截面抛光仪的切片方法技术

本发明专利技术公开了一种截面抛光仪的切片方法，待检测样品的待切点位于待检测样品的侧表面，方法包括：将截面抛光仪的显微镜设置于待检测样品的上方，显微镜上设有定位坐标，定位坐标的X轴垂直于所述侧表面，定位坐标的Y轴平行于所述侧表面；将待检测样品由初始的水平状态旋转至竖直状态，使所述侧表面的方向朝上；在显微镜的俯视观察下移动待检测样品，使待切点与定位坐标的X轴对齐；将待检测样品由竖直状态旋转至初始的水平状态，使所述侧表面复原到初始状态；在显微镜的俯视观察下移动待检测样品，使待切点与定位坐标的Y轴对齐，定位出待检测样品的切片位置；在待检测样品上遮盖挡片，仅露出待切点的部分；退出显微镜，对待切点的部分进行切片。

Sectioning method of cross section polishing instrument

The invention discloses a method for slicing a section polishing instrument, including the side surface, to be cut in the sample to be detected by detecting the sample method: the upper section polishing instrument microscope arranged in the sample to be detected, a positioning coordinate microscope, X axis perpendicular to the side surface coordinates, Y axis coordinate parallel to the side surface; the test sample by the level of the initial state of the rotation to the vertical state, the side surface direction; in the observation under the microscope at the mobile test sample, the X axis aligned to point and location coordinates; the test sample from a vertical state rotate to the initial level, the side surface restoration to the original state; in the observation under the microscope at the mobile test sample, the Y axis aligned to point and location coordinates, position detection Sample the slice position; cover the block on the sample to be detected; expose only the part to be cut; exit the microscope and slice the cut point.

【技术实现步骤摘要】
截面抛光仪的切片方法
本专利技术涉及截面抛光
，尤其是指一种截面抛光仪的切片方法。
技术介绍
参见图1所示，图1是现有的截面抛光仪的定位工作原理图。现有截面抛光仪自带定位系统，为表面定位方式，该方式是基于在高倍显微镜下实现对位操作，使得样品待处理位置定位。如图1所示，检测样品90在显微镜下完成对位后，用挡片91遮住检测样品90，使挡片91边缘与检测样品90的待切部位对齐，然后再用离子枪92对检测样品90的待切部位进行离子轰击，检测样品90的待切部位被切除后在表面形成一个凹坑93，如图2所示，图2是图1中检测样品的待切部位切除后的放大示意图。参见图3所示，图3是呈立方体的检测样品的不同待切点的分布示意图。但是，现有的用于截面抛光仪的样品定位治具。仅能提供在显微镜俯视状态下，该方式仅能针对能够通过表面观察即可定位的产品，如图3中所示的呈立方体的检测样品90的表层待切点94；但有一部分产品尤其是半导体中封装完好的芯片，往往需要对呈立方体的检测样品90深层次的结构的深层待切点95进行定位和切片，则现有系统是无法实现精确定位，一是因为样品的封装体材料不透明，显微镜从平面看不到深层位置；二是若采用记号法才实现定位，精度远不够要求。
技术实现思路
有鉴于上述问题，本专利技术提供了一种截面抛光仪的切片方法，待检测样品的待切点位于所述待检测样品的侧表面，所述切片方法包括：将截面抛光仪的显微镜设置于所述待检测样品的上方，所述显微镜上设有定位坐标，所述定位坐标包括相互垂直的X轴和Y轴，所述定位坐标的X轴垂直于所述待检测样品上具有所述待切点的侧表面，所述定位坐标的Y轴平行于所述待检测样品上具有所述待切点的侧表面；将所述待检测样品由初始的水平状态旋转至竖直状态，使所述待检测样品上具有所述待切点的侧表面的方向朝上；在所述显微镜的俯视观察下移动所述待检测样品，使所述待切点与所述定位坐标的X轴对齐；将所述待检测样品由竖直状态旋转至初始的水平状态，使所述待检测样品上具有所述待切点的侧表面复原到初始状态；在所述显微镜的俯视观察下移动所述待检测样品，保持所述待切点与所述定位坐标的X轴对齐，并使所述待切点与所述定位坐标的Y轴对齐，定位出所述待检测样品的切片位置；根据所述待检测样品的切片位置在所述待检测样品上遮盖挡片，仅露出所述待检测样品的所述待切点的部分；退出所述显微镜，对所述待检测样品的所述待切点的部分进行切片。本专利技术截面抛光仪的切片方法，通过对待检测样品的两次旋转，可以对待检测样品的侧表面位置轴心定位后回归到平面状态再次轴心同步，从而对位于待检测样品的侧表面的待切点实现精确定位。本专利技术截面抛光仪的切片方法的进一步改进在于，在所述显微镜的俯视观察下移动所述待检测样品，使所述待切点在所述显微镜的观察视角内与所述定位坐标的X轴对齐，包括：在所述显微镜的观察视角内上下移动所述待检测样品，使所述待切点在所述显微镜的观察视角内与所述定位坐标的X轴对齐。本专利技术截面抛光仪的切片方法的进一步改进在于，在所述显微镜的俯视观察下移动所述待检测样品，保持所述待切点与所述定位坐标的X轴对齐，并使所述待切点与所述定位坐标的Y轴对齐，定位出所述待检测样品的切片位置，包括：在所述显微镜的观察视角内左右移动所述待检测样品，保持所述待切点与所述定位坐标的X轴对齐，并使所述待切点与所述定位坐标的Y轴对齐，定位出所述待检测样品的切片位置。本专利技术截面抛光仪的切片方法的进一步改进在于，根据所述待检测样品的切片位置在所述待检测样品上遮盖挡片，仅露出所述待检测样品的所述待切点的部分，包括：将所述挡片的边缘与所述待切点的位置对齐，仅露出所述待检测样品的所述待切点的部分。本专利技术截面抛光仪的切片方法的进一步改进在于，所述待检测样品装载于一承载台上，所述承载台装载于截面抛光仪的装样器内。本专利技术截面抛光仪的切片方法的进一步改进在于，通过设置于所述装样器上的转轴对所述承载台进行旋转，以带动所述待检测样品进行旋转。本专利技术截面抛光仪的切片方法的有益效果是：(1)确认待检测样品的待切点目标方便快捷。(2)辨认深度位置的定位精度大大提高。(3)待检测样品的种类可以从平面级增加到立体级。附图说明图1是现有的截面抛光仪的定位工作原理图。图2是图1中检测样品的待切部位切除后的放大示意图。图3是呈立方体的检测样品的不同待切点的分布示意图。图4是本专利技术截面抛光仪的切片方法的流程示意图。图5至图12是本专利技术截面抛光仪的切片方法的一种较佳实施例的详细步骤说明图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。配合参看图4所示，图4是本专利技术截面抛光仪的切片方法的流程示意图。本专利技术截面抛光仪的切片方法，待检测样品的待切点位于所述待检测样品的侧表面，所述切片方法包括：步骤S1：将截面抛光仪的显微镜设置于所述待检测样品的上方，所述显微镜上设有定位坐标，所述定位坐标包括相互垂直的X轴和Y轴，所述定位坐标的X轴垂直于所述待检测样品上具有所述待切点的侧表面，所述定位坐标的Y轴平行于所述待检测样品上具有所述待切点的侧表面；步骤S2：将所述待检测样品由初始的水平状态旋转至竖直状态，使所述待检测样品上具有所述待切点的侧表面的方向朝上；步骤S3：在所述显微镜的俯视观察下移动所述待检测样品，使所述待切点与所述定位坐标的X轴对齐；步骤S4：将所述待检测样品由竖直状态旋转至初始的水平状态，使所述待检测样品上具有所述待切点的侧表面复原到初始状态；步骤S5：在所述显微镜的俯视观察下移动所述待检测样品，保持所述待切点与所述定位坐标的X轴对齐，并使所述待切点与所述定位坐标的Y轴对齐，定位出所述待检测样品的切片位置；步骤S6：根据所述待检测样品的切片位置在所述待检测样品上遮盖挡片，仅露出所述待检测样品的所述待切点的部分；步骤S7：退出所述显微镜，对所述待检测样品的所述待切点的部分进行切片。本专利技术截面抛光仪的切片方法，通过对待检测样品的两次旋转，可以对待检测样品的侧表面位置轴心定位后回归到平面状态再次轴心同步，从而对位于待检测样品的侧表面的待切点实现精确定位。在本专利技术的一个较佳实施方式中，上述步骤S3中，在所述显微镜的俯视观察下移动所述待检测样品，使所述待切点在所述显微镜的观察视角内与所述定位坐标的X轴对齐，包括：在所述显微镜的观察视角内上下移动所述待检测样品，使所述待切点在所述显微镜的观察视角内与所述定位坐标的X轴对齐。在本专利技术的一个较佳实施方式中，上述步骤S5中，在所述显微镜的俯视观察下移动所述待检测样品，保持所述待切点与所述定位坐标的X轴对齐，并使所述待切点与所述定位坐标的Y轴对齐，定位出所述待检测样品的切片位置，包括：在所述显微镜的观察视角内左右移动所述待检测样品，保持所述待切点与所述定位坐标的X轴对齐，并使所述待切点与所述定位坐标的Y轴对齐，定位出所述待检测样品的切片位置。在本专利技术的一个较佳实施方式中，上述步骤S6中，根据所述待检测样品的切片位置在所述待检测样品上遮盖挡片，仅露出所述待检测样品的所述待切点的部分，包括：将所述挡片的边缘与所述待切点的位置对齐，仅露出所述待检测样品的所述待切点的部分。在本专利技术的一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种截面抛光仪的切片方法，待检测样品的待切点位于所述待检测样品的侧表面，其特征在于，所述切片方法包括：将截面抛光仪的显微镜设置于所述待检测样品的上方，所述显微镜上设有定位坐标，所述定位坐标包括相互垂直的X轴和Y轴，所述定位坐标的X轴垂直于所述待检测样品上具有所述待切点的侧表面，所述定位坐标的Y轴平行于所述待检测样品上具有所述待切点的侧表面；将所述待检测样品由初始的水平状态旋转至竖直状态，使所述待检测样品上具有所述待切点的侧表面的方向朝上；在所述显微镜的俯视观察下移动所述待检测样品，使所述待切点与所述定位坐标的X轴对齐；将所述待检测样品由竖直状态旋转至初始的水平状态，使所述待检测样品上具有所述待切点的侧表面复原到初始状态；在所述显微镜的俯视观察下移动所述待检测样品，保持所述待切点与所述定位坐标的X轴对齐，并使所述待切点与所述定位坐标的Y轴对齐，定位出所述待检测样品的切片位置；根据所述待检测样品的切片位置在所述待检测样品上遮盖挡片，仅露出所述待检测样品的所述待切点的部分；退出所述显微镜，对所述待检测样品的所述待切点的部分进行切片。

