This application provides a OLED screen and manufacture method and display control method, which contains a number of pixels, the first cathode and a second cathode, and, for each pixel, the first part of a cathode and a second cathode cover respectively connected to the pixel, the pixel is respectively connected with the cover the first and the second cathode cathode. For the pixel, only the pixel holes in the receiving electronic, the pixel will shine, and cover is connected with the first part of the cathode can only obtain electrons from the cathode of the pixels in the first connection, covering the second pixels in the cathode part can only obtain the second electrons from the cathode, so through the first second of the cathode and the cathode pixel can improve the luminous part, screen PPI, and avoid the existing technology in improving the screen caused by PPI screen function of castration and increase of production cost and poor display effect etc..
【技术实现步骤摘要】
一种OLED屏幕及制造方法以及显示控制方法
本申请涉及半导体领域,尤其涉及一种OLED屏幕及制造方法以及显示控制方法。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED),由于具有可主动发光、体积小、视角范围大、响应速度快、宽色域、工作温度范围广等特点而受到屏幕生产厂商的喜爱,并且越来越多的屏幕生产厂商也开始采用基于OLED的显示方式来生产屏幕(即,OLED屏幕)。由于屏幕的分辨率越高,屏幕的显示效果就越好,所以人们对屏幕分辨率的要求也越高。而随着技术的进步,现在传统OLED屏幕的像素密度(PixelsPerInch,PPI)已经可以轻松达到300PPI左右,而这已经无法满足人门对于高分辨率屏幕的需求。于是,在现有技术中,人们开始采用以下四种方法来提高屏幕的PPI。第一种,通过减少单个像素点(即,红色发光点、绿色发光点和蓝色发光点)中的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)数量,以减少每个像素点的大小,从而使单位面积上的像素点增加;第二种,提高各器件以及电路的制造工艺,尽量使各器件以及电路更加精细,(如,将电路走线宽度从5微米降为3微米)从而使各像素点的大小减小;第三种,将像素点中的金属绝缘层半导体结构(Metal-Insulator-Semiconductor,MIS)电容替换为体积更小的金属绝缘层金属结构(Metal-Insulator-Metal,MIM)电容;第四种,通过改变像素点中子像素点的排列方式(如,Pentile排列方式)从而实现更高的屏幕PPI。但是,第一种方法可能导致复杂功能难 ...
【技术保护点】
一种OLED屏幕,其特征在于,包括:若干像素点(103)、第一阴极(101)以及第二阴极(102),其中:针对每一个像素点(103),该像素点(103)与所述第一阴极(101)以及所述第二阴极(102)连接;所述第一阴极(101)覆盖连接于该像素点(103)的一部分,所述第二阴极(102)覆盖连接与所述像素点(103)的另一部分。
【技术特征摘要】
1.一种OLED屏幕,其特征在于,包括:若干像素点(103)、第一阴极(101)以及第二阴极(102),其中:针对每一个像素点(103),该像素点(103)与所述第一阴极(101)以及所述第二阴极(102)连接;所述第一阴极(101)覆盖连接于该像素点(103)的一部分,所述第二阴极(102)覆盖连接与所述像素点(103)的另一部分。2.如权利要求1所述的OLED屏幕,其特征在于,所述OLED屏幕还包括:基底(106)、薄膜晶体管TFT电路(105)、阳极(104)、以及封装层(107),其中:所述基底(106)用于承载所述TFT电路(105)、阳极(104)、若干像素点(103)、第一阴极(101)、第二阴极(102)以及封装层(107);所述TFT电路(105)用于驱动所述阳极(104)使所述像素点(103)内产生空穴;所述第一阴极(101)和所述第二阴极(102)用于向所述像素点(103)传输电子;当所述像素点(103)中的空穴接收到电子时,所述像素点(103)发光;所述封装层(107),用于将所述薄膜晶体管TFT电路(105)、阳极(104)、若干像素点(103)、第一阴极(101)以及第二阴极(102)封装在所述基底(106)上。3.如权利要求1所述的OLED屏幕,其特征在于,针对每一个像素点(103),当该像素点(103)中的空穴接收到所述第一阴极(101)输送的电子时,该像素点(103)覆盖连接有所述第一阴极(101)的部分发光;当该像素点(103)中的空穴接收到所述第二阴极(102)输送的电子时,该像素点(103)覆盖连接有所述第二阴极(102)的部分发光。4.如权利要求1所述的OLED屏幕,其特征在于,针对每一个像素点(10...
【专利技术属性】
技术研发人员:葛泳,朱涛,刘玉成,于锋,唐静,袁春芳,
申请(专利权)人:昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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