The invention discloses a method for preparing an osmium film resistor type atomic oxygen density sensor chip, which comprises the following steps: (1) of the substrate, the substrate fixing plate, osmium membrane mask and line electrode mask respectively in acetone, ethanol and deionized water ultrasonic cleaning; (2) the fixed on the fixed plate substrate after cleaning the substrate after cleaning, the line of osmium membrane after cleaning the mask cover on the substrate, deposition of osmium film line on the substrate by magnetron sputtering; (3) substrate remove the osmium membrane mask plate and the wire electrode after cleaning the mask plate covered with osmium membrane line in the deposition, deposition of copper films by magnetron sputtering at both ends in line or gold osmium membrane membrane; (4) a line on the deposition of osmium membrane and substrate deposited copper film or gold film of low temperature heat treatment under vacuum, and then cooling in the furnace. The chip. The preparation method and the process are simple, and the surface of the osmium film in the chip prepared by the method is smooth and has no microcracks, and the thickness is large.
【技术实现步骤摘要】
锇膜电阻型原子氧密度传感器芯片的制备方法
本专利技术涉及原子氧密度传感器
,尤其涉及一种锇膜电阻型原子氧密度传感器芯片的制备方法。
技术介绍
在近地轨道空间环境原子氧探测技术中,锇膜电阻型原子氧通量密度传感器是综合性能最佳的探测方案。该传感器相较其他测试方法(如石英晶体微天平等)和其他测试介质(如银和石墨)优势明显,具有反应速率较慢,反应速率呈线性、测量误差小等优点,适合长期暴露在空间环境中进行探测。目前,锇膜电阻型原子氧通量密度传感器中所用的锇膜通常是采用电镀或等离子体蒸镀等方法制备。然而,采用电镀、等离子体蒸镀等方法制备出的锇膜或容易开裂或厚度太小且表面不更平整,影响锇膜电阻型原子氧密度传感器的性能,并且工艺复杂、操作繁琐,难以满足原子氧探测的使用要求。因此,目前亟需一种表面光滑平整、无微裂纹且厚度较大的锇膜线制备工艺,从而满足我国航天空间原子氧环境探测的需求。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是,克服以上
技术介绍
中提到的不足和缺陷,提供一种锇膜电阻型原子氧密度传感器芯片的制备方法,通过该制备方法制备得到的传感器芯片中锇膜表面平整、无微裂纹且厚度较大。为解决上述技术问题,本专利技术提出的技术方案为:一种锇膜电阻型原子氧密度传感器芯片的制备方法,包括以下步骤:(1)将基片、基片固定板、锇膜线掩膜板和电极掩膜板分别依次在丙酮、酒精和去离子水中超声振荡清洗;(2)将经清洗后的基片固定在清洗后的基片固定板上,将经清洗后的锇膜线掩膜板盖在基片上,通过磁控溅射的方法在基片上沉积一层锇膜线,所述磁控溅射的单位面积功率控制在3.54W/cm2-14.15W ...
【技术保护点】
一种锇膜电阻型原子氧密度传感器芯片的制备方法,包括以下步骤:(1)将基片、基片固定板、锇膜线掩膜板和电极掩膜板分别依次在丙酮、酒精和去离子水中超声振荡清洗;(2)将经清洗后的基片固定在清洗后的基片固定板上,将经清洗后的锇膜线掩膜板盖在基片上,通过磁控溅射的方法在基片上沉积一层锇膜线,所述磁控溅射的单位面积功率控制在3.54W/cm
【技术特征摘要】
1.一种锇膜电阻型原子氧密度传感器芯片的制备方法,包括以下步骤:(1)将基片、基片固定板、锇膜线掩膜板和电极掩膜板分别依次在丙酮、酒精和去离子水中超声振荡清洗;(2)将经清洗后的基片固定在清洗后的基片固定板上,将经清洗后的锇膜线掩膜板盖在基片上,通过磁控溅射的方法在基片上沉积一层锇膜线,所述磁控溅射的单位面积功率控制在3.54W/cm2-14.15W/cm2,溅射时间控制在2-6h;(3)取出锇膜线掩膜板并将经清洗后的电极掩膜板盖在沉积有锇膜线的基片上,通过磁控溅射的方法在锇膜线的两端沉积铜膜或金膜,所述磁控溅射的单位面积功率控制在3.54W/cm2-14.15W/cm2,溅射时间控制在2-6h;(4)对沉积有锇膜线并且沉积有铜膜或金膜的基片在真空条件下进行低温热处理,所述低温热处理的处理温度控制在200-500℃,保温时间控制在5-15h,然后随炉冷却,即得锇膜电阻型原子氧密度传感器芯片。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中,所述磁控溅射的单位面积功率控制在5.31W/cm2-5.66W/cm2,溅射时间控制在3-5h;所述步骤(3)中,所述磁控溅射的单位面积功率控制在4.24W/cm2-4.60W/cm2,溅射时间控制在3-5h;所述步骤(4)中,所述低温热处理的处理温度控制在250-350℃,保温时间控...
【专利技术属性】
技术研发人员:周科朝,魏秋平,郭曜华,易忠,刘向鹏,马莉,余志明,
申请(专利权)人:中南大学,
类型:发明
国别省市:湖南,43
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