The utility model relates to a temperature control system for a substrate heated by a lamp, which mainly solves the problem that the existing temperature control system can not control the surface temperature of the substrate. The invention provides a substrate temperature control system for lamp heating, which comprises a lamp tube, a substrate bracket and a power controller. The lamp heating temperature control system of the invention can control the substrate very well in the process in the reaction of substrate temperature, and can realize the continuous production of products, greatly improve the production capacity of the equipment, has a unique design, simple and easy, suitable for semiconductor devices at low temperature process, with good promotion prospects.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种灯加热的基片温控系统，属于半导体薄膜制备及应用
技术介绍
随着半导体行业的快速发展，薄膜制备设备在半导体行业中的比重越来越大，对薄膜沉积的温度要求越来越低。其中，PECVD设备在薄膜制备中占有很大的比重，而低温工艺的应用在PECVD设备中同样占有很大的比重，低温工艺中需要保证基片表面的温度低于表面所能承受的最高温度(一般不超过220℃)。因此保证低温工艺中基片表面的温度是一个非常重要的事情。目前，灯光加热系统在PECVD低温工艺中已经展开了应用。使得工艺中基片的温度保持低于所能承受的最高温度，提高薄膜制备的质量。传统温控系统采用电阻丝加热的方式，工艺过程中电阻丝加热的设定温度不变，随着反应的进行，基片表面的温度逐渐升高，因此只能通过分次沉积，缩短反应时间来达到控制基片表面温度的目的。这样会很大程度上地降低产能。
技术实现思路
本专利技术以解决上述问题为目的，主要解决现有加热盘温控系统无法控制基片表面温度的问题，提供一种灯加热的基片温控系统本专利技术采用灯光加热代替电阻丝加热的方式，只需要通过功率控制器来调节灯的功率，从而达到快速控制基片温度的目的。为实现上述目的，本专利技术采用下述技术方案：一种灯加热的基片温控系统，包括灯管、基片支架和功率控制器；所述灯管上方安装基片支架，所述功率控制器与灯管通过导线连接，使得基片表面的温升不超过工艺起始温度的3％。进一步地，所述温控系统的工艺温度小于350℃。进一步地，所述灯管为日光灯，功率为0-1200w。工作原理：本专利技术的灯加热的基片温控系统是采用控制灯的功率达到控制光强的目的，进而达到...
【技术保护点】
一种灯加热的基片温控系统，其特征在于，包括灯管、基片支架和功率控制器；所述灯管上方安装基片支架，所述功率控制器与灯管通过导线连接，使得基片表面的温升不超过工艺起始温度的3％。
【技术特征摘要】
1.一种灯加热的基片温控系统，其特征在于，包括灯管、基片支架和功率控制器；所述灯管上方安装基片支架，所述功率控制器与灯管通过导线连接，使得基片表面的温升不超过工艺起始温度的3％。2.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘忆军，吴围，于棚，
申请(专利权)人：沈阳拓荆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21
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