多层陶瓷电子组件制造技术

提供了一种多层陶瓷电子组件。所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，介电层和内电极交替地堆叠在陶瓷主体中。介电层包含长轴与短轴的比为3.5或更大的至少一个介电颗粒。内电极包含具有用于介电颗粒的颗粒生长调节成分的陶瓷组分。每个介电层包括与内电极相邻的界面部分以及设置在界面部分之间的中央部分，界面部分和中央部分中的颗粒生长调节成分的浓度彼此不同。

【技术实现步骤摘要】
本申请要求于2015年7月22日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0103745号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被包含于此。
本公开涉及一种多层陶瓷电子组件及其制造方法。
技术介绍
使用陶瓷材料的电子组件(例如，电容器、电感器、压电元件、压敏电阻、热敏电阻等)包括由陶瓷材料形成的陶瓷主体、形成在陶瓷主体中的内电极以及安装在陶瓷主体的表面上以连接到内电极的外电极。在这样的电子组件中，多层陶瓷电容器通常通过使用片方法(sheetmethod)、印刷方法等将用于形成内电极的膏和用于形成介电层的膏进行堆叠并且对堆叠的膏进行烧结来制造。根据现有技术，已经使用钛酸钡(BaTiO3)基介电材料作为多层陶瓷电容器等中使用的介电材料。由于这些电子组件在需要高可靠性的领域中越来越多地被使用，因此对高可靠性多层陶瓷电子组件的需求已增加。同时，根据多层陶瓷电子组件的发展，高电容特性和高可靠性特性的实现已成为需要解决的重要问题。
技术实现思路
本公开的一方面可提供一种多层陶瓷电子组件及其制造方法。根据本公开的一方面，提供一种多层陶瓷电子组件及其制造方法，所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，介电层和内电极交替地堆叠在陶瓷主体中。介电层包含长轴与短轴的比为3.5或更大的至少一个介电颗粒。内电极包含具有用于介电颗粒的颗粒生长调节成分的陶瓷组分。每个介电层由与内电极相邻的界面部分以及设置在界面部分之间的中央部分构成，界面部分和中央部分中的颗粒生长调节成分的浓度彼此不同。根据本公开的另一方面，一种多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，介电层和内电极交替地堆叠在陶瓷主体中。介电层包含长轴与短轴的比为3.5或更大的至少一个介电颗粒。内电极包含用于介电颗粒的颗粒生长调节成分，其中，颗粒生长调节成分为颗粒生长促进剂和颗粒生长抑制剂中的一种或更多种。介电层具有用于介电颗粒的颗粒生长调节成分在陶瓷主体的厚度方向上的浓度梯度。根据本公开的另一方面，一种多层陶瓷电子组件包括：多个内电极，彼此平行地堆叠；多个介电层，设置在堆叠的内电极中的相邻的内电极之间。所述内电极和介电层沿着多层陶瓷电子组件的厚度方向堆叠，各个介电层包含浓度沿着各个介电层的厚度方向变化的颗粒生长调节成分，其中，颗粒生长调节成分为颗粒生长促进剂和颗粒生长抑制剂中的一种或更多种。还提供了一种制造这样的多层陶瓷电子组件的方法。附图说明通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其它方面、特点和优点将被更清楚地理解，在附图中：图1是示出根据示例性实施例的多层陶瓷电子组件的透视图；图2是沿着图1中的I-I'线截取的剖视图；图3是根据第一示例性实施例的图2中的P部分的放大图；图4是根据第二示例性实施例的图2中的P部分的放大图；图5是根据第三示例性实施例的图2中的P部分的放大图；图6是根据第四示例性实施例的图2中的P部分的放大图；图7是根据示例性实施例的通过切割经过烧结的多层主体而获得的扫描电子显微镜(SEM)照片。具体实施方式在下文中，将参照附图在下面描述本专利技术构思的实施例。然而，本专利技术构思可按照许多不同的形式来举例说明，并且不应该被解释为局限于在此阐述的特定实施例。更确切地说，提供这些实施例，以使本公开将是彻底的和完整的，并将本公开的范围充分地传达给本领域技术人员。在整个说明书中，将理解的是，当诸如层、区域或晶圆(基板)的元件被称为“位于”另一元件“上”、“连接到”另一元件或者“结合到”另一元件时，所述元件可直接“位于”另一元件“上”、直接“连接到”另一元件或者直接“结合到”另一元件，或者可存在介于它们之间的其它元件。相比之下，当元件被称为“直接位于”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或者“直接结合到”另一元件时，可不存在介于它们之间的其它元件或层。相同的标号始终指示相同的元件。如在此使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关联的所列项目中的任何以及全部组合。将明显的是，虽然可在此使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种构件、组件、区域、层和/或部分，但是这些构件、组件、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例实施例的教导的情况下，下面描述的第一构件、组件、区域、层或部分可称作第二构件、组件、区域、层或部分。为了描述的方便，可在此使用空间相关的术语(例如，“在……之上”、“上面的”、“在……之下”和“下面的”等)，以描述如图中示出的一个元件与一个或更多个其它元件的关系。将理解的是，除了图中示出的方位之外，空间相关的术语意在包括装置在使用或操作时的不同方位。例如，如果图中的装置翻转，则被描述为相对于其它元件或特征“在”其它元件或特征“之上”的元件或“上面的”元件将被定位为相对于其他元件或特征“在”所述其它元件或特征“之下”或“下面”。因此，术语“在……之上”可根据附图中的装置的特定方向而包含“在……之上”和“在……之下”的两种方位。装置可被另外定位(旋转90度或处于其它方位)，并可对在此使用的空间相关的描述符做出相应解释。在此使用的术语仅用于描述特定实施例，并且无意限制本专利技术构思。除非上下文中另外清楚地指明，否则如在此使用的单数形式也意在包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用的术语“包括”和/或“包含”时，列举存在所述的特征、整体、步骤、操作、构件、元件和/或组，而并不排除存在或增加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、构件、元件和/或组。在下文中，将参照示出本专利技术构思的实施例的示意图来描述本专利技术构思的实施例。在附图中，例如，示出了组件的理想的形状。然而，由于制造技术和/或公差，相对于示出的这些组件，所述组件可被制造为具有修改的形状。因此，本专利技术构思的实施例不应被解释为受限于在此示出的区域的特定形状，而是应更普遍地被解释为包括由于制造工艺和非理想因素造成的形状的改变。本专利技术构思也可由在此示出和/或描述的一个或多个实施例的组合而构成。下面描述的本专利技术构思的内容可具有多种构造。在此仅示出并描述了示例性构造，专利技术构思不限于此，并且应被解释为扩展为全部合适的构造。图1是示出根据示例性实施例的多层陶瓷电子组件100的示意性透视图，图2是沿着图1中的I-I'线截取的多层陶瓷电子组件100的示意性剖视图。参照图1和图2，根据示例性实施例的多层陶瓷电子组件100可包括陶瓷主体110以及设置在陶瓷主体的外表面上的外电极131和132。陶瓷主体110可包括：有源部，被限定为对形成电子组件的电容做出贡献的部分；上覆盖层和下覆盖层，分别形成在有源部的上表面和下表面上作为上边缘部和下边缘部。有源部可包括介电层111以及内电极121和122，并且可通过堆叠其上印刷有内电极121和122的介电层111而形成。上覆盖层可包括陶瓷主体110的包括设置在最上边的内电极(121或122)之上的介电层111的部分，下覆盖层可包括陶瓷主体110的设置在最下边的内电极(121或122)之下的介电层111的部分。在示例性实施例中，陶瓷主体110的形状不受具体限制，但可大体上为六面体形状。注意的是：当电子组件进行烧结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层陶瓷电子组件，包括：陶瓷主体，在陶瓷主体中，介电层和内电极交替地堆叠，其中，介电层包含长轴与短轴的比为3.5或更大的至少一个介电颗粒，内电极包含具有用于介电颗粒的颗粒生长调节成分的陶瓷组分，每个介电层包括与内电极相邻的界面部分以及设置在界面部分之间的中央部分，界面部分和中央部分中的颗粒生长调节成分的浓度彼此不同。

