陶瓷积层式晶片元件的陶瓷釉被覆结构和制造方法技术

本发明专利技术公开了一种晶片元件的陶瓷釉被覆结构及其制造方法，其主要特征在于：晶片元件的陶瓷釉被覆结构，于元件本体完整覆盖致密性高，光滑（ｓｍｏｏｔｈ）且高阻抗的陶瓷釉（ｇｌａｚｅ）；而端电极部位是利用端电极材料，也就是银胶（ｓｉｌｖｅｒ　　ｐａｓｔｅ），与陶瓷釉之间独特的烧附特性，利用烧结而吸收去除端电极表面、端电极与陶瓷本体之间的陶瓷釉层，构成仅被覆着晶片元件本体的陶瓷釉被覆结构。

Ceramic glaze coating structure of ceramic laminated chip element and manufacturing method thereof

The invention discloses a ceramic glaze coating structure of a chip element and its manufacturing method, which is mainly characterized in that: ceramic glaze covered structure of chip components, to completely cover the element body compact, smooth (smooth) and high impedance ceramic glaze (glaze); and the end part of the electrode is the use of electrode material, also (silver paste) is the silver colloid, burning characteristics and unique ceramic glaze, and remove ceramic glaze layer between the end surface of the electrode and the end electrode and ceramic body by sintering, which only covered ceramic glaze coated wafer structure element.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种陶瓷积层式晶片元件的陶瓷釉被覆结构，尤其涉及一种以半导体性或不具有高绝缘特性的陶瓷材料作为本体的陶瓷积层式晶片元件，于端电极范围之外的元件本体存在一层致密、光滑(smooth)且高绝缘阻抗的陶瓷釉，使晶片元件的端电极可以实施电镀制造来达成。
技术介绍
晶片元件，包括单一晶片(如图1所示)与阵列型晶片(如图2所示)已被广泛地应用于各种电子系统产品的线路中，其基本构造系包括一本体1、设于本体1内的内电极2、位于本体两相对端部的端电极3，以及具有良好焊接特性的焊接介面层5，其并依据元件物理特性上的需求而使用种种不同的材料例如单一晶片型与阵列晶片型电容元件系使用陶瓷介质材料、单一晶片型与阵列晶片型磁珠元件系使用陶瓷来制造铁粉蕊材料、单一晶片型与阵列晶片型变阻器系使用陶瓷半导体材料等等。而绝大部分的晶片元件，都是藉由焊锡制造，将晶片元件端电极与系统电路机板接合，以产生晶片元件于电子电路中应该发挥的功能。在这些相关材料中，即使如单一晶片与阵列晶片型电容元件是使用绝缘特性相当好的陶瓷介质材料，但如果是设计在一高压条件下所使用，在应用上，元件表面，仍然会出现绝缘阻抗特性不够好的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种陶瓷积层式晶片元件的陶瓷釉被覆结构，包括有一本体、设于本体内的多数个部份则从本体两侧端巷内延伸的内电极、位于本体两相对侧端，而与内电极相接的端电极，其特征在于：陶瓷积层式晶片元件的陶瓷釉被覆结构，以半导体性或不具有高绝缘电阻率特性的陶瓷材料为本体的陶瓷积层式单一晶片型与阵列晶片型电子元件中，于本体周面上被覆一层陶瓷釉材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘世宽，黄俊彬，徐钰钦，
申请(专利权)人：佳邦科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]