【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造
,特别涉及一种梯度压力模式改善膜厚均一性的方法。
技术介绍
浅沟槽隔离(ShallowTrenchIsolation,STI)线性氧化层(lineroxidation)是半导体器件制造过程中的关键工艺步骤。该浅沟槽隔离线性氧化层具有修补浅沟槽刻蚀造成的基材损伤,以及圆化浅沟槽刻蚀工艺造成的尖角的作用。因此,浅沟槽隔离线性氧化层的质量对于器件稳定性和可靠性有很大的影响,在该工艺步骤中对浅沟槽隔离线性氧化层的膜厚厚值及均一性有很高的要求。浅沟槽隔离线性氧化层形成的工艺步骤是在原位气体产生(In-situSteamGeneration,ISSG)设备上进行。ISSG工艺中的气体由于在控片(即晶圆)表面形成反应的活性离子,因此可以得到高质量的氧化膜;而且ISSG的工艺过程温度的敏感性相比快速热氧化(RapidThermalOxide,RTO)工艺中要小,更重要的是它能保持在晶圆上(WithInWafer,WIW)的温度均一性。图1是ISSG设备反应腔体的简化结构示意图;请参考图1,反应腔体100内的气体103压力控制通过进气口101和排气口102之间的压力差控制。现有技术中渗透(Soak)工艺反应阶段的压力模式采用恒压的方式,由于压力对控片边缘的影响较大,因此该恒压值一般根据所需膜厚及均一性的要求使用多个控片(MonitorWafer)进行调节确认。这种方法一般都需要经过多次试验,才能得到 ...
【技术保护点】
一种梯度压力模式改善膜厚均一性的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1,采用原位气体产生设备;步骤S2,在控片的渗透工艺反应阶段将所述原位气体产生设备的气体压力采用梯度压力模式对浅沟槽隔离形成线性氧化层。
【技术特征摘要】
1.一种梯度压力模式改善膜厚均一性的方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S1,采用原位气体产生设备;
步骤S2,在控片的渗透工艺反应阶段将所述原位气体产生设备的气体压力
采用梯度压力模式对浅沟槽隔离形成线性氧化层。
2.如权利要求1所述的梯度压力模式改善膜厚均一性的方法,其特征在于,
所述控片为一片。
3.如权利要求1所述的梯度压力模式改善膜...
【专利技术属性】
技术研发人员:陆叶涛,
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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