无镉核壳量子点及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种无镉核壳量子点及其制备方法。所述无镉核壳量子点包括量子点核，在所述量子点核表面连续生长形成的渐变过渡层，在所述渐变过渡层表面形成的外壳层，其中，所述渐变过渡层包含所述量子点核中的核阳离子、核阴离子和所述外壳层中的壳阳离子、壳阴离子；且所述无镉核壳量子点中，所述核阳离子、核阴离子的浓度从内往外依次减小，所述壳阳离子、壳阴离子的浓度从内往外依次增加。

Cadmium free core-shell quantum dots and preparation method thereof

The invention provides a cadmium free core-shell quantum dot and a preparation method thereof. The cadmium free quantum dots QDs including nuclear, in the transitional layer of the surface of the continuous growth of quantum dots core formation, transition layer formed on the surface of the shell layer, in which the gradient, the gradient transition layer contains the quantum dots in the nucleus nucleus cation, anion and the nuclear shell the shell shell layer, cation anion; and the cadmium free quantum dots, the concentration of cationic and anionic nuclear nuclear from inside to the outside is reduced, the concentration of cationic and anionic shell shell from inside to outside in order to increase.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于量子点合成
，尤其涉及一种无镉核壳量子点及其制备方法。
技术介绍
量子点由于具有荧光效率高、半峰宽窄、稳定性好等优点，备受人们的关注。然而，传统的高量子产率的量子点大都是基于镉元素制备获得，而镉元素是一种毒性较高的重金属元素，因此含镉量子点在一些领域的应用受到限制，如生物标记、电子产品等。目前关于无镉体系的量子点的研究，主要集中在铜铟硫(CuInS)、铜铟硒硫(CuInSeS)、磷化铟(InP)、硫化银(Ag2S)、硒化锌(ZnSe)等体系。但是，基于无重金属体系开发的量子点半峰宽较宽、荧光效率不高、稳定性不好，因此，无镉量子点的研究有待进一步加强。自文献报道以来，提高无镉量子点的荧光强度以及稳定性的方法，基本都是在量子核外再生长一层均匀的宽带隙壳来提高量子点的荧光强度以及稳定性。然而，该钝化壳大都采用一次生长过程生长形成，中间没有相应的过渡壳。这种生长方式造成壳与核之间的晶格适配较大，因此对量子点本身的荧光效率的提高有一定的限制，并且该法制备的量子点其半峰宽也不会改变。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种无镉核壳量子点及其制备方法，旨在解决现有的无镉量子点本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无镉核壳量子点，其特征在于，包括量子点核，在所述量子点核表面连续生长形成的渐变过渡层，在所述渐变过渡层表面形成的外壳层，其中，所述渐变过渡层包含所述量子点核中的核阳离子、核阴离子和所述外壳层中的壳阳离子、壳阴离子；且所述无镉核壳量子点中，所述核阳离子、核阴离子的浓度从内往外依次减小，所述壳阳离子、壳阴离子的浓度从内往外依次增加。

【技术特征摘要】
1.一种无镉核壳量子点，其特征在于，包括量子点核，在所述量子点核表面连续生长形成的渐变过渡层，在所述渐变过渡层表面形成的外壳层，其中，所述渐变过渡层包含所述量子点核中的核阳离子、核阴离子和所述外壳层中的壳阳离子、壳阴离子；且所述无镉核壳量子点中，所述核阳离子、核阴离子的浓度从内往外依次减小，所述壳阳离子、壳阴离子的浓度从内往外依次增加。2.如权利要求1所述的无镉核壳量子点，其特征在于，所述渐变过渡层包括依次在所述量子点核表面连续生长形成的第一过渡层和第二过渡层，其中，所述第一过渡层中含有核阳离子和核阴离子，第二过渡层中含有壳阳离子和壳阴离子。3.如权利要求1所述的无镉核壳量子点，其特征在于，包括CuInS2/CuxIn1-xS2/CuxZn1-xS2/ZnS、CuInSeS/CuxIn1-xSySe1-y/CuxIn1-xZnSeyS1-y/ZnS、InP/InxZn1-xP/ZnS、Ag2S/AgxZn1-xS/ZnS、ZnSe/ZnSexS1-x/ZnS、CuInS/CuxIn1-xSySe1-y/CuxIn1-xZnSySe1-y/ZnSexS1-x/ZnSe、CuInSeS/CuxIn1-xSeyS1-y/CuxIn1-xZnSeyS1-y/ZnSexS1-x/ZnSe、InP/InSexP1-x/InxZn1-xSeyP1-y/ZnSe、Ag2S/AgSxSe1-x/AgxZn1-xSySe1-y/ZnSe，其中，所述x、y的取值范围满足：0＜x＜1，0＜y＜1。4.一种无镉核壳量子点的制备方法，包括以下步骤：制备量子点核：提供核阳离子前驱体、核阴离子前驱体，制备量子点核；制备渐变过渡层：将所述量子点核、配体试剂和溶剂加入反应容器中，排气处理后，升温至120-300℃；在反应容器中加入核阳离子前驱体、核阴离子前驱体进行第一次反应；按照该方法依次进行第二次反应……第N1次反应，随着反应次数的增加，所述核阳离子前驱体和/或所述核阴离子前驱体的摩尔用量逐渐减少，且所述核阳离子前驱体、所述核阴...

【专利技术属性】
技术研发人员：程陆玲，杨一行，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44