一种硅通孔传感器及检测方法、电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种硅通孔传感器及检测方法、电子装置。硅通孔传感器，包括：硅通孔；至少两个环形振荡器阵列，镜像设置于所述硅通孔的两侧；其中，在远离所述硅通孔的方向上，每个所述环形振荡器阵列至少包括3个并列设置的环形振荡器，其中每个所述环形振荡器中包括若干个NMOS反相器或PMOS反相器，其中包括所述NMOS反相器的所述环形振荡器和包括所述PMOS反相器的所述环形振荡器交替设置。本发明专利技术为了解决现有技术中存在的问题提供了一种硅通孔传感器和检测方法，通过所述硅通孔传感器可以检测所述硅通孔中是否存在应力，同时还可以进一步检测是否存在离子扩散效应，通过所述检测可以对半导体器件进行评价，进一步提供了所述半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，具体地，本专利技术涉及一种硅通孔传感器及检测方法、电子装置。
技术介绍
在电子消费领域，多功能设备越来越受到消费者的喜爱，相比于功能简单的设备，多功能设备制作过程将更加复杂，比如需要在电路版上集成多个不同功能的芯片，因而出现了3D集成电路(integratedcircuit，IC)技术，3D集成电路(integratedcircuit，IC)被定义为一种系统级集成结构，将多个芯片在垂直平面方向堆叠，从而节省空间，各个芯片的边缘部分可以根据需要引出多个引脚，根据需要利用这些引脚，将需要互相连接的芯片通过金属线互联，但是上述方式仍然存在很多不足，比如堆叠芯片数量较多，而且芯片之间的连接关系比较复杂，会需要利用多条金属线，最终的布线方式比较混乱，而且也会导致体积增加。因此，目前在所述3D集成电路(integratedcircuit，IC)技术中大都采用硅通孔(ThroughSiliconVia，TSV)，硅通孔是一种穿透硅晶圆或芯片的垂直互连，TSV的制备方法可以在硅晶圆上以蚀刻或雷射方式钻孔(via)，再以导电材料如铜、多晶硅、钨等物质填满，从而实现不同硅片之本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅通孔传感器，包括：硅通孔；至少两个环形振荡器阵列，镜像设置于所述硅通孔的两侧；其中，在远离所述硅通孔的方向上，每个所述环形振荡器阵列至少包括3个并列设置的环形振荡器，其中每个所述环形振荡器中包括若干个NMOS反相器或PMOS反相器，其中包括所述NMOS反相器的所述环形振荡器和包括所述PMOS反相器的所述环形振荡器交替设置。

【技术特征摘要】
1.一种硅通孔传感器，包括：硅通孔；至少两个环形振荡器阵列，镜像设置于所述硅通孔的两侧；其中，在远离所述硅通孔的方向上，每个所述环形振荡器阵列至少包括3个并列设置的环形振荡器，其中每个所述环形振荡器中包括若干个NMOS反相器或PMOS反相器，其中包括所述NMOS反相器的所述环形振荡器和包括所述PMOS反相器的所述环形振荡器交替设置。2.根据权利要求1所述的硅通孔传感器，其特征在于，所述硅通孔传感器包括四个环形振荡器阵列，分别镜像设置于所述硅通孔的上下两侧和左右两侧。3.根据权利要求1所述的硅通孔传感器，其特征在于，所述每个所述环形振荡器中至少包含两个由所述NMOS反相器组成的第一环形振荡器和一个由PMOS反相器组成的第二环形振荡器。4.根据权利要求3所述的硅通孔传感器，其特征在于，所述第一环形振荡器位于靠近所述硅通孔的一侧，并且所述第一环形振荡器中的反相器的栅极结构的延伸方向平行于所述硅通孔；在所述第一环形振荡器的外侧依次设置有所述第二环形振荡器和附加的第一环形振荡器；其中，所述第二环形振荡器和所述附加的第一环形振荡器中的反相器的栅极结构的延伸方向垂...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯军宏，甘正浩，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31