二次量化的混合ADC制造技术

本发明专利技术公开了一种二次量化的混合ADC，包括全并行Flash结构1，用于转换高位码，通过电阻形式的比较避免大电容的产生；余量放大器2，用于将高位转换后的余量按一定倍数进行放大，减小环境噪声对余量的影响，并传输给下一级；左端SAR电容阵列3，用于转换低位码中的较高位，其中包含充电速度较慢的大电容；右端SAR电容阵列4，用来转换低位码中的较低位，其中包含充电速度较快的小电容；SAR逻辑电路5，用于进行SAR逻辑比较，并控制电容阵列中基准电压的变化；控制逻辑电路6，用于控制整个电路中的信号传输及各模块工作状态。

【技术实现步骤摘要】
二次量化的混合ADC
本专利技术属于模拟信号采集及处理
具体涉及一种二次量化的混合ADC。
技术介绍
模数转换器(ADC)是集成电路中常见的一个模块，它将时间和幅度上都连续的输入信号，转换为时间和幅度上都离散的输出信号，在常用的信号采集和处理电路中必不可少。模数转换器(ADC)的指标通常考虑分辨率和采样速率两部分。不同的结构均有其独特的优势，部分将两种结构作为子模块而得的混合结构可兼顾分辨率和采样速率这两个指标。用传统的结构实现高速高分辨率的模数转换器(ADC)，通常都有某些难以克服的缺点。如全并行(Flash)结构功耗大，且在高分辨率下器件数量指数增加；逐次逼近(SAR)结构中，时钟的大小需要顾及二进制权重电容阵列最高位电容的充电速度，在实现高分辨率时，会出现较大的电容值，这样一来会降低转换速度、增大芯片面积。因此，需要一种能实现高速高分辨率，且功耗较低、面积较小的ADC结构。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了克服上述不足提供一种二次量化的混合ADC。本专利技术包括全并行Flash结构1，用于转换高位码，通过电阻形式的比较避免大电容的产生；余量放大器2，用于将高位转换后的余本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二次量化的混合ADC，包括全并行(Flash)结构(1)，用于转换高位码，通过电阻形式的比较避免大电容的产生；余量放大器(2)，用于将高位转换后的余量按一定倍数进行放大，减小环境噪声对余量的影响，并传输给下一级；左端SAR电容阵列(3)，用于转换低位码中的较高位，其中包含充电速度较慢的大电容；右端SAR电容阵列(4)，用来转换低位码中的较低位，其中包含充电速度较快的小电容；SAR逻辑电路(5)，用于进行SAR逻辑比较，并控制电容阵列中基准电压的变化；控制逻辑电路(6)，用于控制整个电路中的信号传输及各模块工作状态。

【技术特征摘要】
1.一种二次量化的混合ADC，包括全并行Flash结构(1)，用于转换高位码，通过电阻形式的比较避免大电容的产生；余量放大器(2)，用于将高位转换后的余量按一定倍数进行放大，减小环境噪声对余量的影响，并传输给下一级；左端SAR电容阵列(3)，用于转换低位码中的较高位，其中包含充电速度较慢的大电容；右端SAR电容阵列(4)，用来转换低位码中的较低位，其中包含充电速度较快的小电容；SAR逻辑电路(5)，用于进行SAR逻辑比较，并控制电容阵列中基准电压的变化；控制逻辑电路(6)，用于控制整个电路中的信号传输及各模块工作状态；所述全并行Flash结构(1)包括采样/保持电路、三位全并行ADC、三位DAC、编码电路和一个加法器，所述采样/保持电路的输出送入3位全并行ADC和加法器，所述3位全并行ADC产生的温度计码送入编码电路和3位DAC，所述3位DAC的输出送入加法器；所述余量放大器(2)的输入是加法器的输出，将所得信号放大一定比例后称为Vin，送入左端SAR电...

【专利技术属性】
技术研发人员：包应江，
申请(专利权)人：武汉众为信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42