一种防止栅极肩部生长SiGe多余物的方法技术

本发明专利技术提供了一种防止栅极肩部生长SiGe多余物的方法，包括：提供包含PMOS区域和NMOS区域的半导体衬底，并且在所述衬底上形成有NMOS栅极结构和PMOS栅极结构，NMOS栅极结构和PMOS栅极结构上形成有第一硬掩模，NMOS栅极结构和PMOS栅极结构的侧壁形成有第一侧墙；在PMOS区域和NMOS区域上形成第一材料层；在第一材料层上形成第二材料层；对第二材料层进行刻蚀以便在NMOS栅极结构和PMOS栅极结构侧壁形成第二侧墙；在PMOS区域和NMOS区域上形成第二硬掩模层；图案化第二硬掩模层，仅仅留下NMOS区域上的部分硬掩模层，并且利用部分硬掩模层执行刻蚀以形成PMOS区域的SiGe源漏U型沟槽；通过刻蚀使SiGe源漏U型沟槽形成为∑型沟槽，并执行PMOS源漏区SiGe外延生长。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，更具体地说，本专利技术涉及一种防止栅极肩部生长SiGe多余物的方法，主要应用在28纳米集成电路，特别是涉及SRAM工艺制造中。
技术介绍
集成电路工艺发展到28纳米及以下时，SiGe的生长以及控制出现了巨大的挑战，特别是工艺窗口的限制。尤其是，进行PMOS区离子植入对第一道侧墙厚度的要求不能过厚。然而，实际上，在SiGeU型刻蚀，四甲基氢氧化铵(TMAH)刻蚀以及SiGe生长之前的清洗过程造成了栅极硬掩模以及侧墙的损失，导致侧墙覆盖栅极的薄膜厚度有限，在生长SiGe时可能生长出SiGe多余物，形成缺陷，生长的大小及生长方向无法控制，对后续的工艺造成影响，甚至导致SRAM没有功能。因此，为了解决了28纳米集成电路中锗硅集成工艺最大的这一工艺挑战，希望能够找到合适的工艺过程以防止PMOS有源区边缘生长出SiGe多余物是特别重要的。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够防止栅极肩部生长SiGe多余物的方法。为了实现上述技术目的，根据本专利技术，提供了一种一种防止栅极肩部生长SiGe多余物的方法，包括：提供包含PMO本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防止栅极肩部生长SiGe多余物的方法，其特征在于包括：提供包含PMOS区域和NMOS区域的半导体衬底，并且在所述衬底上形成有NMOS栅极结构和PMOS栅极结构，NMOS栅极结构和PMOS栅极结构上形成有第一硬掩模，NMOS栅极结构和PMOS栅极结构的侧壁形成有第一侧墙；在PMOS区域和NMOS区域上形成第一材料层；在第一材料层上形成第二材料层；对第二材料层进行刻蚀以便在NMOS栅极结构和PMOS栅极结构侧壁形成第二侧墙；在PMOS区域和NMOS区域上形成第二硬掩模层；图案化第二硬掩模层，仅仅留下NMOS区域上的部分硬掩模层，并且利用部分硬掩模层执行刻蚀以形成PMOS区域的SiGe源漏U型沟...

【技术特征摘要】
1.一种防止栅极肩部生长SiGe多余物的方法，其特征在于包括：提供包含PMOS区域和NMOS区域的半导体衬底，并且在所述衬底上形成有NMOS栅极结构和PMOS栅极结构，NMOS栅极结构和PMOS栅极结构上形成有第一硬掩模，NMOS栅极结构和PMOS栅极结构的侧壁形成有第一侧墙；在PMOS区域和NMOS区域上形成第一材料层；在第一材料层上形成第二材料层；对第二材料层进行刻蚀以便在NMOS栅极结构和PMOS栅极结构侧壁形成第二侧墙；在PMOS区域和NMOS区域上形成第二硬掩模层；图案化第二硬掩模层，仅仅留下NMOS区域上的部分硬掩模层，并且利用部分硬掩模层执行刻蚀以形成PMOS区域的SiGe源漏U型沟槽；通过刻蚀使SiGe源漏U型沟槽形成为∑型沟槽，并执行PMOS源漏区SiGe外延生长。2.根据权利要求1所述的防止栅极肩部生长SiGe多余物的方法，其特征在于，第一硬掩模的材料为氮化硅。3.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：信恩龙，李润领，关天鹏，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31