一种单片机用隔离高电压开关控制电路制造技术

本发明专利技术公开了一种单片机用隔离高电压开关控制电路，包括MCU微型控制器，其一个引脚电性连接开关S2的控制端，开关S2的一个触点电性连接变压器T2，开关S2的另一个触点与地连接，MCU微型控制器一个引脚电性连接开关S1的控制端，开关S1的一个触点电性连接变压器T1，开关S1的另一个触点与地连接，变压器T2电性连接二极管D2正极，二极管D2负极电性连接电阻R3，电阻R3电性连接电容C2和场效应管Q2的G级，变压器T1电性连接二极管D1正极，二极管D1负极电性连接电阻R1，电阻R1电性连接电容C1和场效应管Q1的G级，提升变压器和开关的耐压，解决上千伏绝缘监测仪开关控制的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种单片机用隔离高电压开关控制电路
本专利技术涉及开关负压
，具体涉及一种单片机用隔离高电压开关控制电路。
技术介绍
绝缘监测仪：一种专门用于测量绝缘的装置；photoMOS(光MOS)：它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器(红外线发光二极管LED)与受光器(光敏MOS管)封装在同一管壳内。目前传统的技术是采用光MOS开关负压，若负压达到800V以上，有且仅有松下一家的AQV258可以作开关，而这种开关受国外进口等诸多限制，且成本较高。目前传统的技术是采用光MOS开关负压，若负压达到800V以上，有且仅有松下一家的AQV258可以作开关，而这种开关受国外进口等限制，且成本较高，极大地限制了客户的使用，且最高电压仅能作到1500V。另外一种方案是采用继电器，而高压继电器成本是光MOS开关的一倍以上，且极难采购，国内普通继电器目前只能作到500V耐压，且体积大，不利于绝缘监测仪小型化。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种单片机用隔离高电压开关控制电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种单片机用隔离高电压开关控制电路，包括MCU微型控制器，所述MCU微型控制器一个引脚电性连接开关S2的控制端，开关S2的一个触点电性连接变压器T2，开关S2的另一个触点与地连接，所述MCU微型控制器一个引脚电性连接开关S1的控制端，开关S1的一个触点电性连接变压器T1，开关S1的另一个触点与地连接，所述变压器T2电性连接二极管D2正极，二极管D2负极电性连接电阻R3，所述电阻R3电性连接电容C2和场效应管Q2的G级，所述电容C2与场效应管Q2的S级连接，所述场效应管Q2的D级电性连接电阻R4，所述场效应管Q2的S级电性连接电源负极，所述变压器T1电性连接二极管D1正极，二极管D1负极电性连接电阻R1，所述电阻R1电性连接电容C1和场效应管Q1的G级，所述电容C1与场效应管Q1的S级连接,所述场效应管Q1的D级电性连接电阻R2，所述场效应管Q1的S级电性连接电源负极。优选的，所述开关S2和开关S1均为单刀双掷开关。优选的，所述场效应管Q2和场效应管Q1均为N型。优选的，所述变压器T2和变压器T1的为相同型号。优选的，所述二极管D1和二极管D2均为普通二极管。优选的，所述开关S1和开关S2均为高频电子开关。本专利技术的技术效果和优点：1.电路拓朴结构简单，易于制作；2.通过提升变压器和开关的耐压等级，能够达到1000V以上的信号控制，解决上千伏绝缘监测仪开关控制的问题。3.不受正负电压影响，见第二张图，也可以用于控制正端。4.可有效保证绝缘检测仪的小型化；本专利技术具有结构简单，方便实用的特点，适合进一步推广。附图说明图1为本专利技术的电路示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1，一种单片机用隔离高电压开关控制电路，包括MCU微型控制器，所述MCU微型控制器一个引脚电性连接开关S2的控制端，开关S2的一个触点电性连接变压器T2，开关S2的另一个触点与地连接，所述MCU微型控制器一个引脚电性连接开关S1的控制端，开关S1的一个触点电性连接变压器T1，开关S1的另一个触点与地连接，所述变压器T2电性连接二极管D2正极，二极管D2负极电性连接电阻R3，所述电阻R3电性连接电容C2和场效应管Q2的G级，所述电容C2与场效应管Q2的S级连接，所述场效应管Q2的D级电性连接电阻R4，所述场效应管Q2的S级电性连接电源负极，所述变压器T1电性连接二极管D1正极，二极管D1负极电性连接电阻R1，所述电阻R1电性连接电容C1和场效应管Q1的G级，所述电容C1与场效应管Q1的S级连接,所述场效应管Q1的d级电性连接电阻R2，所述场效应管Q1的s级电性连接电源负极。所述开关S2和开关S1均为单刀双掷开关。所述场效应管Q2和场效应管Q1均为N型。所述变压器T2和变压器T1的为相同型号。所述二极管D1和二极管D2均为普通二极管。所述开关S1和开关S2均为高频电子开关。最后应说明的是：以上所述仅为优选实施例而已，并不用于限制本专利技术，尽管参照前述实施例对本专利技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单片机用隔离高电压开关控制电路，包括MCU微型控制器，其特征在于，所述MCU微型控制器一个引脚电性连接开关S2的控制端，开关S2的一个触点电性连接变压器T2，开关S2的另一个触点与地连接，所述MCU微型控制器一个引脚电性连接开关S1的控制端，开关S1的一个触点电性连接变压器T1，开关S1的另一个触点与地连接，所述变压器T2电性连接二极管D2正极，二极管D2负极电性连接电阻R3，所述电阻R3电性连接电容C2和场效应管Q2的G级，所述电容C2与场效应管Q2的S级连接，所述场效应管Q2的D级电性连接电阻R4，所述场效应管Q2的S级电性连接电源负极，所述变压器T1电性连接二极管D1正极，二极管D1负极电性连接电阻R1，所述电阻R1电性连接电容C1和场效应管Q1的G级，所述电容C1与场效应管Q1的S级连接，所述场效应管Q1的D级电性连接电阻R2，所述场效应管Q1的S级电性连接电源负极。

【技术特征摘要】
1.一种单片机用隔离高电压开关控制电路，包括MCU微型控制器，其特征在于，所述MCU微型控制器一个引脚电性连接开关S2的控制端，开关S2的一个触点电性连接变压器T2，开关S2的另一个触点与地连接，所述MCU微型控制器一个引脚电性连接开关S1的控制端，开关S1的一个触点电性连接变压器T1，开关S1的另一个触点与地连接，所述变压器T2电性连接二极管D2正极，二极管D2负极电性连接电阻R3，所述电阻R3电性连接电容C2和场效应管Q2的G级，所述电容C2与场效应管Q2的S级连接，所述场效应管Q2的D级电性连接电阻R4，所述场效应管Q2的S级电性连接电源负极，所述变压器T1电性连接二极管D1正极，二极管D1负极电性连接电阻R1，所述电阻R1电性连接电容C1和场效应管Q1的G级，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘立锋，
申请(专利权)人：沃尔特电子苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32