一种引线框架的电镀方法技术

本发明专利技术提供一种引线框架的电镀方法，其特征在于：它包括以下步骤：(1)贴干膜：在未经蚀刻的基板的上下表面各贴附一层干膜；(2)曝光和显影：通过曝光和显影去除基板上表面的部分干膜，以露出基板上需要电镀的区域；(3)电镀：对步骤(2)中基板上露出的需要电镀的区域进行电镀，形成电镀层；(4)退膜：去除基板上下表面剩余的干膜。该引线框架的电镀方法可采用干膜作为保护膜、成本更低、工序更简化、产品最终精度更高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及引线框架
，具体涉及一种引线框架的电镀方法。
技术介绍
引线框架的主要功能是为芯片提供机械支撑的载体，并作为导电介质内外连接芯片电路而形成电信号通路，以及与封装外壳一同向外散发芯片工作时产生热量的散热通路。引线框架的制作一般以铜板作为基板，经过蚀刻、电镀、背面贴胶带后成为引线框架。现有的引线框架的电镀方法是在如图1(a)所示的蚀刻完成的基板片表面进行局部区域电镀，电镀过程包括上菲林、曝光、显影、电镀、退膜，分别如图1(b)-图1(f)所示，上底片2a曝光和显影后露出需要电镀的区域3a，电镀金属为银或镍钯金，形成电镀层4a。由于电镀是在基板蚀刻完成之后才进行的，导致现有的电镀方法存在以下技术问题：1、由于蚀刻完成后的基板中间断开，在电镀时只能使用液态菲林1a作为保护膜，特别是对于镀银引线框架，由于其镀液为碱性，对一般的水溶性感光菲林存在攻击，因此需要采用溶剂型耐碱的电沉积感光菲林，而这种溶剂型耐碱的电沉积感光菲林相比干膜成本更高、工艺更繁琐、流程更长；2、采用液态菲林作为保护膜目前适合于蚀刻完成的片式引线框架，而目前应用于片式引线框架的曝光机一般采用人工对位，不仅对位精度不高，一般在+/-50um左右，而且效率非常低下，而目前出现的卷式自动曝光机，不但可以实现一次对位，同时也可以对同一图案实现二次对位，其精准度控制在10um之内，正因如此，可以克服由于一般人工对位方法造成的镀银层悬空而引起的产品可靠性问题；3、随着封装测试技术的不断进步，对产品高密度，极小间距以及超薄性均有较高的要求，按照常规工艺路线，产品由于其使用材料超薄，结构复杂造成产品非常脆弱，很容易出现产品变形问题，特别是在蚀刻之后进行电镀，产品经过的工序较多，其产生变形的概率也较大，造成电镀精度不高，从而影响产品的最终精度；4、采用液态电沉积菲林进行镀银的工艺，其菲林特性由于是溶剂型，因而需要采用具有挥发性的有机溶剂才能退膜，成本高，同时不环保。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是：提供一种可采用干膜作为保护膜、成本更低、工序更简化、产品最终精度更高的引线框架的电镀方法。本专利技术的技术解决方案是：一种引线框架的电镀方法，其特征在于：它包括以下步骤：(1)贴干膜：在未经蚀刻的基板的上下表面各贴附一层干膜；(2)曝光和显影：通过曝光和显影去除基板上表面的部分干膜，以露出基板上需要电镀的区域；(3)电镀：对步骤(2)中基板上露出的需要电镀的区域进行电镀，形成电镀层；(4)退膜：去除基板上下表面剩余的干膜。本专利技术一种引线框架的电镀方法，改变了本领域中一直沿用的在蚀刻完成的半成品表面进行电镀的传统方法，而是在未经蚀刻的基板表面上进行电镀，由于未经蚀刻的基板中间不会断开，所以可以采用干膜来取代液态菲林作为保护膜，成本更低、工艺更简单、流程更短；而且未经蚀刻的基板不易变形，使产品的最终精度更高。作为优选，所述基板为卷式，所述步骤(2)中采用卷对卷式自动对位曝光机进行曝光。采用卷式基板后，可采用卷对卷式自动对位曝光机进行曝光，无需人工对位，大大提高了精度和生产效率。作为优选，所述步骤(2)和步骤(4)中采用烧碱去除基板上的干膜。烧碱挥发性小，较环保。作为优选，所述干膜为碱性干膜，所述步骤(3)中电镀药水采用型号为K-940的低氰高速镀银溶液，该溶液的PH值为7.7-9.5。设置干膜和电镀药水均为碱性，不会使二者中和，可减小对干膜的破坏，且该碱性电镀药水的PH值相比市面上的其它碱性电镀药水要低，可进一步减小对碱性干膜的破坏。作为优选，所述型号为K-940的低氰高速镀银溶液的PH值为8.2-8.7。该PH值为优选的方案，能在满足较好的电镀性能的前提下最大限度地减小对碱性干膜的破坏。附图说明：图1为现有引线框架的电镀方法；图2为本专利技术引线框架的电镀方法；现有技术图中：1a-液态菲林，2a-底片，3a-需要电镀的区域，4a-电镀层；本专利技术图中：1-基板，2-干膜，3-需要电镀的区域，4-需要蚀刻的区域，5-底片，6-电镀层。具体实施方式下面结合附图，并结合实施例对本专利技术做进一步的说明。实施例：以下提供一种包含本专利技术电镀方法的引线框架的制作方法，它包括以下步骤：(1)贴干膜：在未经蚀刻的基板1的上下表面各贴附一层干膜2，未经蚀刻的基板如图2(a)所示，贴干膜后如图2(b)所示；(2)曝光和显影：通过曝光和显影去除基板1上表面的部分干膜2，以露出基板1上需要电镀的区域3，本步骤仅仅是单面曝光和显影，只曝光和显影上层干膜，作为保护作用的下层干膜并不需要将其曝光和显影，使其继续起保护作用；曝光如图2(c)所示，是根据客户的要求制作黑白底片5，将黑白底片5与基板1对位，经光源作用在干膜2上将需要去除部分的图像转移到干膜2上；显影如图2(d)所示，是将干膜2中未发生光聚合反应的部分去除；曝光和显影都是现有技术，这里不再赘述；(3)电镀：对步骤(2)中基板1上露出的需要电镀的区域3进行电镀，形成电镀层6,如图2(e)所示；(4)退膜：去除基板1上下表面剩余的干膜2,如图2(f)所示；至此，电镀完毕，开始蚀刻，蚀刻包括贴干膜、曝光、显影、蚀刻、退膜，具体如下：(5)贴干膜：在基板1的下表面以及上表面的电镀层6之上各贴附一层干膜2，如图2(g)所示，由于电镀层6的厚度一般只有2um～8um的厚度，镀层很薄，而干膜2的厚度一般在15um以上，并且是高分子单体具有可塑性，这样在上干膜2热压的过程当中能够很好的覆盖在基板1和电镀层6上面；(6)曝光和显影：通过曝光和显影去除基板1上下表面的部分干膜2，以露出基板1上需要蚀刻的区域4，如图2(h)和2(i)所示；(7)蚀刻：对步骤(6)中基板1上露出的需要蚀刻的区域4进行蚀刻，如图2(j)所示；(8)退膜：去除基板1上下表面剩余的干膜2，如图2(k)所示。本专利技术一种引线框架的电镀方法，改变了本领域中一直沿用的在蚀刻完成的基板片表面进行电镀的传统方法，而是采用先电镀后蚀刻的方式，在未经蚀刻的基板1表面上先进行电镀，由于未经蚀刻的基板1中间不会断开，所以可以采用干膜2来取代液态菲林，成本更低、工艺更简单、流程更短；而且未经蚀刻的基板1不易变形，使得产品的最终精度较高。作为优选，所述基板1为卷式，所述步骤(2)中采用卷对卷式自动对位曝光机进行曝光，所述卷对卷式自动对位曝光机为现有技术，国内厂家例如群翊、冠仕、鑫富宝，还有韩国进口的卷对卷式自动对位曝光机等，该设备的主要作用是实现底片5与基板1的自动对位，无需人工对位，使电镀、蚀刻前后图案精准对位，大大提高了精度和生产效率。作为优选，所述步骤(2)和步骤(4)中采用烧碱去除基板1上的干膜2。烧碱挥发性小，较环保。作为优选，所述干膜2为碱性干膜，所述步骤(3)中电镀药水采用美泰乐表面处理技术(上海)有限公司生产的型号为K-940的低氰高速镀银溶液，该溶液的PH值为7.7-9.5。设置干膜2和电镀药水均为碱性，不会使二者中和，可减少对干膜2的破坏，且该碱性镀银药水的PH值相比市面上的其它碱性镀银药水要低，市面上常用的碱性镀银药水的PH值为10-11，因此本专利技术采用的碱性药水的PH值更低，可进一步减小对碱性干膜的破坏。作为优选，所述型号为K-940的低氰高速镀银溶液的PH值为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种引线框架的电镀方法，其特征在于：它包括以下步骤：(1)贴干膜：在未经蚀刻的基板(1)的上下表面各贴附一层干膜(2)；(2)曝光和显影：通过曝光和显影去除基板(1)上表面的部分干膜，以露出基板(1)上需要电镀的区域(3)；(3)电镀：对步骤(2)中基板(2)上露出的需要电镀的区域(3)进行电镀，形成电镀层(6)；(4)退膜：去除基板(1)上下表面剩余的干膜(2)。

【技术特征摘要】
1.一种引线框架的电镀方法，其特征在于：它包括以下步骤：(1)贴干膜：在未经蚀刻的基板(1)的上下表面各贴附一层干膜(2)；(2)曝光和显影：通过曝光和显影去除基板(1)上表面的部分干膜，以露出基板(1)上需要电镀的区域(3)；(3)电镀：对步骤(2)中基板(2)上露出的需要电镀的区域(3)进行电镀，形成电镀层(6)；(4)退膜：去除基板(1)上下表面剩余的干膜(2)。2.根据权利要求1所述的一种引线框架的电镀方法，其特征在于：所述基板(1)为卷式基板，所述步骤(2)中采用卷对卷式...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎超丰，冯小龙，李南生，周林，徐治，李昌文，
申请(专利权)人：宁波康强电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33