新型过流保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种新型过流保护电路，包括驱动电路和电源输出端，还设有过流保护电路，过流保护电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、三极管、MOS管、单向二极管、运算放大器和电容。本实用新型专利技术的结构简单、压比较点使用稳定电压进行对比，因此过流电流点相对比较稳定，解决了传统技术中过流电流点波动性较大的技术不足，单向二极管的续流作用使运算放大器的正极输出端正的值保持为高电平，三极管保持导通，MOS管保持截止，主电流无法再次导通，从而保护了器件的安全，令电路具有可恢复性保护，解决了传统技术中容易因驱动部分出现短路情况而造成电路出现重复导通关断的技术不足。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及过流保护电路
，特别涉及一种新型过流保护电路。
技术介绍
在电子应用中，会存在器件出现异常情况，导致电流过大或者出现短路的情况，若线路板上没有保护作用的话，将会对线路板的其它元件产生不可恢复的破坏，甚至引起火灾。因此需要在驱动电路上添加过流保护电路，但其出现异常时，可作出保护，令其快速关断保护电路。常用的过流保护电路如附图1所示。电阻R2为较小阻值的电阻，正常情况下驱动部分的主电流都会通过该电阻，当驱动部分出现异常令主电流增大，增大到一定值时，即电阻R2两端电压大于三极管Q2的BE端开启阀值时，三极管Q2的CE端导通，使场效应管Q3的栅极G极电压接近为0，即场效应管将会关闭，主电流将会关断。但该电路存在几点缺点：每一个三极管Q2的BE端开启阀值存在差异，因此过流电流点波动性较大；当过流电流关断后，电阻R2同样会因失去电流而令三极管Q2停止工作，场效应管将再次开启，假若驱动部分出现短路等情况下，电路将会出现重复导通关断的情况，该情况下都同样存在一定风险。
技术实现思路
本技术的主要目的是提供一种新型过流保护电路，其结构简单、可有效解决传统技术中过流电流点波动性较大且容易因驱动部分出现短路情况而造成电路出现重复导通关断的技术不足。。本技术提出一种新型过流保护电路，包括驱动电路和与所述驱动电路相连接的电源输出端，还设有过流保护电路，所述过流保护电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、三极管、MOS管、单向二极管、运算放大器和电容，所述运算放大器的输出端通过第一电阻连接在三极管的基极上，所述三极管的集电极与MOS管的栅极相连接，所述MOS管的漏极与驱动电路相连接，所述MOS管的源极通过第二电阻接地线，所述MOS管的栅极通过第三电阻接连接在MOS管的源极上，所述三极管的发射极连接在MOS管的源极上，所述三极管的基极通过第四电阻连接在MOS管的源极上，所述三极管的集电极通过第五电阻连接在固定电源输入端，所述第六电阻与第七电阻串联后连接在固定电源输入端与地线之间，所述运算放大器的负极输入端连接在第六电阻与第七电阻的连接点上，所述运算放大器的正极输入端通过电容接地线，所述单向二极管的正极连接的运算放大器的输出端、负极连接在运算放大器的正极输入端，所述第八电阻的一端连接在运算放大器的正极输入端、另一端连接在三极管的发射极上。所述MOS管为N型MOS管。所述三极管为NPN型三极管。所述运算放大器的型号为LM358。本技术的结构简单、压比较点使用稳定电压进行对比，因此过流电流点相对比较稳定，可有效解决传统技术中过流电流点波动性较大的技术不足，而且设有单向二极管的续流作用使运算放大器的正极输出端正的值保持为高电平，三极管保持导通，MOS管保持截止，主电流无法再次导通，从而保护了器件的安全，同时保护了其它电路，令电路具有可恢复性保护，解决了传统技术中容易因驱动部分出现短路情况而造成电路出现重复导通关断的技术不足，使用稳定性好且适用性强。附图说明图1为现有技术的过流保护电路结构示意图；图2为本技术的实施例示意图。本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。参照图2，提出本技术的的一实施例，一种新型过流保护电路，包括驱动电路1和与所述驱动电路1相连接的电源输出端2（VCC），还设有过流保护电路3，所述过流保护电路3包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、三极管Q1、MOS管Q2、单向二极管D1、运算放大器U1和电容C，所述运算放大器U1的输出端通过第一电阻R1连接在三极管Q1的基极上，所述三极管Q1的集电极与MOS管Q2的栅极相连接，所述MOS管Q2的漏极与驱动电路1相连接，所述MOS管Q2的源极通过第二电阻R2接地线，所述MOS管Q2的栅极通过第三电阻R3接连接在MOS管Q2的源极上，所述三极管Q1的发射极连接在MOS管Q2的源极上，所述三极管Q1的基极通过第四电阻R4连接在MOS管Q2的源极上，所述三极管Q1的集电极通过第五电阻R5连接在固定电源输入端VDD，所述第六电阻R6与第七电阻R7串联后连接在固定电源输入端VDD与地线之间，所述运算放大器U1的负极输入端连接在第六电阻R6与第七电阻R7的连接点上，所述运算放大器U1的正极输入端通过电容C接地线，所述单向二极管D1的正极连接的运算放大器U1的输出端、负极连接在运算放大器U1的正极输入端，所述第八电阻R8的一端连接在运算放大器U1的正极输入端、另一端连接在三极管Q1的发射极上。所述MOS管为N型MOS管。所述三极管为NPN型三极管。所述运算放大器的型号为LM358。驱动部分的主电流同样经过电阻R2，而电阻R2两端的电压值相当于V+的电压值，同时由于VDD为一个固定电压值，因此经过R6和R7的分压，V-点的电压值同样为一个固定电压值。当主电流正常工作，低于过流保护电流值时，点V+电压值低于点V-电压值，因此点V0为低电平输出，因此三极管Q1为截止，场效应管Q2栅极G极为高电平，场效应管正常工作。当主电流电流瞬间增大，超过过流保护电流值时，点V+电压值高于点V-，因此点V0为高电平输出，因此三极管Q1为导通状态，而场效应管Q2为截止状态，关断主电流。虽然主电流关断，但由于二极管D1的作用，V0输出的高电平通过二极管D1继续给R8和R2供电，令到点V+的电压值始终保持大于V-的状态，同时三极管Q1继续保持导通，而场效应管Q2保持截止状态，主电流始终保持关断。本技术的结构简单、压比较点使用稳定电压进行对比，因此过流电流点相对比较稳定，可有效解决传统技术中过流电流点波动性较大的技术不足，而且设有单向二极管的续流作用使运算放大器的正极输出端正的值保持为高电平，三极管保持导通，MOS管保持截止，主电流无法再次导通，从而保护了器件的安全，同时保护了其它电路，令电路具有可恢复性保护，解决了传统技术中容易因驱动部分出现短路情况而造成电路出现重复导通关断的技术不足，使用稳定性好且适用性强。以上所述仅为本技术的优选实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接或间接运用在其他相关的
，均同理包括在本技术的专利保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型过流保护电路，包括驱动电路和与所述驱动电路相连接的电源输出端，其特征在于：还设有过流保护电路，所述过流保护电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、三极管、MOS管、单向二极管、运算放大器和电容，所述运算放大器的输出端通过第一电阻连接在三极管的基极上，所述三极管的集电极与MOS管的栅极相连接，所述MOS管的漏极与驱动电路相连接，所述MOS管的源极通过第二电阻接地线，所述MOS管的栅极通过第三电阻接连接在MOS管的源极上，所述三极管的发射极连接在MOS管的源极上，所述三极管的基极通过第四电阻连接在MOS管的源极上，所述三极管的集电极通过第五电阻连接在固定电源输入端，所述第六电阻与第七电阻串联后连接在固定电源输入端与地线之间，所述运算放大器的负极输入端连接在第六电阻与第七电阻的连接点上，所述运算放大器的正极输入端通过电容接地线，所述单向二极管的正极连接的运算放大器的输出端、负极连接在运算放大器的正极输入端，所述第八电阻的一端连接在运算放大器的正极输入端、另一端连接在三极管的发射极上；所述MOS管为N型MOS管。

【技术特征摘要】
1.一种新型过流保护电路，包括驱动电路和与所述驱动电路相连接的电源输出端，其特征在于：还设有过流保护电路，所述过流保护电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、三极管、MOS管、单向二极管、运算放大器和电容，所述运算放大器的输出端通过第一电阻连接在三极管的基极上，所述三极管的集电极与MOS管的栅极相连接，所述MOS管的漏极与驱动电路相连接，所述MOS管的源极通过第二电阻接地线，所述MOS管的栅极通过第三电阻接连接在MOS管的源极上，所述三极管的发射极连接在MOS管的源极上，所述三极管的基极通过第四电阻连接在MOS管的源极上...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄植富，
申请(专利权)人：广东金莱特电器股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44