电子结构、电池结构、和用于制造电子结构的方法技术

本发明专利技术涉及电子结构、电池结构、和用于制造电子结构的方法。依据各种实施例，可以提供电子结构，所述电子结构可以包含：半导体载体，以及与半导体载体单片集成的电池结构，所述电池结构包含多个薄膜电池。

【技术实现步骤摘要】

各种实施例大体上涉及电子结构、电池结构、和用于制造电子结构的方法。 
技术介绍
在半导体工业中多种工艺可以被用于制造电子器件，诸如集成电路、存储器芯片、传感器等等。此外，可以期望的是使用如在半导体工艺中其被使用的类似的制作技术来开发用于电池（例如薄膜电池）的制作工艺。普遍使用的薄膜沉积技术可以允许在薄膜技术中形成电池或形成可再充电的电池的功能层的制作。典型地，薄膜电池可以包含将以半导体薄膜技术可加工的固态电解质。 
技术实现思路
依据各种实施例，电子结构可以被提供，所述电子结构可包含：半导体载体；和多个薄膜电池，所述薄膜电池与所述半导体载体单片集成。 附图说明在附图中，相同的参考符号通常指的是贯穿不同视图的相同的部件。附图不必成比例，而通常将重点放在图示本专利技术的原理上。在下面描述中，参考下面附图描述本专利技术的各种实施例，在附图中： 图1A到1F以示意截面视图或侧视图分别示出依据各种实施例的电子结构或电池结构；图2A和2B以示意截面视图或侧视图分别示出依据各种实施例的电池层堆叠；图3A和3B以示意工艺流程图分别示出依据各种实施例的用于制造电子结构的方法；图4A到4H以示意截面视图或侧视图分别示出依据各种实施例的在制造期间的电子结构或电池结构；图5A到5G以示意截面视图或侧视图分别示出依据各种实施例的在制造期间的电子结构或电池结构；图6A和6B以示意截面视图或侧视图分别示出依据各种实施例的电子结构或电池结构；图7A到7D以示意截面视图或侧视图分别示出依据各种实施例的在制造期间的电子结构或电池结构；图8A和8B以示意截面视图或侧视图分别示出依据各种实施例的电子结构或电池结构；并且图9以示意截面视图或侧视图示出依据各种实施例的电子结构或电池结构。具体实施方式下面详细的描述参考附图，所述附图借助于图解示出其中可以实践本专利技术的特定细节和实施例。 关于“在一侧或表面之上”形成的沉积的材料或“在载体之上”沉积层所使用的词“在…之上”本文中可以被用来意指沉积的材料可以被“直接形成在暗示的侧、表面、或载体上”，例如与暗示的侧、表面、或载体直接接触。关于“在一侧或表面之上”形成的沉积的材料或“在载体之上”沉积层所使用的词“在…之上”本文中可以被用来意指沉积的材料可以“间接形成在暗示的侧、表面、或载体上”，其中一个或多个额外的层被布置在暗示的侧、表面、或载体和沉积的材料之间。 关于结构的（或载体的）“横向的”延伸或被“横向地”移动所使用的术语“横向的”本文中可以被用来意指沿着与载体的表面平行的方向的延伸。那意指载体的表面（例如衬底的表面，或晶片的表面）可以用作参考，其普遍被称为晶片的主加工表面（或另一类型的载体的主加工表面）。进一步地，关于结构的（或例如腔体的结构元件的）“宽度”所使用的术语“宽度”本文中可以被用来意指结构横向的延伸。进一步地，关于结构的（或结构元件的）高度所使用的术语“高度”本文中可以被用来意指结构沿着与载体的表面垂直（例如与载体的主加工表面垂直）的方向的延伸。进一步地，关于腔体的（或孔的）深度所使用的术语“深度”本文中可以被用来意指腔体沿着与载体的表面垂直（例如与载体的主加工表面垂直）的方向的延伸。 关于覆盖结构（或结构元件，或侧壁）的沉积的材料所使用的词“覆盖”本文中可以被用来意指沉积的材料可以完全地覆盖结构（或结构元件，或侧壁），例如覆盖结构所有暴露的侧和表面。关于覆盖结构（或结构元件，或侧壁）的沉积的材料所使用的词“覆盖”本文中可以被用来意指沉积的材料可以至少部分地覆盖结构，例如材料可以至少部分地覆盖结构暴露的侧和表面。 依据各种实施例，如本文中所描述的形成层（例如沉积层，沉积材料，和/或施加成层工艺）也可以包含形成层，其中所述层可以包含各种子层，由此不同子层可以分别包含不同材料。换句话说，各种不同子层可以被包含在层中，或各种不同区可以被包含在沉积的层中和/或在沉积的材料中。 由于可以存在许多在半导体加工中（例如在电池结构或电子结构的制造期间，例如在加工包含电池结构或电子结构的晶片或载体期间）使用的通常依次执行的个别工艺，所以若干基本制造技术在总体制造工艺中至少可以被使用一次。下面基本技术的描述应该被理解为说明示例，其技术可以被包含在本文中描述的工艺中。示范性描述的基本技术可以不必定需要被解释为比其它技术或方法优选或有优点，由于它们可以用来说明本专利技术的一个或多个实施例可以如何被实践。为了简短起见，示范性描述的基本技术的图解可以只是简略的概述并且不应该被认为是详尽无遗的说明。 依据各种实施例，下面技术中的至少一个可以被用于制造电子结构或电池结构，如本文中所描述。依据各种实施例，如在下面所描述，技术中的至少一个可以被包含在用于制造电子结构的方法中或在用于制造电池结构的方法中，或例如在用于制造包含用来控制电池结构的集成电路的电池结构的方法中，如本文中所描述。 依据各种实施例，至少一个成层（或成层工艺）可以被用于制造电子结构或电池结构，如本文中所描述。在成层工艺中，依据各种实施例，层（通常也被称为膜或薄膜）可以使用沉积技术来沉积在表面之上（例如在载体之上、在晶片之上、在衬底之上、在另一层之上、在多个结构元件之上等等），所述沉积技术可以包含化学气相沉积（CVD，或CVD工艺）和/或物理气相沉积（PVD，或PVD工艺）。沉积的层的厚度取决于其特定的功能而可以在从几纳米一直到若干微米的范围内。沉积的层的厚度可以被认为是沉积的层沿着其生长的方向的空间延伸。在几纳米范围内的薄层（例如具有小于50nm的层厚度）可以使用原子层沉积（ALD）来形成。共形层（例如覆盖结构元件的侧壁或覆盖腔体的内侧壁）可以使用原子层沉积（ALD）或另一合适的共形沉积工艺（如例如低压化学气相沉积（LPCVD））来形成。 依据各种实施例，沉积的（形成的或提供的）层可以包含电绝缘材料、半导电材料、和/或导电材料中的至少一个，这取决于沉积的层的各自特定的功能。依据各种实施例，导电材料（如例如铝、铝-硅合金、铝-铜合金、铜、镍铬铁合金（镍、铬、和/或铁的合金）、钨、钛、氮化钛、钼、铂、金、碳（石墨）等等）可以使用CVD工艺或PVD工艺来沉积。依据各种实施例，半导体材料（如例如硅（例如硅、多晶的硅（也被称为多晶硅）、或非晶硅）、锗、诸如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、或砷化铟镓（InGaAs）的半导体化合物材料）可以使用CVD工艺来沉积。绝缘材料（如例如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、金属氧化物（例如氧化铝）、有机化合物、聚合物等等）可以使用CVD工艺或PVD工艺来沉积。依据各种实施例，可以使用如下面所描述的这些工艺的修改。 依据各种实施例，化学气相沉积工艺（CVD工艺）可以包含多种修改，如例如常压CVD（APCVD）、低压CVD（LPCVD）、超高真空CVD（UHVCVD）、等离子体增强CVD（PECVD）、高密度等离子体CVD（HDPCVD）、远程等离子体增强CVD（RPECVD）、原子层CVD（ALCVD）、气相外延本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子结构，包括：半导体载体，和多个薄膜电池，与所述半导体载体单片集成。

【技术特征摘要】
2013.09.26 US 14/0374291.一种电子结构，包括：
半导体载体，和
多个薄膜电池，与所述半导体载体单片集成。
2.权利要求1所述的电子结构，进一步包括：
接触结构，被配置成将所述多个薄膜电池彼此电连接，其中所述多个薄膜电池中的至少两个薄膜电池串联或并联电耦合。
3.权利要求1所述的电子结构，其中所述多个薄膜电池中的每一个薄膜电池包括电池层堆叠，所述电池层堆叠包括至少一个固态电解质层。
4.权利要求3所述的电子结构，其中所述电池层堆叠进一步包括邻接所述至少一个固态电解质层的至少一个阳极层以及邻接所述至少一个固态电解质层的至少一个阴极层。
5.权利要求4所述的电子结构，其中所述电池层堆叠进一步包括邻接所述至少一个阳极层的至少一个阳极电流收集器层以及邻接所述至少一个阴极层的至少一个阴极电流收集器层。
6.权利要求1所述的电子结构，其中所述载体包括半导体晶片。
7.权利要求1所述的电子结构，其中所述载体包括半导体芯片。
8.权利要求2所述的电子结构，其中所述接触结构包括金属化结构。
9.权利要求1所述的电子结构，进一步包括：
集成电路结构，被布置在载体中和载体之上中的至少一个，所述集成电路结构被导电耦合到所述多个薄膜电池。
10.权利要求9所述的电子结构，
其中所述集成电路结构被配置成将所述多个薄膜电池彼此选择性地耦合和/或将所述多个薄膜电池彼此选择性地去耦合。
11.权利要求9所述的电子结构，其中所述集成电路结构被配置为逻辑电路。
12.一种电池结构，包括：
多个薄膜电池，与半导体载体单片集成，所述多个薄膜电池中的每一个薄膜电池包括至少一个固态电解质层、邻接所述至少一个固态电解质层的至少一个阳极层以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：M莱姆克，S特根，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE