蓝相液晶阵列基板制造技术

本发明专利技术一种蓝相液晶阵列基板，其包括：纵横交错的栅线和数据线、由栅线和数据线交叉限定的若干个像素区域、与栅线平行设置的共通电极线和温控线、交错设置的像素电极和共通电极、以及均与共通电极线和温控线连接的温控材料区域。本发明专利技术制作温控线和温控材料区域，在UV照射期间，通过给温控线输入电信号，使温控线与共通电极线之间形成电压差从而产生电流，高电阻的温控材料产生的热量有效地传导到液晶层中，保证温度均匀性，使蓝相液晶保持稳定，提高产品良率；另外由于温控材料直接集成于液晶基板上，不需要额外的温控设备，可以节省成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于蓝相液晶显示
，尤其涉及一种蓝相液晶阵列基板。技术背景目前面板技术的两个发展趋势：低功耗和高透过率，低功耗和高透过率均与液晶的响应时间密切相关。现有各向异性液晶的响应时间随着近些年的发展已趋于饱和，很难得到更大的提高，蓝相液晶则呈现出传统液晶所没有的优点：第一：具有亚毫秒的响应时间，使液晶显示器有可能实现场序彩色显示模式，还可以大大降低动态伪像，而场序彩色显示模式显示器的分辨率和光学效率是常规的3倍；第二：不需要定向层，可以大大简化制管工艺过程；第三：暗场时光学上是各向同性的，所以视角大，并且非常对称；第四：只要液晶盒的厚度大于一定值，其透明度对液晶盒的厚度不敏感，所以特别适于制作大显示屏。蓝相液晶的广泛应用也存在一些问题，一是温度范围较窄，二是粘度系数较高，不利于液晶的注入。为了解决这两个问题，在实际应用中，需要对蓝相液晶进行聚合物UV稳定化处理，对相态进行稳定，并通过对液晶加热的方式降低其粘度，以利于液晶的注入。以下为蓝相液晶的成盒过程：第一步：在第一基板(如阵列基板)上采用封框胶形成框形区域，并进行UV预固化；第二：在框形区域内滴下聚合物蓝相液晶，滴下温度控制在50℃以上；第三：第二基板(如彩膜基板)真空贴合；第四：控制液晶在蓝相温度为38℃-42℃，采用UV光照射，聚合物稳定。由于蓝相液晶的最大驱动电压和初始透光率均与温度有关，而蓝相液晶的温度范围非常小，所以在聚合物UV稳定化处理过程中，需要有非常精确的温度控制设备。液晶层两侧玻璃热传导系数低，现有的温度控制设备，很难精确的控制液晶层的温度，导致良品率低。因此，急需一种可以精确控制蓝相液晶温度的方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种保证温度均匀性、提高产品良率的蓝相液晶阵列基板。本专利技术一种蓝相液晶阵列基板，其包括：纵横交错的栅线和数据线、由栅线和数据线交叉限定的若干个像素区域、与栅线平行设置的共通电极线和温控线、交错设置的像素电极和共通电极、以及均与共通电极线和温控线连接的温控材料区域。优选地，所述共通电极线上设有与温控材料区域连接的第一温控材料接触孔，所述温控线上设有与温控材料区域连接的第二温控材料接触孔。优选地，所述温控材料区域位于上层。优选地，所述温控材料区域的材料为镁、铝、钼、铬、镍、钨或者合金。优选地，所述栅线、共通电极线和温控线位于同一层。优选地，所述像素电极和共通电极位于同一层。优选地，所述共通电极线上设有与共通电极连接的共通电极线接触孔。优选地，所述温控材料区域位于上层。优选地，蓝相液晶阵列基板还包括第一绝缘层，该第一绝缘层覆盖栅线、共通电极线和温控线。优选地，蓝相液晶阵列基板还包括第二绝缘层，该第二绝缘层覆盖数据线、源电极和漏电极。本专利技术制作温控线和温控材料区域，在UV照射期间，通过给温控线输入电信号，使温控线与共通电极线之间形成电压差从而产生电流，高电阻的温控材料产生的热量有效地传导到液晶层中，保证温度均匀性，使蓝相液晶保持稳定，提高产品良率；另外由于温控材料直接集成于液晶基板上，不需要额外的温控设备，可以节省成本。附图说明图1为本专利技术蓝相液晶阵列基板的制造方法步骤一的示意图；图2为本专利技术蓝相液晶阵列基板的制造方法步骤二的示意图；图3为本专利技术蓝相液晶阵列基板的制造方法步骤三的示意图；图4为本专利技术蓝相液晶阵列基板的制造方法步骤四的示意图；图5为本专利技术蓝相液晶阵列基板的制造方法步骤五的示意图；图6为本专利技术蓝相液晶阵列基板的制造方法步骤六的示意图；图7为本专利技术蓝相液晶阵列基板的制造方法步骤七的示意图。具体实施方式本专利技术属于蓝相液晶显示领域，具体涉及一种可自主加热的蓝相液晶阵列基板及其制造方法。本专利技术蓝相液晶阵列基板的制造方法，其包括如下步骤：第一步：如图1所示，在玻璃基板(图未示)上形成栅线10、与该栅线10连接的栅电极11、共通电极线20、以及温控线30，温控线30设置于栅线10和共通电极线20之间。