【技术特征摘要】
1.一种截面抛光仪的切片方法，待检测样品的待切点位于所述待检测样品的侧表面，其特征在于，所述切片方法包括：将截面抛光仪的显微镜设置于所述待检测样品的上方，所述显微镜上设有定位坐标，所述定位坐标包括相互垂直的X轴和Y轴，所述定位坐标的X轴垂直于所述待检测样品上具有所述待切点的侧表面，所述定位坐标的Y轴平行于所述待检测样品上具有所述待切点的侧表面；将所述待检测样品由初始的水平状态旋转至竖直状态，使所述待检测样品上具有所述待切点的侧表面的方向朝上；在所述显微镜的俯视观察下移动所述待检测样品，使所述待切点与所述定位坐标的X轴对齐；将所述待检测样品由竖直状态旋转至初始的水平状态，使所述待检测样品上具有所述待切点的侧表面复原到初始状态；在所述显微镜的俯视观察下移动所述待检测样品，保持所述待切点与所述定位坐标的X轴对齐，并使所述待切点与所述定位坐标的Y轴对齐，定位出所述待检测样品的切片位置；根据所述待检测样品的切片位置在所述待检测样品上遮盖挡片，仅露出所述待检测样品的所述待切点的部分；退出所述显微镜，对所述待检测样品的所述待切点的部分进行切片。2.如权利要求1所述的截面抛光仪的切片方法，其特征在于，在所述显微镜的俯视观察下移动所述待检测样品，使所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏宇，
申请(专利权)人：宜特上海检测技术有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31