具有套设在基层第一过孔上的第二过孔的层结构制备方法技术

本发明专利技术提供一种具有套设在基层第一过孔上的第二过孔的层结构制备方法。所述具有套设在基层第一过孔上的第二过孔的层结构制备方法包括：在基层上涂覆负性光刻胶；利用半色调掩模板进行曝光；且所述半色调掩模板的与所述基层的第一过孔对应的区域为完全透光区域，该完全透光区域的外侧为将该完全透光区域环绕、且与该完全透光区域相接的半透光区域；对所述负性光刻胶进行显影；在显影后的图形上形成一层材料；剥离剩余的光刻胶。上述具有套设在基层第一过孔上的第二过孔的层结构制备方法，其可以避免因工艺波动而出现光刻胶残留，进而导致各种短接不良的问题，同时，还可以省去刻蚀工艺，简化工艺步骤，降低成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体显示
，具体地，涉及一种具有套设在基层第一过孔上的第二过孔的层结构制备方法。
技术介绍
图1为一种现有显示面板的阵列基板的结构示意图。如图1所示，该阵列基板包括栅极10、栅极绝缘层11、有源层12、源极13、漏极14、钝化层15、公共电极16、层间绝缘层17和像素电极18；其中，所述栅极10、栅极绝缘层11、有源层12、源极13和漏极14构成一个薄膜晶体管；钝化层15设置在该薄膜晶体管的上方，以形成一个平坦表面(即钝化层15的上表面)，所述公共电极16形成在该平坦表面上，且在所述公共电极16上形成有一个层间绝缘层17，该层间绝缘层17用以使所述公共电极16与形成在层间绝缘层17上方的像素电极18之间不相连接。在上述图1所示阵列基板的结构中，由于像素电极18需要与薄膜晶体管的漏极14连接，因此，在形成钝化层15的工艺过程中，需要在与漏极14对应的区域需要形成一个过孔，以使漏极14能够暴露出来；并且在之后依次形成公共电极16、层间绝缘层17的过程中，也需要在该与漏极14对应的区域形成一个过孔，且该过孔必须套设在所述钝化层15中的过孔上，以使在制备像素电极18时，所述漏极14的部分区域仍维持暴露状态。以形成公共电极16的工艺过程为例，首先在钝化层15上沉积一层电极材料，如ITO等；其次，在所述电极材料上涂覆一层光刻胶21，如图2所示；而后，通过曝光、显影和刻蚀等工序形成公共电极16的图形，且在该过程中，把与钝化层15中的过孔对应的区域的电极材料刻蚀掉，形成一个套设在钝化层15中过孔上的过孔(即套孔)。但由于曝光过程中工艺波动等原因，钝化层15中的过孔中的光刻胶21较厚，经显影后容易产生光刻胶21残留，参看图3和图4，图3所示为曝光显影后的正常形成的图案，图4所示为钝化层的过孔中有光刻胶残留的图案。所示光刻胶21残留在后续的刻蚀工艺中会导致被残留光刻胶21覆盖的区域的电极材料无法被刻蚀掉，该区域的电极材料会与薄膜晶体管的漏极短接，最终也会与像素电极短接，从而会导致显示不良。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种具有套设在基层第一过孔上的第二过孔的层结构制备方法，其可以避免因工艺波动而出现光刻胶残留，进而导致各种短接不良的问题，而且还可以省去刻蚀工艺，简化工艺步骤，降低成本。为实现本专利技术的目的而提供一种具有套设在基层第一过孔上的第二过孔的层结构制备方法，其包括：在基层上涂覆负性光刻胶；利用半色调掩模板进行曝光；且所述半色调掩模板的与所述基层的第一过孔对应的区域为完全透光区域，该完全透光区域的外侧为将该完全透光区域环绕、且与该完全透光区域相接的半透光区域；对所述负性光刻胶进行显影；在显影后形成的图形上形成一层材料；剥离剩余的光刻胶。其中，所述基层为阵列基板上的钝化层；所述层结构为公共电极层。其中，所述半透光区域沿由内向外的方向其透光率依次递减。其中，沿所述半透光区域的由内向外的方向，所述半透光区域的透光率呈连续递减。其中，沿所述半透光区与的由内向外的方向，所述半透光区与的透光率呈梯度递减。其中，所述半透光区域中各区域的透光率相同。其中，在与所述基层的第一过孔对应的区域所涂覆的光刻胶的厚度大于所述第一过孔的厚度。其中，半色调掩模板的所述完全透光区域和所述半透光区域的相接线在基层上的投影位于所述第一过孔的底部孔径和顶部孔径之间。本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供的具有套设在基层第一过孔上的第二过孔的层结构制备方法，通过使用半色调掩模板在基层的第一过孔处曝光，使该基层的第一过孔处保留下来的光刻胶为“上宽下窄”结构，这样在沉积所需形成的层结构的材料后，只需剥离剩余的光刻胶，就可以在所述层结构中形成将在基层的第一过孔处套设在内部的第二过孔。与现有技术相比，可以避免因工艺波动而出现光刻胶残留，进而导致各种短接不良的问题，同时，还无需进行刻蚀工艺，简化了工艺步骤，可以降低成本。附图说明附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1为一种现有显示面板的阵列基板的结构示意图；图2为在所述电极材料上涂覆一层光刻胶所形成的图案的示意图；图3为曝光显影后的正常形成的图案的示意图；图4为钝化层的过孔中有光刻胶残留的图案的示意图；图5为本专利技术实施方式中形成具有套孔的层结构的方法的流程图；图6为在基层上涂覆一层负性光刻胶所形成的图案的示意图；图7为使用半色调掩模板进行曝光以及曝光显影后保留下来的光刻胶的示意图；图8为曝光显影后保留下来的光刻胶的形状呈梯度渐变的示意图；图9为半色调掩模板的半透光区域中各处透光率相同时曝光显影后保留下来的光刻胶的示意图；图10为沉积一层所需形成的层结构的材料后所形成的图案的示意图；图11为最终形成的层结构的示意图。其中，附图标记：10：栅极；11：栅极绝缘层；12：有源层；13：源极；14：漏极；15：钝化层；16：公共电极；17：层间绝缘层；18：像素电极；20：基层；21：光刻胶；22：层结构。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。本专利技术提供一种具有套设在基层第一过孔上的第二过孔的层结构制备方法，并给出其实施方式。在本实施方式中，如图5所示，所述具有套设在基层第一过孔上的第二过孔的层结构制备方法包括以下步骤S1～S5。S1，在基层20上涂覆负性光刻胶21；如图6所示。具体地，在与所述基层20的第一过孔对应的区域所涂覆的光刻胶21的厚度大于所述过孔的厚度。而所述基层20可以为具有过孔的任意结构，如
技术介绍
中所提到的阵列基板中的钝化层。S2，利用半色调掩模板进行曝光；且所述半色调掩模板的与所述基层20的第一过孔对应的区域为完全透光区域a，该完全透光区域a的外侧为将该完全透光区域a环绕、且与该完全透光区域a相接的半透光区域b，所述半色调掩模板如图7所示，半透光区域b的外侧可以为不透光区域c。基于半色调掩模板的透光率的不同，在完全透光区域a，由于曝光强本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有套设在基层第一过孔上的第二过孔的层结构制备方法，其特征在于，包括：在基层上涂覆负性光刻胶；利用半色调掩模板进行曝光；且所述半色调掩模板的与所述基层的第一过孔对应的区域为完全透光区域，该完全透光区域的外侧为将该完全透光区域环绕、且与该完全透光区域相接的半透光区域；对所述负性光刻胶进行显影；在显影后形成的图形上形成一层材料；剥离剩余的光刻胶。

【技术特征摘要】
1.一种具有套设在基层第一过孔上的第二过孔的层结构制备方
法，其特征在于，包括：
在基层上涂覆负性光刻胶；
利用半色调掩模板进行曝光；且所述半色调掩模板的与所述基
层的第一过孔对应的区域为完全透光区域，该完全透光区域的外侧为
将该完全透光区域环绕、且与该完全透光区域相接的半透光区域；
对所述负性光刻胶进行显影；
在显影后形成的图形上形成一层材料；
剥离剩余的光刻胶。
2.根据权利要求1所述的具有套设在基层第一过孔上的第二过
孔的层结构制备方法，其特征在于，所述基层为阵列基板上的钝化层；
所述层结构为公共电极层。
3.根据权利要求1所述的具有套设在基层第一过孔上的第二过
孔的层结构制备方法，其特征在于，所述半透光区域沿由内向外的方
向其透光率依次递减。
4.根据权利要求3所述的具有套设在基层第一过孔上的第二过
孔的层结构制备方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：张俊，占建英，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11