一种大容量薄膜电容器制造技术

本发明专利技术属于电容器技术领域，具体涉及一种大容量薄膜电容器，由下到上依次为基板、电介质层和电极层，所述基板为多层基板，所述电介质层由含胍化合物的下层电介质层和由钙钛矿型结晶结构的氧化物形成的上层电介质层构成。本发明专利技术中利用多层基板的结构形式，使薄膜电容器与印刷电路板能够很好的结合，简化操作过程，稳定性较好；利用双层电介质层，其中含胍化合物的下层电介质与多层基板上层的单晶硅基板相结合，不仅提高了双层电介质层的介电常数，具有较好的可加工性，同时具有较好的耐用性；利用单晶硅基板提高电极的比表面积，增加电介质与电机的接触面积，提高其薄膜电容器的电容量，其电容量为相同尺寸普通电极薄膜电容量的2倍以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电容器
，具体涉及一种大容量薄膜电容器。
技术介绍
现有薄膜电容器中，对电容器的电容量有了更高的要求，现有技术中，薄膜电容器一般包括基板、电介质层以及电极层，电介质层的微观结构决定电容器的性能，因此对薄膜电容器的基板材料构造也有严格的要求，现有薄膜电容器的基板通常有金属镍构成，镍基板的纯度或杂质会对电容器的性能产生影响，可能会泄漏电流，影响薄膜电容器的品质，其中电介质层厚度的减小是有限的，因此需要通过改变材料来增加电容器容量的要求，但是单一的改变材料很难真正的解决问题，因此需要一种新的方法。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有的问题，提供了一种大容量薄膜电容器。本专利技术是通过以下技术方案实现的：一种大容量薄膜电容器，由下到上依次为基板、电介质层和电极层，所述基板为多层基板，该多层结构由下到上依次为铜铬合金基板、含有杂质的镍基板和单晶硅基板；其中，铜铬合金原料中质量百分数为55%的氧化铜与三氧化二铬的含量比为3-4:1；其中，含有杂质的镍基板中镍含量的重量百分比不小于99.97%，剩余杂质的重量百分比如下：铁0.003-0.005%，银0.006-0.008%，钨0.0008-0.0012%，锰0.01-0.012%，铟0.0004-0.0008%，钼0.004-0.006%，锶0.0002-0.0006%；所述电介质层由含胍化合物的下层电介质层和由钙钛矿型结晶结构的氧化物形成的上层电介质层构成。作为对上述方案的进一步改进，所述多层基板的厚度为220-240μm，其中铜铬合金基板的厚度为80-100μm，含有杂质的镍基板的厚度为60-80μm。作为对上述方案的进一步改进，质量百分数为55%的氧化铜除氧化铜以外均为未氧化的铜。作为对上述方案的进一步改进，所述含胍化合物是指甲硅烷基胍化合物、苯甲基胍类化合物、芳硫基-亚烷基胍类化合物或芳基缩二胍类化合物中的任意一种。作为对上述方案的进一步改进，所述下层电介质层的厚度为6-8μm，上层电介质层的厚度为15-20μm。本专利技术相比现有技术具有以下优点：本专利技术中利用多层基板的结构形式，使薄膜电容器与印刷电路板能够很好的结合，简化操作过程，稳定性较好；利用双层电介质层，其中含胍化合物的下层电介质与多层基板上层的单晶硅基板相结合，不仅提高了双层电介质层的介电常数，具有较好的可加工性，同时具有较好的耐用性；利用单晶硅基板提高电极的比表面积，增加电介质与电机的接触面积，提高其薄膜电容器的电容量，其电容量为相同尺寸普通电极薄膜电容量的2倍以上。附图说明图1为薄膜电容器用多层基板的结构示意图。其中，1-PCB板，2-基板，21-铜铬合金基板，22-含有杂质的镍基板，23-单晶硅基板，3-电介质层，31-含胍化合物的下层电介质层，32-由钙钛矿型结晶结构的氧化物形成的上层电介质层，4-电极。具体实施方式如图1中所述，薄膜电容器设于PCB板1上，薄膜电容器由下到上依次为基板2、电介质层3和电极4，其中基板2由下到上依次为：铜铬合金基板21、含有杂质的镍基板22和单晶硅基板23；所述电介质层3由含胍化合物的下层电介质层31和由钙钛矿型结晶结构的氧化物形成的上层电介质层32构成。实施例1一种大容量薄膜电容器，由下到上依次为基板、电介质层和电极层，所述基板为多层基板，该多层结构由下到上依次为铜铬合金基板、含有杂质的镍基板和单晶硅基板；其中，铜铬合金原料中质量百分数为55%的氧化铜与三氧化二铬的含量比为3-4:1；其中，含有杂质的镍基板中镍含量的重量百分比为99.9752%，剩余杂质的重量百分比如下：铁0.003%，银0.008%，钨0.0008%，锰0.012%，铟0.0004%，钼0.004%，锶0.0002%；所述电介质层由含胍化合物的下层电介质层和由钙钛矿型结晶结构的氧化物形成的上层电介质层构成。其中，所述多层基板的厚度为220μm，其中铜铬合金基板的厚度为80μm，含有杂质的镍基板的厚度为70μm；质量百分数为55%的氧化铜除氧化铜以外均为未氧化的铜。其中，所述含胍化合物是指甲硅烷基胍化合物；所述下层电介质层的厚度为8μm，上层电介质层的厚度为15μm。测试结果表明，采用本实施例中多层基板制备的薄膜电容器，为与其尺寸相同的普通薄膜电容器电容量2.2倍。实施例2一种大容量薄膜电容器，由下到上依次为基板、电介质层和电极层，所述基板为多层基板，该多层结构由下到上依次为铜铬合金基板、含有杂质的镍基板和单晶硅基板；其中，铜铬合金原料中质量百分数为55%的氧化铜与三氧化二铬的含量比为3-4:1；其中，含有杂质的镍基板中镍含量的重量百分比为99.9722%，剩余杂质的重量百分比如下：铁0.005%，银0.006%，钨0.0008%，锰0.01%，铟0.0006%，钼0.005%，锶0.0004%；所述电介质层由含胍化合物的下层电介质层和由钙钛矿型结晶结构的氧化物形成的上层电介质层构成。其中，所述多层基板的厚度为230μm，其中铜铬合金基板的厚度为80μm，含有杂质的镍基板的厚度为80μm；质量百分数为55%的氧化铜除氧化铜以外均为未氧化的铜。其中，所述含胍化合物是指甲硅烷基胍化合物、苯甲基胍类化合物、芳硫基-亚烷基胍类化合物或芳基缩二胍类化合物中的任意一种；所述下层电介质层的厚度为7μm，上层电介质层的厚度为18μm。测试结果表明，采用本实施例中多层基板制备的薄膜电容器，为与其尺寸相同的普通薄膜电容器电容量2.1倍。实施例3一种大容量薄膜电容器，由下到上依次为基板、电介质层和电极层，所述基板为多层基板，该多层结构由下到上依次为铜铬合金基板、含有杂质的镍基板和单晶硅基板；其中，铜铬合金原料中质量百分数为55%的氧化铜与三氧化二铬的含量比为3-4:1；其中，含有杂质的镍基板中镍含量的重量百分比为99.9718%，剩余杂质的重量百分比如下：铁0.005%，银0.007%，钨0.001%，锰0.008%，铟0.0006%，钼0.006%，锶0.0006%；所述电介质层由含胍化合物的下层电介质层和由钙钛矿型结晶结构的氧化物形成的上层电介质层构成。其中，所述多层基板的厚度为240μm，其中铜铬合金基板的厚度为100μm，含有杂质的镍基板的厚度为80μm；质量百分数为55%的氧化铜除氧化铜以外均为未氧化的铜。其中，所述含胍化合物是指甲硅烷基胍化合物、苯甲基胍类化合物、芳硫基-亚烷基胍类化合物或芳基缩二胍类化合物中的任意一种；所述下层电介质层的厚度为6μm，上层电介质层的厚度为20μm。测试结果表明，采用本实施例中多层基板制备的薄膜电容器，为与其尺寸相同的普通薄膜电容器电容量2.2倍。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大容量薄膜电容器，由下到上依次为基板、电介质层和电极层，其特征在于，所述基板为多层基板，该多层结构由下到上依次为铜铬合金基板、含有杂质的镍基板和单晶硅基板；其中，铜铬合金原料中质量百分数为55%的氧化铜与三氧化二铬的含量比为3‑4:1；其中，含有杂质的镍基板中镍含量的重量百分比不小于99.97%，剩余杂质的重量百分比如下：铁0.003‑0.005%，银0.006‑0.008%，钨0.0008‑0.0012%，锰0.01‑0.012%，铟0.0004‑0.0008%，钼0.004‑0.006%，锶0.0002‑0.0006%；所述电介质层由含胍化合物的下层电介质层和由钙钛矿型结晶结构的氧化物形成的上层电介质层构成。

【技术特征摘要】
1.一种大容量薄膜电容器，由下到上依次为基板、电介质层和电极层，其特征在于，所述基板为多层基板，该多层结构由下到上依次为铜铬合金基板、含有杂质的镍基板和单晶硅基板；其中，铜铬合金原料中质量百分数为55%的氧化铜与三氧化二铬的含量比为3-4:1；其中，含有杂质的镍基板中镍含量的重量百分比不小于99.97%，剩余杂质的重量百分比如下：铁0.003-0.005%，银0.006-0.008%，钨0.0008-0.0012%，锰0.01-0.012%，铟0.0004-0.0008%，钼0.004-0.006%，锶0.0002-0.0006%；所述电介质层由含胍化合物的下层电介质层和由钙钛矿型结晶结构的氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡忠胜，华玲萍，吴良军，
申请(专利权)人：安徽飞达电气科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34