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本发明公开了一种晶片元件的陶瓷釉被覆结构及其制造方法，其主要特征在于：晶片元件的陶瓷釉被覆结构，于元件本体完整覆盖致密性高，光滑（ｓｍｏｏｔｈ）且高阻抗的陶瓷釉（ｇｌａｚｅ）；而端电极部位是利用端电极材料，也就是银胶（ｓｉｌｖｅｒ　　ｐａｓ...
该专利属于佳邦科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过佳邦科技股份有限公司授权不得商用。

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