Flash闪存的写操作、擦除操作方法及装置制造方法及图纸

一种Flash闪存的写操作、擦除操作方法及装置，所述Flash闪存的写操作方法包括：接收对所述Flash闪存的写操作指令；获取所述写操作指令中包含的虚拟地址；根据预设的虚拟地址与实际地址的映射关系，获取所述虚拟地址在所述Flash闪存中对应的实际地址；其中，所述Flash闪存中的页为行与列的矩阵结构，一个虚拟地址对应的实际地址为所述矩阵结构中同一行的多个列地址；将待写入数据写入所述虚拟地址对应的实际地址中的空白地址。采用所述写操作、擦除操作方法及装置，可以有效减少Flash闪存的擦除次数，提高Flash闪存的使用寿命。

Method and device for writing and erasing Flash flash memory

Write and erase operation method and apparatus for Flash flash memory, including a write operation method of the Flash flash: receiving a write operation instruction to the Flash flash memory; obtaining the written instructions contained in the virtual address; according to the preset virtual address and the actual address mapping, access to the actual address the virtual address in the Flash flash in the corresponding; among them, the Flash flash pages in the matrix structure of rows and columns, an actual address corresponding to the virtual address with multiple column address line in the matrix structure; will be written into the actual address data is written to the virtual address in the blank. By adopting the writing operation, the erasing operation method and the device, the erasing times of the Flash flash memory can be effectively reduced, and the service life of the Flash flash memory can be improved.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及计算机
，尤其涉及一种Flash闪存的写操作、擦除操作方法及装置。
技术介绍
随着电子技术的不断发展，现有的家电产品越来越智能化。智能家电能够实现的功能越来越多，需要存储的程序代码量越大。目前存储的方式多为闪存(FlashMemory)搭配电可擦可编程只读存储器(ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory，EEPROM)的方式。Flash闪存与EEPROM最大的区别是：Flash闪存按扇区擦除，而EEPROM按字节擦除。由于Flash闪存是按扇区成块的擦除，所以它适用于存储一些变动较小的程序，故它适合做程序存储器。而EEPROM容量小，且可按字节擦除，因此EEPROM适用于存储一些经常变动的参数、变量等，因此适用于做数据存储器。相比于EEPROM，Flash闪存的价格相对较低，且同样晶圆面积下Flash闪存可以得到更大的容量，为降低生产成本，一些对性能要求相对较低的小型家电产品广泛应用Flas本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Flash闪存的写操作方法，其特征在于，包括：接收对所述Flash闪存的写操作指令；获取所述写操作指令中包含的虚拟地址；根据预设的虚拟地址与实际地址的映射关系，获取所述虚拟地址在所述Flash闪存中对应的实际地址；其中，所述Flash闪存中的页为行与列的矩阵结构，一个虚拟地址对应的实际地址为所述矩阵结构中同一行的多个列地址；将待写入数据写入所述虚拟地址对应的实际地址中的空白地址。

【技术特征摘要】
1.一种Flash闪存的写操作方法，其特征在于，包括：
接收对所述Flash闪存的写操作指令；
获取所述写操作指令中包含的虚拟地址；
根据预设的虚拟地址与实际地址的映射关系，获取所述虚拟地址在所述Flash
闪存中对应的实际地址；其中，所述Flash闪存中的页为行与列的矩阵结构，
一个虚拟地址对应的实际地址为所述矩阵结构中同一行的多个列地址；
将待写入数据写入所述虚拟地址对应的实际地址中的空白地址。
2.如权利要求1所述的Flash闪存的写操作方法，其特征在于，所述虚拟地
址对应的实际地址包括一个标志位地址，所述标志位地址用于存储所述虚拟
地址对应的实际地址中其他列地址标志位的数值，所述将待写入数据写入所
述虚拟地址对应的实际地址中的空白地址，包括：获取所述虚拟地址对应的
实际地址中标志位地址存储的标志位的数值，判断所述标志位的数值是否全
部为零，当所述标志位的数值不全为零时，将所述待写入数据写入标志位数
值不为零的列地址。
3.如权利要求2所述的Flash闪存的写操作方法，其特征在于，所述将待写
入数据写入标志位数值不为零的列地址，包括：读取所述标志位的数值，从
低位向高位依次获取所述标志位的数值，将所述待写入数据写入到第一个标
志位数值不为零的列地址。
4.如权利要求2所述的Flash闪存的写操作方法，其特征在于，还包括：当
所述标志位的数值全部为零时，对所述虚拟地址对应的实际地址所处的Flash
闪存页执行擦除操作。
5.如权利要求4所述的Flash闪存的写操作方法，其特征在于，对所述虚拟
地址对应的实际地址所处的Flash闪存页执行擦除操作之前，还包括：获取所
述Flash闪存页中其他虚拟地址对应的实际地址中最新写入的数据，并将所述
其他虚拟地址对应的实际地址中最新写入的数据以及所述待写入数据进行备
份。
6.如权利要求5所述的Flash闪存的写操作方法，其特征在于，对所述虚拟

\t地址对应的实际地址所处的Flash闪存页执行擦除操作完成之后，还包括：将
已备份的数据分别写入对应虚拟地址对应的实际地址中的列地址，所述已备
份的数据包括：其他虚拟地址对应的实际地址中最新写入的数据以及所述待
写入数据。
7.如权利要求6所述的Flash闪存的写操作方法，其特征在于，所述将已备
份的数据分别写入对应虚拟地址的列地址，包括：将所述已备份的数据分别
写入对应虚拟地址对应的实际地址中预设的优先级最高的列地址。
8.一种Flash闪存的擦除操作方法，其特征在于，包括：
接收到对所述Flash闪存的擦除操作指令时，获取所述擦除操作指令中包含的
虚拟地址；
根据预设的虚拟地址和实际地址的映射关系，获取所述虚拟地址在所述Flash
闪存中对应的实际地址所处的页；其中，所述Flash闪存中的页为行与列的矩
阵结构，一个虚拟地址对应的实际地址为所述矩阵结构中同一行的多个列地
址；
对所述虚拟地址对应的实际地址所处的页执行擦除操作。
9.如权利要求8所述的Flash闪存的擦除操作方法，其特征在于，所述接收
到对所述Flash闪存的擦除操作指令，包括：接收到用户向所述Flash闪存发
送擦除操作指令；或当所述虚拟地址对应的实际地址中不存在可写入数据的
列地址时，所接收到的对所述Flash闪存的擦除操作指令。
10.如权利要求9所述的Flash闪存的擦除操作方法，其特征在于，对所述虚
拟地址对应的实际地址所处的页执行擦除操作前还包括：获取所述Flash闪存
页中其他虚拟地址对应的实际地址中最新写入的数据，将所述其他虚拟地址
对应的实际地址中最新写入的数据进行备份。
11.如权利要求10所述的Flash闪存的擦除操作方法，其特征在于，当完成擦
除操作之后，还包括：将已备份的数据分别写入对应虚拟地址对应的实际地
址中的列地址，所述已备份的数据包括其他虚拟地址对应的实际地址中最新
写入的数据。
12.如权利要求11所述的Flash闪存的擦除操作方法，其特征在于，所述将已
备份的数据分别写入对应虚拟地址中的列地址，包括：将所述已备份的数据
分别写入对应虚拟...

【专利技术属性】
技术研发人员：史卫东，李军，李星，潘松，
申请(专利权)人：上海东软载波微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31