间歇水热法制备二氧化锡纳米粉体的工艺制造技术

本发明专利技术涉及二氧化锡粉体制备领域，具体是间歇水热法制备二氧化锡纳米粉体的工艺，其包括将SnCl4·5H2O溶于去离子水中配制成溶液；溶液置于恒温水浴中，向溶液滴加氨水，搅拌反应生成Sn（OH）4溶胶；将Sn（OH）4溶胶用去离子水洗涤后进行离心分离，再将分离所得沉淀物超声分散，得到前驱体；将前躯体置于高压水热反应釜中进行水热反应；将水热反应产物洗涤后离心分离，再将离心分离的沉淀物干燥，得到二氧化锡纳米粉体。本发明专利技术通过SnCl4和氨水制备二氧化锡前驱体，并对前躯体进行除氯离子和分散，为制备二氧化锡纳米打下坚实的基础；同时，本发明专利技术通过对水热过程中工艺参数的合理控制，制备出粒径较小且分布均匀的纳米产品，提高了化学性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及二氧化锡粉体的制备领域，具体说是间歇水热法制备二氧化锡纳米粉体的工艺。
技术介绍
目前，纳米二氧化锡已经成为纳米材料的研究热点之一。二氧化锡纳米粉体获得高效而广泛应用的前提是采取可靠有效的工艺参数及制备方法对制备二氧化锡纳米粉体的结构、粒度、形貌、粒度分布等微观特性进行有目的的调控，进而满足其在特定领域的应用要求；而提高二氧化锡纳米粉体的各项应用性能的有效途径是制备粒径较小的纳米粉体。通常纳米粉体的粒径对其光学性能有着显著的影响，当纳米粉体粒径小于20nm时，纳米粉体具有很好的光学性能，即量子尺寸效应会影响纳米粉体的光学性能，使光吸收谱发生蓝移，半导体禁带宽度增大。二氧化锡纳米材料是少数几种易于实现量子尺寸效应的氧化物半导体之一，当制备得到的二氧化锡粉体尺寸接近其波尔半径时，具有明显的量子尺寸效应。现有有关二氧化锡纳米粉体制备方法的研究很多，包括固相法、气相法和液相法等，其中液相法具有成本低、反应条件温和、操作简单等优点，被广泛采用。液相法制备二氧化锡纳米微粒通常包括前驱体制备和晶化两个步骤，而前躯体制备和晶化过程的工艺参数均对本文档来自技高网...

【技术保护点】
间歇水热法制备二氧化锡纳米粉体的工艺，包括以下步骤：（1）将SnCl4·5H2O溶于去离子水中配制成溶液；（2）将上述溶液置于恒温水浴中，并向该溶液中滴加氨水，搅拌反应生成Sn（OH）4溶胶；（3）将Sn（OH）4溶胶用去离子水洗涤后进行离心分离，再将分离所得沉淀物超声分散，得到二氧化锡前驱体；（4）将前躯体置于高压水热反应釜中进行水热反应；（5）将水热反应产物洗涤后离心分离，再将离心分离的沉淀物干燥，得到二氧化锡纳米粉体。

【技术特征摘要】
1.间歇水热法制备二氧化锡纳米粉体的工艺，包括以下步骤：
（1）将SnCl4·5H2O溶于去离子水中配制成溶液；
（2）将上述溶液置于恒温水浴中，并向该溶液中滴加氨水，搅拌反应生成Sn（OH）4溶胶；
（3）将Sn（OH）4溶胶用去离子水洗涤后进行离心分离，再将分离所得沉淀物超声分散，得到二氧化锡前驱体；
（4）将前躯体置于高压水热反应釜中进行水热反应；
（5）将水热反应产物洗涤后离心分离，再将离心分离的沉淀物干燥，得到二氧化锡纳米粉体。
2.根据权利要求1所述制备二氧化锡纳米粉体的工艺，其特征在于：步骤（1）中的去离子水中加入盐酸，盐酸与去离子水的体积比为1:70。
3.根据权利要求1所述制备二氧化锡纳米粉体的工艺，其特征在于：步骤（1）中配制的SnCl4溶液的浓度为0.05—0.1mol/L。
4.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：易鉴荣，林荔琍，唐臻，吴坚，林荔珊，
申请(专利权)人：柳州豪祥特科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广西;45