非布司他新型晶体及其制备方法技术

本发明专利技术涉及晶体晶型的控制技术，更具体而言，涉及一种非布司他的新型晶体（定义为晶型Ｋ）及其制备方法。该晶型晶体的Ｘ射线粉末衍射图在反射角２θ在为５．６４±０．２，７．８０±０．２，１１．３８±０．２，１１．７０±０．２，１２．５４±０．２，１２．７４±０．２，１７．１８±０．２和２６．１２±０．２°处具有特征峰。其制备方法包括：非布司他在１，４－二氧六环中加热溶解后，或者非布司他在１，４－二氧六环与选自正己烷、石油醚和环己烷中的一种溶剂的混合溶剂中加热溶解后，冷却结晶，得到非布司他晶型Ｋ晶体。本发明专利技术的晶型Ｋ晶体在正常存储条件下具有很好的稳定性，且其制备过程中所用的溶剂安全性高，非布司他在１，４－二氧六环构成的溶剂系统中易生成结晶，所得结晶纯度高，更有利于产品开发。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
非布司它晶型Ｋ晶体，其特征是：　在如下测试条件下：　Ｘ射线管：Ｃｕ－Ｋα靶　Ｘ射线波长：１．５４０５６＊　管压：４０ＫＶ　管电流：６０ｍＡ　扫描角度：２．５°～５０°　扫描速度：４°／ｍｉｎ　该晶型晶体的Ｘ射线粉末衍射图在反射角２θ在为５．６４±０．２，７．８０±０．２，１１．３８±０．２，１１．７０±０．２，１２．５４±０．２，１２．７４±０．２，１７．１８±０．２和２６．１２±０．２°处具有特征峰。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邓斐，张金生，
申请(专利权)人：中国科学院上海药物研究所，江苏正大天晴药业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]