【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种保护电路,具体是一种电源过流保护电路。
技术介绍
由于电力变换装置均工作在大功率环境中,过流和短路是不可避免的,为了确保电力变换装置安全可靠地工作,有效的电流保护设计是必须的,现代电力变换装置均采用大功率半导体开关器件,其所能承受的电流过载能力相对于旋转变流装置要低得多。现有的过流保护的电路设计多种多样,有些采用可编程逻辑器件进行控制,虽然精度较高,但是成本也高。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种低成本的电源过流保护电路,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种电源过流保护电路,包括电位器RP1、电阻R1、单向可控硅VS、三极管VT1和按键开关SB,所述电阻R1一端分别连接电位器RP1一端、电位器RP1滑片和电源VCC,电位器RP1另一端连接三极管VT1发射极,三极管VT1集电极分别连接电阻R2和单向可控硅VS的G极,单向可控硅VS的A极分别连接电阻R1另一端、三极管VT1基极、二极管D1负极、按键开关SB、电位器RP2一端、电阻R6、电阻R7、电容C1和输出端Vo,单向可控硅VS的K极分别连接二极管D1正极、按键开关SB另一端和电位器RP2另一端,电位器RP2滑片连接三极管VT3基极,三极管VT3发射极分别连接电阻R6另一端和三极管VT4基极,三极管VT4发射极分别连接电阻R7另一端和三极管VT5基极,三极管VT5集电极分别连接三极管VT4集电极、三极管VT3集电极和电阻R2另一端,三极管VT5发射极连接电容C1另一端。作为本技术再进一步的方案:所述二极管D1为稳压二极管。与现有技术相比,本技术的有益效果 ...
【技术保护点】
一种电源过流保护电路,包括电位器RP1、电阻R1、单向可控硅VS、三极管VT1和按键开关SB,其特征在于,所述电阻R1一端分别连接电位器RP1一端、电位器RP1滑片和电源VCC,电位器RP1另一端连接三极管VT1发射极,三极管VT1集电极分别连接电阻R2和单向可控硅VS的G极,单向可控硅VS的A极分别连接电阻R1另一端、三极管VT1基极、二极管D1负极、按键开关SB、电位器RP2一端、电阻R6、电阻R7、电容C1和输出端Vo,单向可控硅VS的K极分别连接二极管D1正极、按键开关SB另一端和电位器RP2另一端,电位器RP2滑片连接三极管VT3基极,三极管VT3发射极分别连接电阻R6另一端和三极管VT4基极,三极管VT4发射极分别连接电阻R7另一端和三极管VT5基极,三极管VT5集电极分别连接三极管VT4集电极、三极管VT3集电极和电阻R2另一端,三极管VT5发射极连接电容C1另一端。
【技术特征摘要】
1.一种电源过流保护电路,包括电位器RP1、电阻R1、单向可控硅VS、三极管VT1和按键开关SB,其特征在于,所述电阻R1一端分别连接电位器RP1一端、电位器RP1滑片和电源VCC,电位器RP1另一端连接三极管VT1发射极,三极管VT1集电极分别连接电阻R2和单向可控硅VS的G极,单向可控硅VS的A极分别连接电阻R1另一端、三极管VT1基极、二极管D1负极、按键开关SB、电位器RP2一端、电阻R6、电阻R7、电容C1和输出端Vo,单向可...
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