The invention discloses a fast transient response of LDO circuit with high power supply rejection ratio, which comprises a main circuit for voltage modulation module, main circuit module comprises a power tube MP, is characterized by: MP power transistor gate terminal is connected with fast transient response offset circuit voltage current change circuit comprises a capacitor, current, offset mirror and current amplifier; a plurality of capacitor voltage changes will change the output end of the LDO circuit for positive change of current signal and reverse current signal changes, the change of current mirror reverse current signal into a positive change of current signal, positive change of current signal by the current amplifier into the power transistor MP gate drive current. The object of the invention is to achieve a fast transient response and a high PSRR at the same time by adopting a multiplexing circuit, thereby reducing the complexity of the circuit while reducing the area and power consumption of the LDO circuit.
【技术实现步骤摘要】
一种快速瞬态响应高电源抑制比的LDO电路
本专利技术属于低压差线性稳压器(LDO)领域,具体涉及一种实现快速瞬态响应和高电源抑制比的电路。
技术介绍
LDO(lowdropoutregulator)是一种低压差线性稳压器,LDO电路是集成电路路中重要的电源提供模块,传统LDO需要在输出端外接大电容负载来满足环路稳定性和其它方面的要求,但是这种方法无法在片上集成大电容。为了减少片外电容的应用,进而提出输出端不需要外接电容的无电容型LDO。和传统LDO性能相比,无电容型LDO在瞬态特性和电源抑制特性上都存在较大缺陷。因此需要设计电路提高其瞬态特性和电源抑制特性。目前,已有的瞬态特性提高技术有推挽输出技术、动态电流技术和输出电压检测技术。这些技术都需要设计特定的结构才能实现,也需要较高的功耗要求,并且都只能单方面提高瞬态响应。已有的电源抑制特性提高的技术有环路增益提高技术、复制噪声电流技术,这些技术都需要设计复杂的补偿电路,这会增大电路的面积和功耗。
技术实现思路
针对现有技术的缺陷,本专利技术的目的在于采用复用电路的方法同时实现一种快速瞬态响应高电源抑制比的LDO电路,降低了电路的复杂度,同时也减少了面积和功耗。本专利技术目的是通过如下技术方案实现的:一种快速瞬态响应高电源抑制比的LDO电路,其包括用于电压调制的主电路模块(1),主电路模块(1)包括功率管(MP),所述功率管(MP)栅极端连接有能快速瞬态响应电压电流变化的抵消电路,抵消电路包括电容、电流镜和电流放大器;所述电容有多个,多个电容将LDO电路输出端(Vout)上冲和/或下冲电压信号分别转变为正向电流变 ...
【技术保护点】
一种快速瞬态响应高电源抑制比的LDO电路,其包括用于电压调制的主电路模块(1),主电路模块(1)包括功率管(MP),其特征在于:所述功率管(MP)栅极端连接有能快速瞬态响应电压电流变化的抵消电路,抵消电路包括电容、电流镜和电流放大器;所述电容有多个,多个电容将LDO电路输出端(Vout)上冲和/或下冲电压信号分别转变为正向电流变化信号和反向电流变化信号,上冲或下冲引起的反向电流变化信号经电流镜转变为正向电流变化信号,正向电流变化信号经电流放大器转化为功率管(MP)栅极驱动电流。
【技术特征摘要】
1.一种快速瞬态响应高电源抑制比的LDO电路,其包括用于电压调制的主电路模块(1),主电路模块(1)包括功率管(MP),其特征在于:所述功率管(MP)栅极端连接有能快速瞬态响应电压电流变化的抵消电路,抵消电路包括电容、电流镜和电流放大器;所述电容有多个,多个电容将LDO电路输出端(Vout)上冲和/或下冲电压信号分别转变为正向电流变化信号和反向电流变化信号,上冲或下冲引起的反向电流变化信号经电流镜转变为正向电流变化信号,正向电流变化信号经电流放大器转化为功率管(MP)栅极驱动电流。2.根据权利要求1所述的一种快速瞬态响应高电源抑制比的LDO电路,其特征在于:所述抵消电路包括四个电容、两个电流镜和电流放大器;四个电容分别为第一电容(CC1)、第二电容(CC2)、第三电容(CC3)和第四电容(CC4);两个电流镜分别为第一电流镜和第二电流镜;所述第一电容(CC1)将LDO电路输出端(Vout)的电压下冲变化转变为正向电流变化信号,该正向电流变化信号经电流放大器转化为功率管(MP)栅极驱动电流;第二电容(CC2)将LDO电路输出端(Vout)的电压下冲变化转变为反向电流变化信号,第一电流镜将上述反向电流变化信号转变为正向电流变化信号,该正向电流变化信号经电流放大器转化为功率管(MP)栅极驱动电流;所述第三电容(CC3)将LDO电路输出端(Vout)的电压上冲变化转变为正向电流变化信号,该正向电流变化信号经电流放大器转化为功率管(MP)栅极驱动电流;第四电容(CC4)将LDO电路输出端(Vout)的电压上冲变化转变为反向电流变化信号,第二电流镜将该反向电流变化信号转变为正向电流变化信号,该正向电流变化信号经电流放大器转化为功率管(MP)栅极驱动电流。3.根据权利要求2所述的一种快速瞬态响应高电源抑制比的LDO电路,其特征在于:所述抵消电路还包括有两个恒定电流源(Ib),其中一个恒定电流源一端接地,该恒定电流源另一端分别与第二电容(CC2)、第一电流镜连接组成一电流补偿电路;另一个恒定电流源一端接电源电压(VDD...
【专利技术属性】
技术研发人员:包应江,
申请(专利权)人:武汉众为信息技术有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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