芯片的图形尺寸检测方法技术

本发明专利技术公开了一种芯片的图形尺寸检测方法，包括步骤：步骤一、形成前层图形，每一个被测图形所对应的前层图形包括两个标记且设置在被测图形的两侧；将标记的宽度和标记和对应的被测图形的侧面的间距设置在尺寸测量设备的测量范围内；被测图形的尺寸在尺寸测量设备的测量范围外；步骤二、形成被测量图形层；步骤三、采用尺寸测量设备各标记的宽度以及各标记和对应的被测图形的侧面的间距进行测量，根据各测量值和版图设计值计算得到被测图形的尺寸。本发明专利技术实现了采用尺寸测量设备对量程外的图形尺寸进行测量，从而提高图形尺寸的测量精度。

Method for detecting chip size

The invention discloses a method for detecting the pattern size, chip comprises the following steps: step one, before the formation of layer pattern, each layer corresponding to the measured before the graphics graphics including two markers and arranged at both sides of the measured graph will be measured; spacing pattern width and side mark mark and corresponding the settings in the measurement range measurement equipment; measured the size of the graph in the measuring range of size measurement equipment; step two, formed by measuring graphics layer; step three, the size of each marker measuring equipment width and spacing of each marker and measured the figure of the side of the corresponding measure, according to the the measured value and calculated value of layout design measured the size of the graph. The invention realizes the measurement of the figure size outside the measuring range by adopting the dimensional measuring device, thereby improving the measuring accuracy of the graphics size.

【技术实现步骤摘要】
芯片的图形尺寸检测方法
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种芯片的图形尺寸检测方法。
技术介绍
在半导体集成电路制造工艺中，往往需要采用光刻刻蚀工艺形成一层以上的图形结构，CD在半导体集成电路中称为关键尺寸，为芯片上图形的物理尺寸特征。各层图形结构的尺寸是否和设计值相符则需要通过图形尺寸检测来验证。现有芯片的图形尺寸检测方法一般是直接采用尺寸测量设备对图形结构进行直接测试实现，图形尺寸检测方法也称为CD测量方法或CD检测方法。而在CD检测方法中一般直接测试图形尺寸，CD测量值表示这种所测试的图形尺寸大小。现有的CD测量方法大致有两种第一种为采用电子束扫描方法进行检测，SEM为扫描式电子显微镜，用来做CD量测的SEM一般称为CDSEM。SEM的量程即测量范围通常为0.05微米～2微米，精度为所测量尺寸的1％，测量量程范围内的小CD时，CD量测值精度高，但对超过量程范围的大CD时，测试精度不满足需求，因此通常认为SEM对大CD不具备精确量测能力。第二种为采用光学方法进行检测，这种方法量程较大，能检测大CD，但和CDSEM比精度较低。如图1所示，是现有方法检测芯片的图形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片的图形尺寸检测方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、形成前层图形，前层图形为被测量图形层的前一层图形，所述被测量图形层的每一个被测图形所对应的所述前层图形包括两个标记；所述标记的宽度在尺寸测量设备的测量范围内；两个所述标记的间距根据后续形成的所述被测图形进行设置，且两个所述标记设置在所述被测图形的两侧且不被所述被测图形覆盖；两个所述标记和对应的所述被测图形的侧面的间距在所述尺寸测量设备的测量范围内；所述被测图形的尺寸在所述尺寸测量设备的测量范围外；步骤二、形成所述被测量图形层；步骤三、采用所述尺寸测量设备各所述标记的宽度进行测量以及各所述标记和对应的所述被测图形的侧面的间距进行测量，...

【技术特征摘要】
1.一种芯片的图形尺寸检测方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、形成前层图形，前层图形为被测量图形层的前一层图形，所述被测量图形层的每一个被测图形所对应的所述前层图形包括两个标记；所述标记的宽度在尺寸测量设备的测量范围内；两个所述标记的间距根据后续形成的所述被测图形进行设置，且两个所述标记设置在所述被测图形的两侧且不被所述被测图形覆盖；两个所述标记和对应的所述被测图形的侧面的间距在所述尺寸测量设备的测量范围内；所述被测图形的尺寸在所述尺寸测量设备的测量范围外；步骤二、形成所述被测量图形层；步骤三、采用所述尺寸测量设备各所述标记的宽度进行测量以及各所述标记和对应的所述被测图形的侧面的间距进行测量，根据所述被测图形对应的所述标记的宽度的测量值、两个所述标记的间距的版图设计值以及所述标记和对应的所述被测图形的侧面的间距的测量值计算得到所述被测图形的尺寸，使所述被测图形的尺寸的测量值的测量精度提高到所述尺寸测量设备对测量范围内的图形的测量精度范围内。2.如权利要求1所述的芯片的图形尺寸检测方法，其特征在于：所述被测图形为线条，所述被测图形的尺寸为线条宽度；两个所述标记设置在所述被测图形的两侧外。3.如权利要求2所述的芯片的图形尺寸检测方法，其特征在于：各所述标记靠近对应的所述被测图形的侧面为内侧面，两个所述标记的间距为两个所述标记的内侧面之间的距离，各所述标记和对应的所述被测图形的侧面的间距为各所述标记的内侧面和对应的所述被测图形的侧面的距离。4.如权利要求3所述的芯片的图形尺寸检测方法，其特征在于：所述被测图形的尺寸的计算公式为：A’＝A+(A1-A1’)/2+(A2-A2’)/2；B’＝A’-B1’-B2’；其中，A为两个所述标记的间距的版图设计值，A’为两个所述标记的间距的计算值，A1为第一个所述标记的宽度的版图设计值，A2为第二个所述标记的宽度的版图设计值，A1’为第一个所述标记的宽度的测量值，A2’为第二个所述标记的宽度的测量值；B1为第一个所述标记和对应的所述被测图形的侧面的间距的版图设计值，B2为第二个所述标记和对应的所述被测图形的侧面的间距的版图设计值，B1’为第一个所述标记和对应的所述被测图形的侧面的间距的测量值，B2’为第二个所述标记和对应的所述被测图形的侧面的间距的测量值；B’所述被测图形的尺寸的计算值。5.如权利要求1所述的芯片的图形尺寸检测方法，其特征在于：所述被测图形为线条间隔，所述被测图形的尺寸为线条间隔的宽度；两个所述标记设置在所述被测图形的两侧内。6.如权利要求5所述的芯片的图形尺寸检测方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：王雷，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31