表面包敷与未包敷二氧化硅的碳化硅纳米棒及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种表面包敷与未包敷二氧化硅的碳化硅纳米棒及制备方法：先用溶胶－凝胶法制得含有纳米碳颗粒的二氧化硅凝胶，将其在氩气保护下加热到１５５０～１８００℃保温２～５小时，得到碳化硅纳米棒；若在最后一步反应中先低温反应，再高温反应，得到表面包敷二氧化硅的碳化硅复合纳米棒。其长度均达２０微米以上，直径为１０～４０纳米，包敷层厚度１０～２５纳米。用本发明专利技术方法制备的材料，可用于各种复合材料中的增强剂，高温超导中钉扎磁通。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及碳化硅纳米棒及表面包敷一层非晶二氧化硅的碳化硅复合纳米棒的制备。近年来，纳米棒的制备引起了人们极大的兴趣，(Dai，H，Wong，E.W.，Lu，Y.Z，Fan，ss.，Lieber，C.M.，Nature 374(1995)769；W.Q.Hanss.Fang，Q.Li，Y.D.Hu，Science 227(1997)1287，碳化硅是一种耐高温陶瓷材料，也是一种半导体材料，碳化硅纳米棒在高技术光电器件，纳米功能材料和纳米结构材料等方面有重大的潜在应用价值。碳化硅品须的制备方法大体有五种(a).氧化硅碳热还原法；(b).有机硅化合物分解法；(c)卤化硅与四氯化碳反应法；(d)氢气还原三氯甲基硅烷法；(e)在金属催化条件下的气—液—固生长法。但用上述方法制备的碳化硅晶须的直径在微米级或亚微米级水平。Dan Zhou，Supapan Seraphin，Chemical Physics Letters，222(1994)233—238报道了用碳纳米团簇制备碳化硅晶须，但制出品须的直径仍在亚微米量级。目前，碳化硅纳米棒的制备，国内外都是采用碳纳米管和SiO或Si＋I2反本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种表面包敷与未包敷二氧化硅的碳化硅纳米棒的制备方法，其特征是，首先用溶胶－凝胶法制备含有糖类的二氧化硅溶胶及凝胶块；将凝胶块在氮气保护条件下于３００～７００℃退火２小时，得到含有纳米碳颗粒的二氧化硅干凝胶；进而将混合干凝胶在氩气保护条件下加热到１５５０～１８００℃并保温２～５小时，碳颗粒与二氧化硅反应生成碳化硅纳米棒；若在最后一步反应中加热时，先采用下限温度，再用上限温度，则得到在碳化硅纳米棒上包敷一层非晶二氧化硅的复合纳米棒。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孟国文，张立德，牟季美，秦勇，冯素平，
申请(专利权)人：中国科学院固体物理研究所，
类型：发明
国别省市：34[中国|安徽]