有机银络合物、其制造方法及其形成薄层的方法技术

本发明专利技术涉及一种有机银络合物、其制造方法及其形成薄层的方法。所述银络合物是新颖的有机银络合物，并且通过使银化合物与氨基甲酸铵化合物或碳酸铵化合物发生反应而制备。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种新颖的有机银络合物及其制备方法，所述有机银络 合物通过使银化合物与氨基甲酸铵化合物或碳酸铵化合物发生反应而制 备。10
技术介绍
跟据乌尔曼化学工业百科全书(Ullmann，s Encyclopedia of Ind. Chem.)第A24巻，107页(1993年)，银是具有抗氧化能力的贵金属，并 具有优异的导电性和导热性以及催化活性和抗菌活性。因此，银和银化 合物广泛用于合金、镀覆、药物、摄影、电学和电子装置、纤维、清洁 15齐l」、家用电器等等。银化合物可以用作有机化合物及聚合物合成时的催化剂。特别是由 于近来调整了铅在电学及电子电路中的用途，因此银在低电阻金属线路、 印刷电路板(PCB)、柔性印刷电路板(FPC)、用于射频识别(RFID)标签的 天线、等离子体显示板(PDP)、液晶显示器(TFT-LCD)、有机发光二极管 20 (OLED)、柔性显示器和作为金属图案或电极的有机薄膜晶体管(OTFT)中 的应用正在不断增长。银主要以包含银粉、粘合剂和溶剂的糊状物的形式使用。或者，诸 如硝酸银等银化合物与另一种化合物在水性溶液或有机溶剂中反应以获 得包含纳米颗粒的多种银化合物或有机银化合物。这些有机银化合物通 25过化学气相沉积(CVD)、等离子体气相沉积、溅射、电镀、光刻、电子束 技术、激光技术等用于形成金属图形。对于有机银络合物来说最常用的配位物是羧酸(Prog. Inorg. Chem.， 10,第233页(196S年))。然而，因为含有银的金属羧酸盐络合物通常对 光敏感、难以溶解在有机溶剂中(J.Chem. Soc.,(A).，第514页(1971年)， 美国专利5,534,312(1996年7月9日))并具有较高的分解温度，因此尽管 其易于制备但它们的应用仍受到限制。为解决此问题，已经在下列文献 中提出了若干方法J.Inorg.Nucl. Chem.，第40期，第1599页(1978年)、 Ang. Chem., Int. Ed. Engl.，第31期，第770页(1992年)、Eur. J. Solid State 5 Iuorg. Chem.，第32期，第25页(1995年)、J. Chem. Cryst.，第26期， 第99页(1996年)、Chem. Vapor Deposition,第7期，第111页(2001年)、 Chem. Mater.，第16期，第2021页(2004年)、美国专利5,705,661 (1998 年1月6日)和韩国专利2003-0085357 (2003年11月5日)。上述方法均 是使用具有长烷基链的羧酸化合物或包含胺化合物或膦化合物的方法。io然而，迄今为止已知的银衍生物有限并且具有的稳定性或溶解性不足。 此外，对于形成图案而言所述银衍生物的分解温度较高且分解缓慢。1948年公开的英国专利609,807中披露了如下的方法使碳酸铵或 氨基甲酸铵与过渡金属盐发生反应从而在生成二氧化碳时获得由氨配位 的过渡金属盐。该专利提到由氨配位的银络合物可通过上述方法制备。15然而，本专利技术人意外地发现当将碳酸铵或氨基甲酸铵添加至诸如氧化银 等银化合物中时，可以获得稳定的银络合物而不会生成二氧化碳。本发 明人还证实了银络合物可离析为固体并易于制成薄膜。本专利技术的银络合物的特征在于，由于它们可以在各种反应条件下制 备、具有优异的稳定性和溶解性、易于制成薄膜，因此能够容易地形成20金属图案，并在低温下分解，从而易于制成薄膜或粉末。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提供一种新颖的有机银络合物及其制备方法， 所述有机银络合物通过使银化合物与氨基甲酸铵化合物或碳酸铵化合物25发生反应而制备。本专利技术的另一个目的是提供一种新颖的有机银络合物及其制备方 法，所述有机银络合物具有优异的稳定性和溶解性并易于制成薄膜。本专利技术的又一目的是提供一种新颖的有机银络合物及其制备方法， 由于所述有机银络合物可在低温下分解因此其能够形成高浓度的金属 膜。附图说明图1是实施例1的银络合物的'H核磁共振(NMR)谱。图2是实施例1的银络合物的13C核磁共振谱。图3是实施例1的银络合物的红外(IR)光谱。图4是实施例1的银络合物的热重分析(TGA)热谱图。图5是实施例1的银络合物的差示扫描量热法(DSC)热谱图。图6是实施例23的银络合物的&核磁共振谱。图7是实施例23的银络合物的13C核磁共振谱。图8是实施例23的银络合物的红外光谱。图9是实施例23的银络合物的热重分析热谱图。图10是实施例23的银络合物的差示扫描量热法热谱图。图11是实施例24的银络合物的'H核磁共振谱。图12是实施例24的银络合物的13C核磁共振谱。图13是实施例24的银络合物的红外光谱。图14是实施例24的银络合物的热重分析热谱图。图15是实施例24的银络合物的差示扫描量热法热谱图。202具体实施例方式为实现上述目的，本专利技术人专利技术了一种新颖的有机银络合物，该有机银络合物是通过使由下式2表示的银化合物与由下式3、 4或5表示的氨基甲酸铵化合物或碳酸铵化合物发生反应而获得的络合物<formula>formula see original document page 8</formula><formula>formula see original document page 9</formula>其中，在式2中，n是l 4的整数，X是氧、硫、卣素、氰基、氰 酸根、碳酸根、硝酸根、亚硝酸根、硫酸根、磷酸根、硫氰酸根、氯酸 根、高'氯酸根、四氟硼酸根、乙酰丙酮根或羧酸根(例如，所述银化合物 5可以为氧化银、硫氰酸酸、硫化银、氯化银、氰化银、氰酸银、碳酸银、 硝酸银、亚硝酸银、硫酸银、磷酸银、高氯酸银、四氟硼酸银、乙酰丙 酮银、乙酸银、乳酸银、草酸银或其衍生物。考虑到反应性或后处理， 优选为氧化银或碳酸银，但并不限于此)，以及在式3 式5中，R,、 R2、 R3、 R4、 R5和R6各自独立地为氢、C广C30 io的脂肪族或脂环族垸基、芳基或芳烷基、具有取代基的烷基或芳基，其 中，R,和R2、以及R4和R5能够独立地形成包含或不包含杂原子的亚垸 基环、聚合物及其衍生物(尽管不对本专利技术进行限制，但优选的是R,和R4各自为C广d4的脂肪族烷基，并且R3、 R4、 R5和R6各自为氢或C广Cw的脂肪族烷基)。15 具体地说，在式3 式5中，R,、 R2、 R3、 R4、 Rs和R6各自独立地为氢、甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、戊基、己基、乙基 己基、庚基、辛基、异辛基、壬基、癸基、十二烷基、十六烷基、十八 烷基、二十二垸基、环丙基、环戊基、环己基、烯丙基、羟基、甲氧基、 甲氧基乙基、甲氧基丙基、氰基乙基、乙氧基、丁氧基、己氧基、甲氧20基乙氧基乙基、甲氧基乙氧基乙氧基乙基、六亚甲基亚胺、吗啉、哌啶、 哌嗪、乙二胺、丙二胺、六亚甲基二胺、三乙二胺、吡咯、咪唑、吡啶、 羧甲基、三甲氧基甲硅烷基丙基、三乙氧基甲硅垸基丙基、苯基、甲氧 基苯基、氰基苯基、苯氧基、甲苯基、苄基、及其衍生物、诸如聚烯丙 胺和聚乙烯亚胺等聚合物或其衍生物，但并不特别限于上述实例。25 以式3表示的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种银络合物，所述银络合物是通过使至少一种由下式２表示的银化合物与至少一种由下式３、４或５表示的氨基甲酸铵化合物或碳酸铵化合物发生反应而获得的络合物：　　　　Ａｇ↓［ｎ］Ｘ　　（２）　　　　其中，ｎ为１～４的整数，Ｘ是选自由氧、硫、卤素、氰基、氰酸根、碳酸根、硝酸根、亚硝酸根、硫酸根、磷酸根、硫氰酸根、氯酸根、高氯酸根、四氟硼酸根、乙酰丙酮根和羧酸根所组成的组的取代基；　　　　＊＊＊　　　　其中，Ｒ↓［１］、Ｒ↓［２］、Ｒ↓［３］、Ｒ↓［４］、Ｒ↓［５］和Ｒ↓［６］各自独立地为选自由氢、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［３０］的脂肪族或脂环族烷基、芳基或芳烷基、具有取代基的烷基或芳基所组成的组的取代基，其中，Ｒ↓［１］和Ｒ↓［２］、以及Ｒ↓［４］和Ｒ↓［５］能够独立地形成包含或不包含杂原子的亚烷基环、聚合物及其衍生物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑光春，赵显南，孔明宣，韩利燮，朴正滨，南东宪，严圣镕，徐永官，
申请(专利权)人：印可得株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]