发光性银络合物制造技术

通过使用具有有机多啮配位体的发光性银络合物，特别是通过使用利用磷原子、氮原子、氧原子、硫原子、砷原子、氧阴离子、氮阴离子、硫阴离子而配位的发光性银络合物或其聚合物，可以提供一种廉价且在氧存在下的耐久性优异的发光元件材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种发光性银络合物。
技术介绍
作为用于有机EL元件等的发光材料，受到期待的是以铱络合物为代表的使用了钼族金属的磷光发光络合物。然而，铱在钼族金属中也稀少，且价格非常昂贵。因此，对使用于成本方面有利的廉价金属的络合物进行了各种研究(非专利文献1)。然而，公知的廉价金属的络合物作为发光材料而言在氧存在下的耐久性并不充分。 Coord. Chem. Rev. 250, 2093-2126 (2006)
技术实现思路
本专利技术提供一种与钼族金属相比更为廉价、且作为发光材料而言在氧存在下的耐久性优异的银络合物。专利技术的效果根据本专利技术，具有包含有机二啮配位体的2种以上有机配位体的发光性银络合物，可成为发光特性优异的发光元件的材料。另外，本专利技术的发光性银络合物，即便在混合于高分子材料等介质中而形成发光体，并以1对电极夹持该发光体而形成发光元件的情况下，发光效率优异，故适合用作发光元件的材料。进而，本专利技术的发光性银络合物，作为发光材料在氧存在下的耐久性较高。S卩，可表现出持续性优异的发光特性。具体实施例方式本专利技术的发光性银络合物是用式(1)所表示的银络合物。(Ag+) (L1)a(L2)b(X1)k (1)此处，L1为具有2个可配位于Ag+的选自磷原子、氮原子、氧原子、硫原子及砷原子中的原子的分子。L2为具有1个或2个选自磷原子、氮原子、氧原子、硫原子、砷原子、氧阴离子及硫阴离子中的原子和/或离子作为可配位于Ag+的原子和/或离子的分子。L1及L2 的任意一个具有至少1个可配位于Ag+的磷原子，且L1及L2互不相同。X1为阴离子，在L2 为仅具有1个可配位于Ag+的原子的分子的情况下，X1为卤化物离子。a及b独立地为小于 2. 0的正数。k为0以上、1. 5以下的数。在以式(1)所表示的银络合物中，L1优选配位于Ag+，可作为单啮配位体而配位于 Ag+，或作为二啮配位体而配位于Ag+，但更优选作为二啮配位体而配位于Ag+。L1的碳数通常为2 300，优选3 200，更优选4 150，进一步优选6 100，特别优选10 80。优选L1为具有2个磷原子和/或氧化膦的氧原子作为可配位于Ag+的原子的分子，可列举以下的例子。权利要求1.一种发光性银络合物，其中，其是用组成式(1)表示的发光性银络合物， (Ag+) (L1)a(L2)b(X1)k (1)式中，L1为具有2个可配位于Ag+的选自磷原子、氮原子、氧原子、硫原子及砷原子中的原子的分子；L2为具有1个或2个选自磷原子、氮原子、氧原子、硫原子、砷原子、氧阴离子及硫阴离子中的原子和/或离子作为可配位于Ag+的原子和/或离子的分子；L1及L2的至少一方具有至少1个可配位于Ag+的磷原子，L1及L2互不相同；在X1为阴离子，L2为仅具有 1个可配位于Ag+的原子的分子的情况下，X1为卤化物离子；a及b独立地为小于2. 0的正数；k为0以上、1.5以下的数。2.如权利要求1所述的发光性银络合物，其中，在组成式(1)中，L1具有2个可配位于Ag+的磷原子。3.如权利要求2所述的发光性银络合物，其中， 在组成式(1)中，L1是式(A)所表示的分子 Q1-R1-Q1(A)式中，Q1为-P(R11)2iR11为可以被取代的烃基，4个R11可以相同或不同，4个R11中的任意2个可以键合而形成环；R1为二价基团。4.如权利要求3所述的发光性银络合物，其中，在式㈧中，R11为可以被取代的芳基，4个R11可以分别相同或不同，4个R11中的任意 2个可以键合而形成环，R1为可以被取代的下述rl rl2所表示的二价基团5.如权利要求4所述的发光性银络合物，其中，在式㈧中，R11为可以被取代的苯基，4个R11可以分别相同或不同，R1为可以被取代的以下述rl'、r5'、r6'、rl0'或rl2'所表示的二价基团6.