一种保护FLASH数据的复位控制电路制造技术

本实用新型专利技术一种保护FLASH数据的复位控制电路，包括与FLASH连接的微控制单元MCU和复位电路，所述复位电路通过逻辑电路与该微控制单元MCU电连接，其中，所述微控制单元MCU接口IO判断FLASH擦除操作，并由逻辑电路生成有效的外部复位信号，当逻辑电路对外部复位电路输出的信号判为无效时，由逻辑电路输出保持信号给微控制单元MCU读取。由于该复位控制电路通过禁止微控制单元MCU擦除FLASH数据时产生外部复位，从而达到防止擦除FLASH数据时强行中断复位导致由FLASH误擦或误写而引起微控制单元MCU错误的目的，可以适用于微控制单元MCU内部的FLASH存储单元或外部FLASH存储。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及复位控制电路
，特别涉及一种保护对微控制単元内的FLASH存储数据的复位控制电路。
技术介绍
FLASH作为存储介质已经广泛应用，将FLASH作为存储介质时通常会设置相应的保护电路，避免出现突然掉电时出现数据丢失情況。现有的FLASH保护技术，大多是在软件层面上，即通过软件的方式针对FLASH数据完整性的保护，或外挂FLASH的保护。对于需要用FLASH内的数据进行修改的系统中，在FLASH擦除过程中复位，可能导致FLASH误擦或误写，引起MCU(Micro Control Unit，微控制単元)无法启动或异常工作，而这种原因造成的破坏通常是不可逆的，也就是说不可恢 复的。同时MCU在运行过程中可能会出现由于各种原因引起外部复位，如手动复位，复位信号受强干扰复位等，也可能对FLASH数据产生破坏。
技术实现思路
本技术主要解决的技术问题是提供一种保护FLASH数据的复位控制电路，该复位控制电路可以避免在需要用FLASH内的数据进行修改的系统中，擦除FLASH过程中复位导致FLASH误擦或误写而引起MCU(无法启动或异常工作。为了解决上述问题，本技术提供一种保护FLASH数据本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种保护FLASH数据的复位控制电路，其特征在于：其包括与FLASH连接的微控制单元MCU和复位电路，所述复位电路通过逻辑电路与该微控制单元MCU电连接，在所述微控制单元MCU接口IO2与逻辑电路之间设有上电延时开关，其中，所述微控制单元MCU接口IO1判断FLASH擦除操作，并由逻辑电路生成有效的外部复位信号，当逻辑电路对外部复位电路输出的信号判为无效时，由逻辑电路输出保持信号给微控制单元MCU读取。

【技术特征摘要】
1.一种保护FLASH数据的复位控制电路，其特征在于 其包括与FLASH连接的微控制単元MCU和复位电路，所述复位电路通过逻辑电路与该微控制单元MCU电连接，在所述微控制单元MCU接ロ 102与逻辑电路之间设有上电延时开关，其中，所述微控制单元MCU接ロ IOl判断FLASH擦除操作，并由逻辑电路生成有效的外部复位信号，当逻辑电路对外部复位电路输出的信号判为无效吋，由逻辑电路输出保持信号给微控制単元MCU读取。2.根据权利要求I所述的保护FLASH数据的复位控制电路，其特征在于 所述微控制单元MCU通过接ロ IO的高低电平反映内部FLASH是否处于擦写状态；当接ロ IO为高电平时，所述FLASH处于擦写状态。3.根据权利要求I或2所述的保护FLASH数据的复位控制电路，其特征在于 当所述微控制単元MCU为低电平复位时逻辑电路的输入输出之间的关系当 BUSY = H, RESET = H ；H0LD = L, RST = H ；当 BUSY = H,...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈平，张超勇，
申请(专利权)人：物联微电子常熟有限公司，
类型：实用新型
国别省市：