陶瓷电池结构制造技术

一种陶瓷电池结构，包含有一上电极层、一下电极层，而该上电极层与该下电极层之间包含有至少一层的电解质层及电子阻绝层，本发明专利技术经由改变上电极层与下电极层之间的电解质层及电子阻绝层的组合，来克服因为单独使用电解质层、而导致电子导电的问题造成开路电压下降及高温的功率的现象发生，因此于陶瓷电池结构中加入高离子导电比例的电子阻绝层后，将能够阻绝电子导电以避免电子导电的问题发生，除此之外，该陶瓷电池结构更具有能够增加开路电压及700度以上功率密度等优点。

【技术实现步骤摘要】
陶瓷电池结构
本专利技术是有关一种陶瓷电池结构，特别是一种添加电子阻绝层的陶瓷电池结构，而电子阻绝层的存在将能够克服单独使用电解质层的缺点，并提高整体制程后电池表现。
技术介绍
固态氧化物燃料电池(SOFC)是一种效率高、构造简单、操作方便的燃料电池，初期主要偏向于大型建筑物的辅助电力系统，后期若当技术更加成熟，可望作为独立分散式的发电站，相较于现今集中式发电厂的配置系统，分散式的发电系统不但可避免当电力传送时，庞大可观的能量损失，也不会因传统集中式电厂的故障或电力传输过程中断造成广域性的电力中断，是一非常理想的发电方式，目前已实际应用于大型发电厂、分散式电源与电动車等方面。在SOFC的高操作温度下，电极的反应迅速，因此不需要以贵金属作为电极的触媒，降低材料成本。但另一方面也因为SOFC操作温度过高(约＞800℃)易导致电极材料与电解质介面发生反应，使电池的总电阻增加，也会因电极与电解质热膨胀系數差異过大，造成电极剥離现象产生，致使电池寿命大幅降低。这些问题限制SOFC的发展，因此降低操作温度至中低温度(500℃～700℃)是必须的。传统YSZ为基础的Ni-YSZ阳极需要较高操作温度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种陶瓷电池结构，其特征在于包含：一上电极层；一下电极层；以及其中该上电极层与该下电极层之间更设置有一个或一个以上的电解质层及一个或一个以上的电子阻绝层。

【技术特征摘要】
2015.12.02 TW 1041403981.一种陶瓷电池结构，其特征在于包含：一上电极层；一下电极层；以及其中该上电极层与该下电极层之间更设置有一个或一个以上的电解质层及一个或一个以上的电子阻绝层。2.如权利要求1所述的陶瓷电池结构，其特征在于，该电解质层为Bi2O3基掺杂氧化物、CeO2基掺杂氧化物、ZrO2基掺杂氧化物、ThO2基掺杂氧化物、HfO2基掺杂氧化物或LaGaO3基掺杂氧化物。3.如权利要求2所述的陶瓷电池结构，其特征在于，该LaGaO3基掺杂氧化物为Sr、Mg、Co中的任一个或任多个元素来掺杂LaGaO3。4.如权利要求2所述的陶瓷电池结构，其特征在于，该CeO2基掺杂氧化物系为Sm、Gd或La元素来掺杂CeO2。5.如权利要求2所述的陶瓷电池结构，其特征在于，该ZrO2基掺杂氧化物系为Y或Sc元素来安定ZrO2。6.如权利要求1所述的陶瓷电池结构，其特征在于，该电子阻绝层的离子导电比率需大于95％。7.如权利要求1所述的陶瓷电池结构，其特征在于，该电子阻绝层为Bi2O3基掺杂氧化物、ZrO2基掺杂氧化物、ThO2基掺杂氧化物、HfO2基掺杂氧化物或LaGaO3基掺杂氧化物。8.如权利要求8所述的陶瓷电池结构，其特征在于，该LaGaO3基掺杂氧化物系为Sr、Mg、Co中的任一个或任多个元素来掺杂LaGaO3。9.如权利要求8所述的陶瓷电池结构，其特征在于，该ZrO2基掺杂氧化物为Y或Sc元素来安定ZrO2。10.如权利要求1所述的陶瓷电池结构，其特征在于，该电解质层的厚度介于0.1μ至50μ之间。11.如权利要求1所述的陶瓷电池结构，其特征在于，该电子阻绝层的厚度介于0.1μ至50μ之间。12.如权利要求1所述的陶瓷电池结构，其特征在于，该电解质层位于该上电极层与该下电极层之间，而该电子阻绝层设置于该上电极层与该电解质层之间。13.如权利要求1所述的陶瓷电池结构，其特征在于，该电解质层位于该...

【专利技术属性】
技术研发人员：王锡福，盧锡全，
申请(专利权)人：台北科技大学，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71