周期信号发生电路和包括其的半导体系统技术方案

一种半导体系统可以包括第一半导体器件，第一半导体器件被配置为输出命令以及接收数据。该半导体系统可以包括第二半导体器件，第二半导体器件被配置为产生响应于命令来周期性切换的周期信号，响应于周期信号来输出数据，以及如果周期信号在预定区段期间未切换则将内部节点的电荷放电。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求2015年8月20日在韩国知识产权局提交的申请号为10-2015-0117458的韩国申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本公开的实施例总体涉及一种能够产生周期信号的周期信号发生电路和包括其的半导体系统，该周期信号可以周期性地切换。
技术介绍
为了控制半导体器件的内部操作，半导体器件需要周期信号。因此，半导体器件内部地产生周期信号或者从外部接收周期信号并且使用周期信号来执行内部操作。由于周期信号可以以恒定周期来切换，因此半导体器件可以使用周期信号来执行重复的内部操作。用于产生这种周期信号的周期信号发生电路可以使用已知的环型振荡器来实施。已知的环型振荡器包括奇数个反相器，用来接收反馈回来的周期信号，并且用来产生周期性切换的周期信号。此外，半导体器件通过检测周期信号的周期来检查是否已经发生故障以检查基于制造期间的工艺、电压和温度的改变而发生的故障。检测周期信号的切换周期是否在设定范围之内以判断在半导体器件中是否已经发生故障。如果切换周期在设定范围以外，则检查半导体器件以判断是否已经发生故障。用于产生如上所述的周期信号的周期信号发生电路可以被包括在半导体器件的内部或外部。
技术实现思路
在实施例中，可以提供一种半导体系统。该半导体系统可以包括第一半导体器件，第一半导体器件被配置为输出命令以及接收数据。该半导体系统可以包括第二半导体器件，第二半导体器件被配置为产生响应于命令而周期性切换的周期信号，响应于周期信号来输出数据，以及如果周期信号在预定区段期间未切换则将内部节点的电荷放电。在实施例中，可以提供一种周期信号发生电路。该周期信号发生电路可以包括振荡器，振荡器被配置为响应于使能信号来产生基于内部节点的电荷量而切换的周期信号，以及响应于复位信号来将内部节点的电荷放电。周期信号发生电路可以包括检测信号发生单元。检测信号发生单元被配置为检测周期信号的切换周期并且产生检测信号。如果周期信号在预定区段期间未切换，则检测信号可以被使能。周期信号发生电路可以包括复位信号发生单元，复位信号发生单元被配置为响应于检测信号来产生以及使能复位信号。在实施例中，可以提供一种周期信号发生电路。该周期信号发生电路可以包括振荡器，振荡器被配置为产生基于振荡器的内部节点的电荷量而切换的周期信号。周期信号发生电路可以包括检测信号发生单元，检测信号发生单元被配置为检测周期信号的切换周期。如果周期信号在预定区段期间未切换，则振荡器被配置为将内部节点放电。附图说明图1是图示根据实施例的周期信号发生电路的配置的示例代表的框图。图2是图示包括在图1的周期信号发生电路中的振荡器的示例代表的电路图。图3图示包括在根据实施例的周期信号发生电路中的振荡器的示例代表的电路图。图4是图示包括在图1的周期信号发生电路中的检测信号发生单元的示例代表的电路图。图5是图示包括在根据实施例的周期信号发生电路中的检测信号发生单元的示例代表的电路图。图6是图示包括在根据实施例的周期信号发生电路中的检测信号发生单元的示例代表的电路图。图7是图示根据实施例的周期信号发生电路的操作的示例代表的时序图。图8图示包括根据实施例的周期信号发生电路的半导体系统的配置的示例代表的框图。图9是图示应用了包括图1至图8中的周期信号发生电路的半导体系统的电子系统的配置的实施例的示例代表的示图。具体实施方式在下文中，将通过实施例的各种示例来在下面参照附图描述周期信号发生电路以及包括其的半导体系统。各种实施例可以是针对提供一种周期信号发生电路和包括其的半导体系统，周期信号发生电路被配置为：通过如果由振荡器产生的周期信号在预定区段期间未切换则对内部节点的电荷放电来产生切换的周期信号。参照图1，根据实施例的周期信号发生电路22可以包括振荡器220、检测信号发生单元230和复位信号发生单元240。振荡器220可以响应于使能信号EN来产生基于内部节点(图2的nd21)的电荷量而周期性切换的周期信号OSC。振荡器220可以响应于复位信号RST来将内部节点(图2的nd21)的电荷放电。在实施例中，振荡器220可以使用任何合适类型的环型振荡器来实施。检测信号发生单元230可以检测周期信号OSC的切换周期，并且如果在预定区段期间周期信号OSC未切换，则可以产生检测信号DET。以下结合之后描述的元件来描述用于产生检测信号DET的操作。复位信号发生单元240可以产生复位信号RST。复位信号RST可以响应于检测信号DET而被使能。在实施例中，复位信号发生单元240可以使用任何合适类型的脉冲信号发生电路来实施，脉冲信号发生电路被配置为响应于检测信号DET来产生针对特定区段而产生的脉冲。在实施例中，复位信号发生单元240可以使用任何合适类型的比较器来实施，比较器被配置为产生在检测信号DET的电平高于参考电压VREF的电平时被使能的复位信号RST。在实施例中，复位信号发生单元240可以使用任何合适类型的驱动器来实施，驱动器被配置为产生响应于检测信号DET而被使能的复位信号RST。在实施例中，复位信号RST可以被设置为在检测信号DET的电平达到目标电平时被使能的信号。以下参照之后要描述的附图来描述检测信号DET的目标电平。周期信号发生电路22可以产生周期信号OSC。周期信号OSC可以响应于使能信号EN而周期性切换。周期信号发生电路22可以产生周期信号OSC，如果周期信号OSC在预定周期区段期间未切换，则通过将内部节点(图2的nd21)的电荷放电来切换该周期信号OSC。以下结合之后要描述的元件来描述其中周期信号OSC在预定区段期间未切换的示例。参照图2，根据实施例的振荡器220a可以包括第一缓冲单元221和第一电荷放电单元222。第一缓冲单元221可以包括使用例如但不限于NAND门来实施的第一逻辑元件ND20。第一逻辑元件ND20可以被配置为在使能信号EN被使能时反相并缓冲周期信号OSC，并且将反相且缓冲的信号输出至内部节点nd21。第一缓冲单元221可以包括使用例如但不限于反相器来实施的第二逻辑元件IV20。第二逻辑元件IV20可以被配置为反相并缓冲内部节点nd21的信号并且将反相且缓冲的信号输出至内部节点nd22。第一缓冲单元221可以包括使用例如但不限于反相器来实施的第三逻辑元件IV21。第三逻辑元件IV21可以被配置为通过反相并缓冲内部节点nd22的信号来产生周期信号OSC。第一缓冲单元221的第一逻辑元件ND20、第二逻辑元件IV20和第三逻辑元件IV21可以串联耦接。在实施例中，振荡器220a可以使用被配置为接收反馈回来的周期信号OSC的环型振荡器来实施。在实施例中，第一缓冲单元221可以在使能信号EC被使能时产生切换的周期信号OSC。第一电荷放电单元222可以使用例如但不限于NMOS晶体管N20来实施。第一电荷放电单元222可以电耦接在内部节点nd21与接地电压VSS的端子之间。第一电荷放电单元222可以响应于复位信号RST而导通。例如，第一电荷放电单元222的NMOS晶体管N20可以在复位信号RST被使能为逻辑高电平时导通，因此内部节点nd21的电荷可以被放电至接地电压VSS的端子。参照图3，根据实施例的振荡器220b可以包括第二缓冲单元223和第二电荷放本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体系统，包括：第一半导体器件，被配置为输出命令以及接收数据；以及第二半导体器件，被配置为产生响应于所述命令而周期性切换的周期信号，响应于周期信号来输出所述数据，以及如果周期信号在预定区段期间未切换则将内部节点的电荷放电。

【技术特征摘要】
2015.08.20 KR 10-2015-01174581.一种半导体系统，包括：第一半导体器件，被配置为输出命令以及接收数据；以及第二半导体器件，被配置为产生响应于所述命令而周期性切换的周期信号，响应于周期信号来输出所述数据，以及如果周期信号在预定区段期间未切换则将内部节点的电荷放电。2.如权利要求1所述的半导体系统，其中，如果周期信号在所述预定区段期间未切换则所述内部节点的电荷被放电，因此周期信号切换。3.如权利要求1所述的半导体系统，其中，第二半导体器件包括：内部命令发生电路，被配置为产生内部命令和响应于所述命令而被使能的使能信号；周期信号发生电路，被配置为响应于使能信号来产生周期性切换的周期信号，检测周期信号的切换周期，以及将所述内部节点的电荷放电；以及内部电路，响应于内部命令和周期信号而驱动，并且被配置为输出所述数据。4.如权利要求3所述的半导体系统，其中，周期信号发生电路包括：振荡器，被配置为响应于使能信号来产生基于所述内部节点的电荷量而切换的周期信号；检测信号发生单元，被配置为检测周期信号的切换周期，并且产生如果周期信号在所述预定区段期间未切换则被使能的检测信号；以及复位信号发生单元，被配置为产生响应于检测信号而被使能的复位信号。5.如权利要求4所述的半导体系统，其中，复位信号在检测信号的电平高于目标电平时被使能。6.如权利要求4所述的半导体系统，其中，振荡器包括：缓冲单元，被配...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴明宰，金敬勋，申宇烈，池汉圭，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR