石墨烯薄膜连续生长支撑结构制造技术

一种石墨烯薄膜连续生长支撑结构，包括安装在加热真空腔室中的导轨，所述导轨安装在加热真空腔室内壁相对设置的支承座之间，所述导轨与对应加热真空腔室内壁之间设置有流通间隙，所述支承座设置有流通通道，所述流通通道一端与流通间隙相连，另一端位于导轨下方。石墨烯薄膜连续生长支撑结构通过导轨支撑生长石墨烯的衬底材料，能够减轻衬底材料在移动过程中发生振动，保证其能够充分与反应气体接触，提高石墨烯的生长质量。导轨将加热真空腔室分割成上下两部分，通过流通间隙和流通通道，使上下两部分气流流通，热量能够充分流动，使整个加热真空腔室内的温度均匀，衬底材料受热均匀，保证石墨烯的生长质量。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种辅助装置，具体地说，是一种石墨烯薄膜连续生长支撑结构。
技术介绍
石墨烯是由碳原子构成的只有一层原子厚度的二维晶体，是目前自然界最薄、强度最高的一种新材料。而石墨烯薄膜生产方法是将含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸汽及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生长薄膜。目前常用的石墨烯薄膜生产设备是将衬底材料放入其中，在沉底材料上生长出石墨烯薄膜后，将其取出，然后再放入新的沉底材料，进行下一次的石墨烯薄膜生长。这种生产方式工作效率低，需要多次取放，而且由于石墨烯薄膜生长需要的温度较高，而取放时为了避免造成烫伤，需要先进行降温，取放完成后再升温反应，进一步延长了生产工作时间，而且反应升温需要较大的能源消耗，增加了生产成本。为了解决上述问题，出现了一些能够连续生长石墨烯的设备，但这些设备在进行石墨烯连续生长时，衬底材料都需要不停移动，移动过程中容易振动、偏斜，使反应气体无法良好均匀的与衬底材料表面接触，影响石墨烯生长的质量，使用引导装置又阻碍了反应热量的流动，受热不均匀，依然影响石墨烯生长的质量。
技术实现思路
本技术针对上述现有技术存在的不足，提出一种石墨烯薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石墨烯薄膜连续生长支撑结构，其特征在于，包括安装在加热真空腔室(1)中的导轨(2)，所述导轨(2)安装在加热真空腔室(1)内壁相对设置的支承座(3)之间，所述导轨(2)与对应加热真空腔室(1)内壁之间设置有流通间隙(4)，所述支承座(3)设置有流通通道(5)，所述流通通道(5)一端与流通间隙相连，另一端位于导轨(2)下方。

【技术特征摘要】
1.一种石墨烯薄膜连续生长支撑结构，其特征在于，包括安装在加热真空腔室(1)中的导轨(2)，所述导轨(2)安装在加热真空腔室(1)内壁相对设置的支承座(3)之间，所述导轨(2)与对应加热真空腔室(1)内壁之间设置有流通间隙(4)，所述支承座(3)设置有流通通道(5)，所述流通通道(5)一端与流通间隙相连，另一端位于导轨(2)下方。2.根据权利要求1所述的石墨烯薄膜连续生长支撑结构，其特征在于，所述导轨(2)两侧相对设置有...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海林，滕玉朋，
申请(专利权)人：青岛赛瑞达电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37