施方式涉及的半导体装置1的制造中的引线框架(leadframe)70的平面图。专利技术实施方式以下，将参照附图对本专利技术的实施方式涉及的半导体装置及其制造方法进行说明。(半导体装置)参照图1以及图2对本专利技术的实施方式涉及的半导体装置1进行说明。如图2的电路图所示，实施方式涉及的半导体装置1是一种半导体装置(逆变器装置)，将从与电源端子21和接地端子22相连接的直流电源(未作图示)输入的直流电力转换为三相交流电力从而由输出端子23,24,25输出。在半导体装置1中，在上表面设有导电部3～7的绝缘基板2上安装有高边开关(high-sideswitch)11,12,13以及低边开关(low-sideswitch)14,15,16，从而构成三相全桥(full-bridge)电路。如图1所示，半导体装置1包括：陶瓷(ceramic)基板等的绝缘基板2；导电部3(第一导电部)；导电部4(第二导电部)；导电部5(第三导电部)；导电部6(第四导电部)；导电部7；高边开关11,12,13(多个第一开关)；低边开关14,15,16(多个第二开关)；控制端子31～36；监控端子41本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种将直流电力转换为交流电力的半导体装置，其特征在于，包括：绝缘基板；第一导电部，被设置在所述绝缘基板上朝第一方向延伸；第二导电部，被设置在所述绝缘基板上，从所述第一导电部开始远离与所述第一方向不同的第二方向，并且朝所述第一方向延伸；多个第三导电部，被设置在所述绝缘基板上，在所述第一导电部和所述第二导电部之间沿所述第一方向并排；多个第一开关，具有第一主电极，第二主电极以及控制电极，沿所述第一方向被安装在所述第一导电部上，并且所述第一主电极与所述第一导电部电气连接；多个第二开关，具有第四主电极以及控制电极，分别被安装在相对应的所述第三导电部上，所述第三主电极与所述第一开关的所述第二主电极电气连接，所述第四主电极与所述第二导电部电气连接；多个信号端子，沿着所述第一方向被排列为与所述多个第三导电部之间存在所述第一导电部；电源端子，与所述第一导电部电气连接，被配置在设有所述多个信号端子的所述绝缘基板的一端侧；接地端子，与所述第二导电部电气连接，被配置在所述绝缘基板的所述一端侧；以及多个输出端子，分别与相对应的所述第三导电部电气连接，在所述绝缘基板的作为所述一端侧的反对侧的另一端侧沿所述第一方向被排列，通过所述第二导电部并且跨过沿所述第一方向延伸的直线。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种将直流电力转换为交流电力的半导体装置，其特征在于，包括：绝缘基板；第一导电部，被设置在所述绝缘基板上朝第一方向延伸；第二导电部，被设置在所述绝缘基板上，从所述第一导电部开始远离与所述第一方向不同的第二方向，并且朝所述第一方向延伸；多个第三导电部，被设置在所述绝缘基板上，在所述第一导电部和所述第二导电部之间沿所述第一方向并排；多个第一开关，具有第一主电极，第二主电极以及控制电极，沿所述第一方向被安装在所述第一导电部上，并且所述第一主电极与所述第一导电部电气连接；多个第二开关，具有第四主电极以及控制电极，分别被安装在相对应的所述第三导电部上，所述第三主电极与所述第一开关的所述第二主电极电气连接，所述第四主电极与所述第二导电部电气连接；多个信号端子，沿着所述第一方向被排列为与所述多个第三导电部之间存在所述第一导电部；电源端子，与所述第一导电部电气连接，被配置在设有所述多个信号端子的所述绝缘基板的一端侧；接地端子，与所述第二导电部电气连接，被配置在所述绝缘基板的所述一端侧；以及多个输出端子，分别与相对应的所述第三导电部电气连接，在所述绝缘基板的作为所述一端侧的反对侧的另一端侧沿所述第一方向被排列，通过所述第二导电部并且跨过沿所述第一方向延伸的直线。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：其中，所述第二开关的所述第四主电极与所述第二导电部通过导电金属线从而电气连接，所述导电金属线的一端与所述第四主电极相连接，且在所述第二导电部中，另一端与被夹在相邻的输出端子间的区域相连接。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：其中，所述多个信号端子的前端部沿所述第一方向被配置为交错状。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：其中，所述电源端子以及所述接地端子...

【专利技术属性】
技术研发人员：神山悦宏，
申请(专利权)人：新电元工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP