一种图像传感器芯片及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种图像传感器芯片及其制造方法，所述图像传感器芯片的制造方法与常规的刻蚀形成深沟道隔离槽，并在深沟道隔离槽中填充二氧化硅形成深沟道隔离不同，而是通过刻蚀像素的二氧化硅层，并在刻蚀后所形成的凹槽中形成单晶硅层，从而通过剩余的二氧化硅层形成深沟道隔离。如此，由于单晶硅层是刻蚀工艺后形成的，便可避免由深硅干式刻蚀引入的晶格损伤以及刻蚀污染的问题了；同时，剩余作为深沟道隔离的二氧化硅层也能够贯穿刻蚀后形成的单晶硅层。即深沟道隔离能够兼具像素间隔离较彻底以及晶格损伤较少、金属污染较轻的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造
，特别涉及一种图像传感器芯片及其制造方法。
技术介绍
图像传感器芯片是摄像设备的核心部件，其通过将光信号转换成电信号来实现图像拍摄功能。图像传感器芯片由图像传感器晶圆制得，一块图像传感器晶圆能够得到成百上千个图像传感器芯片。为了得到高质量的图像传感器芯片，特别需要注意改善图像传感器芯片的暗电流、白像素、噪声以及信号串扰方面的问题。在改善暗电流、白像素、噪声以及信号串扰方面，常用的方法是增强像素之间的间隔，包括电学隔离和物理隔离。电学隔离采用较深的P型势垒，物理隔离采用浅沟槽隔离，以及最新的深沟道隔离。深沟道隔离形成工艺采用的是深硅干式刻蚀。但是，过深的刻蚀会对沟道侧壁造成晶格损伤，同时时间过长的刻蚀还会增加金属污染。所以常用的深沟道隔离采用非贯穿的结构，来平衡由此产生的缺陷。也就是说，现有技术中，深沟道隔离深度和减小晶格损伤、金属污染之间很难兼得。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种图像传感器芯片及其制造方法，以解决现有技术中的深沟道隔离不能兼具隔离深度以及晶格损伤较少、金属污染较轻的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种图像传感器芯片的制造方法，所述图像传感器芯片的制造方法包括：提供原始晶圆，所述原始晶圆在完成制造工艺后可形成多个芯片单元，每个芯片单元包括像素区和逻辑区，每个像素区包括多个像素单元，每个像素单元包括多个像素，所述原始晶圆包括单晶硅基底层及位于单晶硅基底层上的二氧化硅层；刻蚀间隔像素的二氧化硅层，形成多个间隔排布的第一次凹槽区；在每个第一次凹槽区中形成单晶硅层；刻蚀剩余像素的二氧化硅层，形成多个间隔排布的第二次凹槽区；在每个第二次凹槽区中形成单晶硅层；其中，像素之间剩余的二氧化硅层作为深沟道隔离。可选的，在所述的图像传感器芯片的制造方法中，还包括：刻蚀每个像素单元中部分厚度的深沟道隔离及其两侧部分厚度的单晶硅层，形成多个第三次凹槽区。可选的，在所述的图像传感器芯片的制造方法中，还包括：刻蚀相邻像素单元间部分厚度的深沟道隔离及其两侧部分厚度的单晶硅层，形成多个第四次凹槽区。可选的，在所述的图像传感器芯片的制造方法中，还包括：在每个第三次凹槽区中填充单晶硅，形成浮置扩散区。可选的，在所述的图像传感器芯片的制造方法中，还包括：在每个第四次凹槽区中填充二氧化硅，形成宽隔离。可选的，在所述的图像传感器芯片的制造方法中，所述二氧化硅层的厚度为2μm～5μm。可选的，在所述的图像传感器芯片的制造方法中，通过外延生长工艺在每个第一次凹槽区中形成单晶硅层；通过外延生长工艺在每个第二次凹槽区中形成单晶硅层。可选的，在所述的图像传感器芯片的制造方法中，在每个第一次凹槽区中形成的单晶硅层及在每个第二次凹槽区中形成的单晶硅层均为P型掺杂单晶硅层或者均为N型掺杂单晶硅层。可选的，在所述的图像传感器芯片的制造方法中，还包括：在每个像素单元中形成传输栅、金属接触孔及金属布线。本专利技术还提供一种图像传感器芯片，所述图像传感器芯片由上述的图像传感器芯片的制造方法制成。在本专利技术提供的图像传感器芯片及其制造方法中，与常规的刻蚀形成深沟道隔离槽，并在深沟道隔离槽中填充二氧化硅形成深沟道隔离不同，而是通过刻蚀像素的二氧化硅层，并在刻蚀后所形成的凹槽中形成单晶硅层，从而通过剩余的二氧化硅层形成深沟道隔离。如此，由于单晶硅层是刻蚀工艺后形成的，便可避免由深硅干式刻蚀引入的晶格损伤以及刻蚀污染的问题了；同时，剩余作为深沟道隔离的二氧化硅层也能够贯穿刻蚀后形成的单晶硅层。即深沟道隔离能够兼具像素间隔离较彻底以及晶格损伤较少、金属污染较轻的优点。附图说明图1是本专利技术实施例的原始晶圆的剖面示意图；图2a是本专利技术实施例中经过第一次刻蚀工艺后的原始晶圆中像素单元的剖面示意图；图2b是本专利技术实施例中经过第一次刻蚀工艺后的原始晶圆中像素单元的俯视示意图；图3是本专利技术实施例中在每个第一次凹槽区中形成单晶硅层后的原始晶圆中像素单元的剖面示意图；图4a是本专利技术实施例中经过第二次刻蚀工艺后的原始晶圆中像素单元的剖面示意图；图4b是本专利技术实施例中经过第二次刻蚀工艺后的原始晶圆中像素单元的俯视示意图；图5a是本专利技术实施例中在每个第二次凹槽区中形成单晶硅层后的原始晶圆中像素单元的剖面示意图；图5b是本专利技术实施例中在每个第二次凹槽区中形成单晶硅层后的原始晶圆中像素单元的俯视示意图；图6是本专利技术实施例中经过第三次刻蚀工艺后的结构剖面示意图；图7是本专利技术实施例中经过第四次刻蚀工艺后的结构剖面示意图；图8是本专利技术实施例中填充了第三次凹槽区和第四次凹槽区后的结构剖面示意图；图9是本专利技术实施例中填充了第三次凹槽区和第四次凹槽区后的单个像素单元的俯视示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的图像传感器芯片及其制造方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。本申请实施例首先提供了一种图像传感器芯片的制造方法，其包括：提供原始晶圆，所述原始晶圆在完成制造工艺后可形成多个芯片单元，每个芯片单元包括像素区和逻辑区，每个像素区包括多个像素单元，每个像素单元包括多个像素，所述原始晶圆包括单晶硅基底层及位于单晶硅基底层上的二氧化硅层；刻蚀间隔像素的二氧化硅层，形成多个间隔排布的第一次凹槽区；在每个第一次凹槽区中形成单晶硅层；刻蚀剩余像素的二氧化硅层，形成多个间隔排布的第二次凹槽区；在每个第二次凹槽区中形成单晶硅层；其中，像素之间剩余的二氧化硅层作为深沟道隔离。具体的，首先，请参考图1，其为本专利技术实施例的原始晶圆的剖面示意图。如图1所示，在本申请实施例中，所述原始晶圆10包括单晶硅基底层11及位于所述单晶硅基底层11上的二氧化硅层12。优选的，所述二氧化硅层12的厚度为2μm～5μm。更进一步的，所述二氧化硅层12的厚度与所需的光带二极管的厚度一致。其中，所述原始晶圆10包括多个芯片单元，每个芯片单元包括像素区和逻辑区，每个像素区包括多个像素单元。在本申请实施例中，为了图示的简单，仅示出了一个像素单元，该一个像素单元包括四个像素的情况。接着，请参考图2a和图2b，其中，图2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像传感器芯片的制造方法，其特征在于，包括：提供原始晶圆，所述原始晶圆在完成制造工艺后可形成多个芯片单元，每个芯片单元包括像素区和逻辑区，每个像素区包括多个像素单元，每个像素单元包括多个像素，所述原始晶圆包括单晶硅基底层及位于单晶硅基底层上的二氧化硅层；刻蚀间隔像素的二氧化硅层，形成多个间隔排布的第一次凹槽区；在每个第一次凹槽区中形成单晶硅层；刻蚀剩余像素的二氧化硅层，形成多个间隔排布的第二次凹槽区；在每个第二次凹槽区中形成单晶硅层；其中，像素之间剩余的二氧化硅层作为深沟道隔离。

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器芯片的制造方法，其特征在于，包括：
提供原始晶圆，所述原始晶圆在完成制造工艺后可形成多个芯片单元，每个
芯片单元包括像素区和逻辑区，每个像素区包括多个像素单元，每个像素单元包
括多个像素，所述原始晶圆包括单晶硅基底层及位于单晶硅基底层上的二氧化
硅层；
刻蚀间隔像素的二氧化硅层，形成多个间隔排布的第一次凹槽区；
在每个第一次凹槽区中形成单晶硅层；
刻蚀剩余像素的二氧化硅层，形成多个间隔排布的第二次凹槽区；
在每个第二次凹槽区中形成单晶硅层；
其中，像素之间剩余的二氧化硅层作为深沟道隔离。
2.如权利要求1所述的图像传感器芯片的制造方法，其特征在于，还包括：
刻蚀每个像素单元中部分厚度的深沟道隔离及其两侧部分厚度的单晶硅层，
形成多个第三次凹槽区。
3.如权利要求2所述的图像传感器芯片的制造方法，其特征在于，还包括：
刻蚀相邻像素单元间部分厚度的深沟道隔离及其两侧部分厚度的单晶硅层，
形成多个第四次凹槽区。
4.如权利要求3所述的图像传感器芯片的制造方法，其特征在于，还包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：林峰，肖海波，
申请(专利权)人：豪威科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31