本发明专利技术公开了一种中大口径非球面光学元件高效高精度先进制造技术工艺流程，包括如下流程：A、粗磨、B、精密磨削、C、等离子体快速抛光、D、小工具数控抛光、E、磁流变抛光。A、粗磨，可去除大部分加工余量，提高加工效率； B、精密磨削加工，磨削后满足基本的非球面形状精度； C、等离子体快速抛光，在保持元件面形精度的前提下，提高表面质量，形成光学表面；D、小工具数控抛光，提高元件面形精度，去除大部分抛光余量； E、磁流变抛光，提高面形精度、降低表面粗糙度，达到符合元件面型精度要求的技术指标。本发明专利技术的加工工艺流程可实现中大口径非球面光学元件高精度、可控、高效加工，具有缩短加工周期，批量生产的优点。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及“一种中大口径非球面光学元件高效高精度先进制造技术工艺流程”，特别适用于口径大于330毫米×330毫米以上的中大口径非球面光学元件超精密加工。
技术介绍
中大口径非球面的制造非常复杂，国外在中大口径非球面光学元件加工
，先后发展了超精密磨削技术、确定性平面面形数控抛光技术、非球面小工具数控抛光技术、磁流体抛光技术、等离子体抛光技术、离子束抛光技术等新技术。已经掌握了相关工艺设备、单项工艺技术及应用的工艺技术。我国中大口径光学元件制造工艺装备普遍比较落后，大量采用单轴摆式的古典法研磨系统，加工精度极度依赖于技术人员的经验，产品精度重复性较差、效率低，加工一片Φ500毫米非球面镜需要半年以上时间。二十世纪九十年代以后引进了一批较先进的加工设备，初步具备了非球面光学元件的制造能力，但加工尺寸范围比较小（Φ300毫米以下），只适合加工中小口径非球面光学元件。所查相关文献中，有关于非球面光学元件加工工艺方面的研究报导，其中涉及到磨削、大气等离子体抛光、磁流变抛光等文献报导。陈建平等在“中国激光”发表文献“大口径非球面镜加工建模与控制技术”文献、韩成顺等在“光电工程”发表文献“超精密磨削大型光学非球面元件的研究”、张学忱等在“工程图学学报”发表文献“基于轴对称非球面元件的加工模型研究”、李洁等在“金刚石与磨料磨具工程”发表文献“大口径方形非球面镜的高效磨削技术研究”、赵磊生等在“许昌学院学报”发表文献“大口径非球面光学元件磨削控制系统的研究”、吕寻可在“长春理工大学”发表文献“大口径光学非球面超精密磨削机床结构设计”、长春设备工艺研究所申请专利CN201310314323.3“一种应用于中大口径非球面光学元件的点线包络磨削方法”，以上文献中均提交采用磨削工艺技术。贺启强在“哈尔滨工业大学”发表文献“计算机控制大气等离子体光学加工方法研究”、哈尔滨工业大学申请专利CN201310177039.6“水电极大气等离子体加工大口径非球面光学零件的方法”，以上文献提及采用大气等离子体抛光技术。左巍等在“高陡度非球面光学元件加工技术研究”发表文献提及采用单点金刚石车削(DPT)、金刚石磨削、确定性微研磨(DMG)、磁流变抛光(MRF)和射流抛光等先进制造技术。程颢波等在“清华大学学报（自然科学版）”发表文献“磁流变抛光光学非球面元件表面误差的评价”、袁志刚等在“制造业自动化”发表文献“磁流变数控抛光技术研究”提及磁流变抛光技术。上述文献虽然提及国内加工大口径非球面光学元件在一些单项工艺设备、单项工艺技术方面具备了相关的研究基础，但是很多新技术还处于实验研究阶段。整套加工工艺不完善，缺少高效精密加工工艺和整套加工工艺规范，在工程应用方面工艺技术的成套性差、工程化程度低、制造质量和制造效率低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于：本专利技术要解决的技术问题是克服现有中大口径非球面光学元件加工工艺技术的成套性差、工程化程度低、制造质量和制造效率低的问题，提供一种中大口径非球面光学元件加工工的高效、高精度先进制造技术工艺流程。为解决上述技术问题，本专利技术提出的技术方案为：本专利技术的实施例选取口径为430毫米×430毫米非球面光学元件,其工艺流程为：A、粗磨、B、精密磨削、C、等离子体快速抛光、D、小工具数控抛光、E、磁流变抛光。A、粗磨，可去除大部分加工余量，提高加工效率，分为：粗磨修外形、粗磨形成非球面面形；B、精密磨削加工，分为：半精密磨削加工和精密磨削加工，采用包络磨削技术对粗磨后的光学元件进行精密磨削加工，磨削后满足基本的非球面形状精度，磨削加工后的面形精度≤4微米；A、粗磨以及B、精密磨削加工加工周期一共为5天；C、等离子体快速抛光，采用大气射流等离子体方法进行快速抛亮，去除磨削表面的缺陷，在保持元件面形精度的前提下，提高表面质量，形成光学表面，满足光学元件光学干涉检测的要求；等离子体快速抛光后的表面粗糙度Rq≤50纳米，加工周期为6天；D、小工具数控抛光，采用抛光模柔性控制技术,修整元件面形,提高元件面形精度，去除大部分抛光余量,抛光完后的面形精度≤λ/2（λ=0.6328微米）,Rq≤1.2纳米,加工周期为10天；E、磁流变抛光，采用磁流变抛光工艺技术精密抛光元件面形，提高面形精度、降低表面粗糙度，达到符合元件面型精度要求的技术指标,最终面形精度≤λ/10（PV值）、λ/70（RMS值），（λ=0.6328微米），表面粗糙度Rq≤1纳米,加工周期为4天。与现有技术相比，本专利技术的优点在于：针对口径大于330毫米×330毫米以上的非球面光学元件,本专利技术建立以粗磨—精密磨削—等离子体快速抛光—小工具数控抛光—磁流变抛光为工序的成套工艺流程,可实现中大口径非球面光学元件高精度、可控、高效加工,加工430×430毫米非球面光学元件，从磨削元件到抛光后最终面形精度达到0.1λ（PV值）（λ=0.6328微米），0.012λ（RMS值），表面粗糙度达到Rq0.96纳米；加工430×430毫米光学元件的整个工艺流程周期由8周（λ/4）缩短到5周(λ/10),并形成批量生产，达到工程化生产应用能力。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。图1是本专利技术的工艺流程图，也是本专利技术的主要技术方案图。具体实施方式以下结合说明书附图和具体实施例对本专利技术作进一步描述：参照图1，本专利技术的实施例选取口径为430毫米×430毫米的非球面光学元件,按如下工艺流程进行：A、粗磨，主要为了提高加工效率，去除大部分加工余量。分为：粗磨修外形、粗磨形成非球面面形。粗磨加工分为两次加工：（1）第一次粗磨修外形主要是整体加工出非球面的外形轮廓：采用80#金属结合剂金刚石砂轮进行磨削加工，砂轮转速1327转/分，工件转速10转/分，切深0.2毫米，进给量10~30毫米/分，进给6次，磨削量1.2毫米。（2）第二次粗磨形成完整的非球面面形，进行面形检测，为后续半精磨提供检测及补偿数据：采用80#金属结合剂金刚石砂轮进行磨削加工，砂轮转速1327转/分，工件转速10转/分，切深0.2毫米~0.3毫米，进给量10~30毫米/分，0.2毫米切深进给16次，0.3毫米切深进给5次，最后空行走1次，磨削量4.7毫米。粗磨完成后，使用数字电感测微仪进行在位检测，测量路径为沿母线方向进行直线运动检测，面型检测符合要求转入精密磨削加工，不合格重新进行粗磨加工，直至合格为止。所需设备：自主研制的高精度、高刚性非球面磨削设备，数字电感测微仪。B、精密磨削加工，采用包络磨削技术对粗磨后的光学元件进行精密磨削加工，磨削后满足基本的非球面形状精度，磨削加工后的面形精度≤4微米。精磨加工分为两次加工：半精密磨削加工和精密磨削加工。（1）半精密磨削加工：采用91#金刚石砂轮进行半精密磨削加工，砂轮转速1327转/分、工件转速10转/分，切深0.05毫米~0.1毫米，进给量20毫米/分，0.05毫米切深本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种中大口径非球面光学元件高效高精度先进制造技术工艺流程，其特征在于：采用如下工艺流程： A、粗磨、B、精密磨削、C、等离子体快速抛光、D、小工具数控抛光、E、磁流变抛光；A、粗磨，可去除大部分加工余量，提高加工效率，分为：粗磨修外形、粗磨形成非球面面形；B、精密磨削加工，分为：半精密磨削加工和精密磨削加工，采用包络磨削技术对粗磨后的光学元件进行精密磨削加工，磨削后满足基本的非球面形状精度，磨削加工后的面形精度≤4微米；A、粗磨以及B、精密磨削加工加工周期一共为5天；C、等离子体快速抛光，采用大气射流等离子体方法进行快速抛亮，去除磨削表面的缺陷，在保持元件面形精度的前提下，提高表面质量，形成光学表面，满足光学元件光学干涉检测的要求；等离子体快速抛光后的表面粗糙度Rq≤50纳米，加工周期为6天；D、小工具数控抛光，采用抛光模柔性控制技术,修整元件面形,提高元件面形精度，去除大部分抛光余量,抛光完后的面形精度≤λ/2（λ=0.6328微米）,Rq≤1.2纳米,加工周期为10天；E、磁流变抛光，采用磁流变抛光工艺技术精密抛光元件面形，提高面形精度、降低表面粗糙度，达到元件的最终精度指标要求, 最终面形精度≤λ/10（PV值）、λ/70（RMS值），（λ=0.6328微米），表面粗糙度Rq≤1纳米,加工周期为4天。...
【技术特征摘要】
1.一种中大口径非球面光学元件高效高精度先进制造技术工艺流程，其特征在于：采用如下工艺流程：A、粗磨、B、精密磨削、C、等离子体快速抛光、D、小工具数控抛光、E、磁流变抛光；
A、粗磨，可去除大部分加工余量，提高加工效率，分为：粗磨修外形、粗磨形成非球面面形；
B、精密磨削加工，分为：半精密磨削加工和精密磨削加工，采用包络磨削技术对粗磨后的光学元件进行精密磨削加工，磨削后满足基本的非球面形状精度，磨削加工后的面形精度≤4微米；A、粗磨以及B、精密磨削加工加工周期一共为5天；
C、等离子体快速抛光，采用大气射流等离子体方法进行快速抛亮，去除磨削表面的缺陷，在保持元件面形精度的前提下，提高表面质量，形成光学表面，满足光学元件光学干涉检测的要求；等离子体快速抛光后的表面粗糙度Rq≤50纳米，加工周期为6天；
D、小工具数控抛光，采用抛光模柔性控制技术,修整元件面形,提高元件面形精度，去除大...
【专利技术属性】
技术研发人员：王大森，吴庆堂，聂凤明，郭波，吴焕，李珊，修冬，康战，段学俊，王凯，卢政宇，陈洪海，魏巍，王文渊，孙洪宇，王泽震，胡宝共，
申请(专利权)人：长春设备工艺研究所，
类型：发明
国别省市：吉林;22
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