如权利要求1至5中任一项所述的发光性银络合物，其中，所述络合物用组成式(3) (6)中的任意一个来表示(Ag+)(L3)dH(X2)f] (3)式中，L3与所述L1同义；L4为仅具有1个磷原子、氮原子、氧原子、硫原子或砷原子作为可配位于Ag+的原子的分子；X2为卤化物离子；d' 1及e' 1分别独立地为小于2.0的正数，f' 1为1.5以下的正数；(Ag+) (L5)d, 2(L6)e’2(X3)f’2 (4)式中，L5与所述L1同义；L6是可配位于Ag+的一个原子为磷原子、氮原子、氧原子、硫原子或砷原子且可配位于Ag+的另一个原子为磷原子、氧原子、硫原子或砷原子的分子，其与 L5互不相同；X3为阴离子；d' 2及e' 2分别独立地为小于2.0的正数，f' 2为0以上、 1.5以下的数；(Ag+) (L7)d-3 (L8)6'3 (X4)f'3 (5)式中，L7与所述L1同义；L8为具有2个可配位于Ag+的氮原子的分子；X4为阴离子；d' 3 及e' 3分别独立地为小于2.0的正数，f' 3为0以上、1.5以下的数；(Ag+) (L9)dM (L10)6m(6)式中，L9与所述L1同义；Lki是可配位于Ag+的一个原子为可配位于Ag+的磷原子、氮原子、氧原子、硫原子或砷原子且可配位于Ag+的另一个离子为氧阴离子或硫阴离子的分子； d' 4及e' 4独立地为小于2.0的正数。7.如权利要求6所述的发光性银络合物，其中，所述络合物是用组成式(3)表示的发光性银络合物，且L4是用？0 21°)3、则炉2°)3、可以被取代的含氮杂环化合物分子、O(R230) 2 , S(R240) 2, R250-CO2H, R260-OH, R270-CN, R28tl-SH 或 R29tl-SO3HK表示的分子，R210, R22°、R23°、R24°、R25°、R26°、广、R280及R29°分别独立地为氢原子、或者可以被取代的烃基，3个R21°、3个R22°、2个R23q及2个R24tl可以分别相同或不同，3个R21q中的2个可以键合而形成环，3个R22°中的2个可以键合而形成环，2个R23°可以键合而形成环，2个R24°可以键合而形成环。8.如权利要求7所述的发光性银络合物，其中，L4为P(R21tl)3、或者可以被取代的含氮杂环化合物分子，R210为可以被取代的芳基，3个 R210可以分别相同或不同，3个R21°中的2个可以键合而形成环。9.如权利要求8所述的发光性银络合物，其中，L4为P(R21tl)3, R210为可以被取代的苯基，3个R21tl可以分别相同或不同，3个R21°中的2 个可以键合而形成环。10.如权利要求6所述的发光性银络合物，其中，所述络合物是用组成式(3)表示的发光性银络合物，且L3是用下述中的任一式表示的分子，11.如权利要求10所述的发光性银络合物，其中，所述络合物是用组成式(3)表示的发光性银络合物，且L3是用al a4、a6 al3、 al6 al7及a25 a33中的任一式所表示的分子，L4是用kl klO中的任一式所表示的分子。12.如权利要求9所述的发光性银络合物，其中， d' Ue' 1及f' 1分别独立地为0. 5 1. 5。13.如权利要求11所述的发光性银络合物，其中， d' Ue' 1及f' 1分别独立地为0. 5 1. 5。14.本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光性银络合物，其中，其是用组成式（１）表示的发光性银络合物，［化１］（Ａｇ＋）（Ｌ１）ａ（Ｌ２）ｂ（Ｘ１）ｋ　　　　（１）式中，Ｌ１为具有２个可配位于Ａｇ＋的选自磷原子、氮原子、氧原子、硫原子及砷原子中的原子的分子；Ｌ２为具有１个或２个选自磷原子、氮原子、氧原子、硫原子、砷原子、氧阴离子及硫阴离子中的原子和／或离子作为可配位于Ａｇ＋的原子和／或离子的分子；Ｌ１及Ｌ２的至少一方具有至少１个可配位于Ａｇ＋的磷原子，Ｌ１及Ｌ２互不相同；在Ｘ１为阴离子，Ｌ２为仅具有１个可配位于Ａｇ＋的原子的分子的情况下，Ｘ１为卤化物离子；ａ及ｂ独立地为小于２．０的正数；ｋ为０以上、１．５以下的数。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林宪史，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP