【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及开关领域，具体而言，涉及一种晶体管开关。
技术介绍
晶体管开关速度受寄生电容的影响很大，例如，MOS开关，寄生电容越大，MOS开关的导通和关断速度越慢，反之，寄生电容越小，MOS开关的导通和关断速度则越快。现有晶体管开关由于寄生电容等影响使得晶体管开关速度较慢。此外，现有晶体管开关的带宽、绝缘性等也难以满足要求。针对现有技术中晶体管开关速度较慢的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种晶体管开关，以至少解决现有技术中晶体管开关速度较慢的技术问题。根据本专利技术实施例，提供了一种晶体管开关，包括:信号输入端；信号输出端；第一晶体管，第一晶体管的源极连接至信号输入端，第一晶体管的漏极连接至信号输出端；控制输入端，用于输入控制电压；以及第一电阻，第一电阻的第一端连接至第一晶体管的栅极，第一电阻的第二端连接至控制输入端。进一步地，在控制电压为高电平时，控制电压的取值范围为3.3V?4V。进一步地，晶体管开关还包括:第一接地模块，第一接地模块连接至第一晶体管的栅极，用于在第一晶体管关断时，使得第一晶体管的栅极接地...
【技术保护点】
一种晶体管开关，其特征在于，包括：信号输入端；信号输出端；第一晶体管，所述第一晶体管的源极连接至所述信号输入端，所述第一晶体管的漏极连接至所述信号输出端；控制输入端，用于输入控制电压；以及第一电阻，所述第一电阻的第一端连接至所述第一晶体管的栅极，所述第一电阻的第二端连接至所述控制输入端。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄维柱，程壮琚，
申请(专利权)人：硅谷数模半导体北京有限公司，硅谷数模国际有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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