【技术特征摘要】
2015.07.22 KR 10-2015-01037451.一种多层陶瓷电子组件，包括：陶瓷主体，在陶瓷主体中，介电层和内电极交替地堆叠，其中，介电层包含长轴与短轴的比为3.5或更大的至少一个介电颗粒，内电极包含具有用于介电颗粒的颗粒生长调节成分的陶瓷组分，每个介电层包括与内电极相邻的界面部分以及设置在界面部分之间的中央部分，界面部分和中央部分中的颗粒生长调节成分的浓度彼此不同。2.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，长轴与短轴的比为3.5或更大的介电颗粒以0.1％至30％的含量包含在单个介电层中。3.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，内电极包含束缚在内电极中的陶瓷组分，内电极的总截面面积中被陶瓷组分占据的截面面积为3％至30％。4.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，存在于与内电极相邻的界面部分中的介电颗粒的厚度T2与介电层的厚度T1的比T2/T1为10％至45％。5.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，存在于设置在界面部分之间的中央部分中的介电颗粒的平均颗粒尺寸等于或小于存在于界面部分中的介电颗粒的平均颗粒尺寸的85％。6.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，存在于与内电极相邻的界面部分中的介电颗粒的厚度T2与介电层的厚度T1的比T2/T1为2％至30％。7.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，存在于界面部分中的介电颗粒的平均颗粒尺寸等于或小于存在于设置在界面部分之间的中央部分中的介电颗粒的平均颗粒尺寸的85％。8.一种多层陶瓷电子组件，包括：陶瓷主体，在陶瓷主体中，介电层和内电极交替地堆叠；其中，介电层包含长轴与短轴的比为3.5或更大的至少一个介电颗粒，内电极包含用于介电颗粒的颗粒生长调节成分，颗粒生长调节成分为颗粒生长促进剂和颗粒生长抑制剂中的一种或更多种，介电层具有用于介电颗粒的颗粒生长调节成分在陶瓷主体的厚度方向上的浓度梯度。9.如权利要求8所述的多层陶瓷电子组件，其中，每个介电层包括与内电极相邻的界面部分以及设置在界面部分之间的中央部分，所述中央部分中的颗粒生长促进剂的浓度比界面部分中的颗粒生长促进剂的浓度低。10.如权利要求8所述的多层陶瓷电子组件，其中，每个介电层包括与内电极相邻的界面部分以及设置在界面部分之间的中央部分，所述中央部分中的颗粒生长抑制剂的浓度比界面部分中的颗粒生长抑制剂的浓度高，所述界面部分中的颗粒生长促进剂的浓度比中央部分中的颗粒生长促进剂的浓度高。11...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴今珍，崔畅学，刘正勋，金斗永，辛敏基，李治和，李哲承，金钟翰，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR