一种调光膜电控系统技术方案

本发明专利技术公开了一种调光膜电控系统，包括微处理器、过零检测电路、充电电路、放电电路和调光膜，所述微处理器的第一输出端与充电电路的第一输入端连接，所述微处理器的输入端与过零检测电路的输出端连接，所述过零检测电路的第一输入端与充电电路的第一输出端相连接，所述过零检测电路的第二输出端与放电电路的第一输出端相连接，所述充电电路的第二输出端与放电电路的第二输出端均与调光膜的电极连接。本发明专利技术通过充电电路和放电电路能实现调光膜整体透明度调节，可以不用将调光膜分段切块，既可以实现调光膜透明度从下往上的渐变调节，还可以根据需要实现透明和不透明不同占比的调节。本发明专利技术可广泛应用于调光膜产品中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及调光膜
，尤其涉及一种调光膜电控系统。
技术介绍
传统的调光膜控制方法是通过简单的通电断电，实现调光膜的透明和不透明控制，或者通过简单的调节电源输出电压，实现调光膜的整体透明度控制，而且若需要从下往上的方式渐变调节透明度的话，现有技术只能通过将调光膜分段切块，通过调节每块的透明度实现从下往上的渐变调节。如果调光膜分段切成n块，則需要n+1（一根公共线）根控制线，接线繁琐。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本发的目的是提供一种接线简单，且能实现渐变调节的一种调光膜电控系统。本专利技术所采取的技术方案是：一种调光膜电控系统，包括微处理器、过零检测电路、充电电路、放电电路和调光膜，所述微处理器的第一输出端与充电电路的输入端连接，所述微处理器的第二输出端与放电电路的输入端连接，所述微处理器的输入端与过零检测电路的输出端连接，所述充电电路的输出端与放电电路的输出端均与调光膜的电极连接。作为本专利技术的进一步改进，所述过零检测电路包括第一光耦合器、第一电阻、第二电阻和第三电阻，所述第一光耦合器原边的阳极通过第二电阻连接至电源输入端，所述第一光耦合器原边的阴极通过第三电阻连接至电源输入端，所述第一光耦合器副边的集电极通过第一电阻连接至电源端，所述第一光耦合器副边的集电极连接至微处理器的输入端，所述第一光耦合器副边的发射极与地连接。作为本专利技术的进一步改进，所述放电电路包括第二光耦合器、第四电阻和第七电阻，所述第二光耦合器原边的阴极与微处理器的第二输出端连接，所述第二光耦合器原边的阳极通过第四电阻连接至电源端，所述第二光耦合器副边的第一端连接至调光膜的电极，所述第二光耦合器副边的第二端通过第七电阻与地连接。作为本专利技术的进一步改进，所述充电电路包括第三光耦合器、PNP晶体管、二极管、第五电阻、第六电阻、NMOS管和桥堆，所述第三光耦合器原边的阴极与微处理器的第一输出端连接，所述第三光耦合器原边的阳极通过第五电阻进而连接至电源端，所述第三光耦合器副边的集电极连接至工作电源端，所述第三光耦合器副边的发射极分别与二极管的正极端和PNP晶体管的基极连接，所述二极管的负极端分别与PNP晶体管的发射极和NMOS管的栅极相连接，所述PNP晶体管的基极通过第六电阻连接至PNP晶体管的集电极，所述PNP晶体管的集电极分别与NMOS管的源极和桥堆的第四端相连接，所述NMOS管的漏极与桥堆的第二端连接，所述桥堆的第一端与电源输入端连接，所述桥堆的第三端与调光膜的电极连接。本专利技术的有益效果是：本专利技术一种调光膜电控系统通过充电电路和放电电路能实现调光膜整体透明度调节，可以不用将调光膜分段切块，既可以实现调光膜透明度从下往上的渐变调节，还可以根据需要实现透明和不透明不同占比的调节。附图说明下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步说明：图1是本专利技术一种调光膜电控系统的原理方框图；图2是本专利技术一种调光膜电控系统中过零检测电路的电路原理图；图3是本专利技术一种调光膜电控系统中放电电路的电路原理图；图4是本专利技术一种调光膜电控系统中充电电路的电路原理图。具体实施方式参考图1～图4，本专利技术一种调光膜电控系统，包括微处理器、过零检测电路、充电电路、放电电路和调光膜，所述微处理器的第一输出端与充电电路的输入端连接，所述微处理器的第二输出端与放电电路的输入端连接，所述微处理器的输入端与过零检测电路的输出端连接，所述充电电路的输出端与放电电路的输出端均与调光膜的电极连接。进一步作为优选的实施方式，所述过零检测电路包括第一光耦合器U1、第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3，所述第一光耦合器U1原边的阳极通过第二电阻R2连接至电源输入端，所述第一光耦合器U1原边的阴极通过第三电阻R3连接至电源输入端，所述第一光耦合器U1副边的集电极通过第一电阻R1连接至电源端，所述第一光耦合器U1副边的集电极连接至微处理器的输入端，所述第一光耦合器U1副边的发射极与地连接。优选的，所述过零检测电路通过采用交流后沿切相的方式，控制输出到充电电路和放电电路的正弦交流电进行切波。进一步作为优选的实施方式，所述放电电路包括第二光耦合器U2、第四电阻R4和第七电阻R7，所述第二光耦合器U2原边的阴极与微处理器的第二输出端连接，所述第二光耦合器U2原边的阳极通过第四电阻R4连接至电源端，所述第二光耦合器U2副边的第一端连接至调光膜的电极，所述第二光耦合器U2副边的第二端通过第七电阻R7与地连接。所述放电电路通过微处理器输出的波形控制调光膜的放电，调光膜的电通过第二光耦合器U2和第四电阻R4得到受控的释放，实现调光膜由透明到不透明的控制。进一步作为优选的实施方式，所述充电电路包括第三光耦合器U3、PNP晶体管Q1、二极管D1、第五电阻R5、第六电阻R6、NMOS管T1和桥堆M1，所述第三光耦合器U3原边的阴极与微处理器的第一输出端连接，所述第三光耦合器U3原边的阳极通过第五电阻R5进而连接至电源端，所述第三光耦合器U3副边的集电极连接至工作电源端，所述第三光耦合器U3副边的发射极分别与二极管D1的正极端和PNP晶体管Q1的基极连接，所述二极管D1的负极端分别与PNP晶体管Q1的发射极和NMOS管T1的栅极相连接，所述PNP晶体管Q1的基极通过第六电阻R6连接至PNP晶体管Q1的集电极，所述PNP晶体管Q1的集电极分别与NMOS管T1的源极和桥堆M1的第四端相连接，所述NMOS管T1的漏极与桥堆M1的第二端连接，所述桥堆M1的第一端与电源输入端连接，所述桥堆M1的第三端与调光膜的电极连接。所述充电电路通过微处理器输出的波形控制调光膜的充电，并通过NMOS管T1和桥堆M1实现交流电的通断控制。由于只是通过充电电路对调光膜输出可调的交流电，调光膜会出现整体的透明度一致的现象。因此本专利技术通过放电电路和充电电路的结合，对调光膜进行充放电，在充放电达到一定比例后，调光膜就可以实现一半透明一半不透明，并且通过调节电压，从而实现透明和不透明部分不同的占比。以上是对本专利技术的较佳实施进行了具体说明，但本专利技术创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本专利技术精神的前提下还可做作出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种调光膜电控系统，其特征在于：包括微处理器、过零检测电路、充电电路、放电电路和调光膜，所述微处理器的第一输出端与充电电路的输入端连接，所述微处理器的第二输出端与放电电路的输入端连接，所述微处理器的输入端与过零检测电路的输出端连接，所述充电电路的输出端与放电电路的输出端均与调光膜的电极连接。

【技术特征摘要】
1.一种调光膜电控系统，其特征在于：包括微处理器、过零检测电路、充电电路、放电电路和调光膜，所述微处理器的第一输出端与充电电路的输入端连接，所述微处理器的第二输出端与放电电路的输入端连接，所述微处理器的输入端与过零检测电路的输出端连接，所述充电电路的输出端与放电电路的输出端均与调光膜的电极连接。2.根据权利要求1所述的一种调光膜电控系统，其特征在于：所述过零检测电路包括第一光耦合器、第一电阻、第二电阻和第三电阻，所述第一光耦合器原边的阳极通过第二电阻连接至电源输入端，所述第一光耦合器原边的阴极通过第三电阻连接至电源输入端，所述第一光耦合器副边的集电极通过第一电阻连接至电源端，所述第一光耦合器副边的集电极连接至微处理器的输入端，所述第一光耦合器副边的发射极与地连接。3.根据权利要求2所述的一种调光膜电控系统，其特征在于：所述放电电路包括第二光耦合器、第四电阻和第七电阻，所述第二光耦合器原边的阴极与微处理器的第二输出端连接，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹新远，罗有方，
申请(专利权)人：广州卓居智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44