共通电极线20和温控线30相邻设置。栅线10、栅电极11、共通电极线20、以及温控线30的材料均为钛、铝，钼、铬或者其合金。第二步：如图2所示，在上述第一步的基础上，首先形成第一栅极绝缘层(图未示)，再在栅电极11上形成半导体层40。半导体层40的材料可以为非晶硅、多晶硅、或金属氧化物。第三步：如图3所示，在上述第二步的基础上，形成数据线50、与数据线50连接的源电极51、以及漏电极52。数据线50、源电极51、以及漏电极52的材料为钛、铝、钼、铬或者其合金。第四步，如图4所示，在上述第三步的基础上，形成漏电极接触孔61和多个共通电极线接触孔62。漏电极接触孔61位于漏电极52上，共通电极线接触孔62位于共通电极线20上。第五步：如图5所示，在上述第四步的基础上，首先覆盖第二绝缘层(图未示)，再形成交替设置的像素电极71和共通电极72。像素电极71通过漏电极接触孔61与漏电极52连接；共通电极72通过共通电极线接触孔62与共通电极线20连接；像素电极71和共通电极72的材料均为ITO。第六步：如图6所示，在上述第五步的基础上，形成位于共通电极线20上的第一温控材料接触孔81和位于温控线30上的第二温控材料接触孔82。第一温控材料接触孔81和第二温控材料接触孔82相对设置。第七步：如图7所示，在上述第六步的基础上，形成温控材料区域90，温控材料区域90位于共通电极线20和温控线30上方，温控材料区域90通过第一温控材料接触孔81与共通电极线20连接，温控材料区域90通过第二温控材料接触孔82与温控线30连接。温控材料区域90的材料为镁、铝、钼、铬、镍、钨或者合金。本专利技术还揭示一种蓝相液晶阵列基板，其包括纵横交错的栅线10和数据线50、由栅线和数据线交叉限定的若干个像素区域、与栅线10平行设置的共通电极线20和温控线30、交错设置的像素电极71和共通电极72、以及均与共通电极线20和温控线30连接的温控材料区域90。每个像素区域包括TFT，其中TFT包含半导体层40、源电极52、漏电极51和栅电极11。栅线10、共通电极线20和温控线30位于同一层；像素电极71和共通电极72位于同一层，像素电极71通过漏电极接触孔61与漏电极52连接，共通电极72通过共通电极线接触孔62与共通电极线20连接；温控材料区域90位于上层，温控材料区域90通过第一温控材料接触孔81与共通电极线20连接，温控材料区域90通过第二温控材料接触孔82与温控线30连接。蓝相液晶阵列基板还包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层覆盖栅线10、共通电极线20和温控线30，第二绝缘层覆盖数据线50、源电极51和漏电极52。本专利技术制作温控线和温控材料区域，在UV照射期间，通过给温控线输入电信号，使温控线与共通电极线之间形成电压差从而产生电流，高电阻的温控材料产生的热量有效地传导到液晶层中，保证温度均匀性，使蓝相液晶保持稳定，提高产品良率；另外由于温控材料直接集成于液晶基板上，不需要额外的温控设备，可以节省成本。以上详细描述了本专利技术的优选实施方式，但是本专利技术并不限于上述实施方式中的具体细节，在本专利技术的技术构思范围内，可以对本专利技术的技术方案进行多种等同变换，这些等同变换均属于本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蓝相液晶阵列基板，其特征在于：其包括：纵横交错的栅线和数据线、由栅线和数据线交叉限定的若干个像素区域、与栅线平行设置的共通电极线和温控线、交错设置的像素电极和共通电极、以及均与共通电极线和温控线连接的温控材料区域。

【技术特征摘要】
1.一种蓝相液晶阵列基板，其特征在于：其包括：纵横交错的栅线和数据线、由栅线和数据线交叉限定的若干个像素区域、与栅线平行设置的共通电极线和温控线、交错设置的像素电极和共通电极、以及均与共通电极线和温控线连接的温控材料区域。2.根据权利要求1所述的蓝相液晶阵列基板，其特征在于：所述共通电极线上设有与温控材料区域连接的第一温控材料接触孔，所述温控线上设有与温控材料区域连接的第二温控材料接触孔。3.根据权利要求1所述的蓝相液晶阵列基板，其特征在于：所述温控材料区域位于上层。4.根据权利要求1所述的蓝相液晶阵列基板，其特征在于：所述温控材料区域的材料为镁、铝、钼、铬、镍、钨或者合金。5.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王海宏，黄翠，焦峰，
申请(专利权)人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32