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本发明提供了一种防止栅极肩部生长SiGe多余物的方法，包括：提供包含PMOS区域和NMOS区域的半导体衬底，并且在所述衬底上形成有NMOS栅极结构和PMOS栅极结构，NMOS栅极结构和PMOS栅极结构上形成有第一硬掩模，NMOS栅极结构和P...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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