一种IC分离Die的控制装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种IC分离Die的控制装置，所述IC包括至少两颗叠封在一起的Die和位于所述Die之间的胶体，所述控制装置包括：研磨体和加热器，所述研磨体用于研磨IC的基板，使得所述基板减薄并露出所述胶体；所述加热器用于对IC进行加热、烘烤，使得IC胶体脆化变质。本实用新型专利技术通过研磨体对IC的基板进行研磨，使得所述基板减薄并露出所述胶体；再通过加热器对加热、烘烤，使得IC胶体脆化变质，从而使得胶体无法再进行膨胀，使得胶体失去膨胀特性，进而就方便IC通过热酸分离两颗或多颗叠封的Die。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及IC领域，更具体的说，涉及一种IC分离Die的控制装置。
技术介绍
传统中，针对单颗Die(芯片)的IC(IntegratedCircuit，集成电路)分离Die的方式都是直接将IC放入到热酸中，通过热酸对IC的腐蚀取出单颗Die，也就是分离出单颗Die，该种方式针对于普通单颗Die的IC封装不会出现问题。但对于两颗或多颗Die叠封在一起的IC，由于其不同的Die与Die叠封过程中会填充一层胶体，此胶体在遇酸反应后会出现膨胀的现象，胶体膨胀会产生硬力作用于Die上面，从而容易造成分离后的Die出现Crack(断裂)现象而失效，导致客户不能在利用此样品进行下一步的分析实验。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种IC分离Die的控制装置，在分离出完好Die过程中防止胶体膨胀。本技术的目的是通过以下技术方案来实现的：本技术公开一种IC分离Die的控制装置，所述IC包括至少两颗叠封在一起的Die和位于所述Die之间的胶体，所述控制装置包括：研磨体，所述研磨体用于研磨IC的基板，使得所述基板减薄并露出所述胶体；加热器，所述加热器用于对IC进行加热、烘烤，使得IC胶体脆化变质。优选的，所述研磨体包括沙子。沙子研磨效果好，成本低。优选的，所述加热器包括有用于放置所述IC的加热台。将IC放置于加热台上再进行加热，对IC的加热效果更好，方便加热IC的不同部位。优选的，所述加热器的加热温度范围为300度至500度。优选的，所述加热器的加热温度为400度。优选的，所述Die为四个，其中，三个所述Die并排排列在所述基板上，另外一个所述Die位于三个并排排列的所述Die上；三个并排排列的所述Die之间分别有所述胶体，三个并排排列的所述Die与另外一个所述Die之间分别有所述胶体。优选的，所述基板和三个并排排列的所述Die之间有所述胶体。优选的，四个所述Die大小不同。现有技术中分离Die的方式都是直接将IC放入到热酸中，通过热酸对IC的腐蚀取出单颗Die；但是，在取出两个或多颗Die时热酸使得IC中的胶体膨胀，产生硬力作用于Die上面，从而容易造成分离后的Die出现Crack现象而失效，导致客户不能在利用此样品进行下一步的分析实验。与现有技术相比，本技术的技术效果是：本技术通过研磨体对IC的基板进行研磨，使得所述基板减薄并露出所述胶体；再通过加热器对加热、烘烤，使得IC胶体脆化变质，从而使得胶体无法再进行膨胀，使得胶体失去膨胀特性，进而就方便IC通过热酸分离两颗或多颗叠封的Die。附图说明图1是本技术实施例一种IC的结构示意图；图2是本技术实施例IC与研磨体配合的示意图；图3是本技术实施例IC与加热器配合的示意图；图4是本技术实施例IC置入到酸中的示意图。其中：1、IC；2、第一Die；3、第二Die；4、第三Die；5、第四Die；6、胶体；7、基板；8、研磨体；9、加热器；10、烧杯；11、发烟硝酸。具体实施方式下面结合附图和较佳的实施例对本技术作进一步说明。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。下面参考图1至图4描述本技术实施例的IC分离Die的控制装置。本技术公开一种IC分离Die的控制装置，所述IC1包括至少两颗叠封在一起的Die和位于所述Die之间的胶体6，所述控制装置包括：研磨体8，所述研磨体用于研磨IC的基板7，使得所述基板7减薄并露出所述胶体6；加热器9，所述加热器9用于对IC进行加热、烘烤，使得IC胶体6脆化变质。在本实施例中，所述研磨体包括沙子。沙子研磨效果好，成本低。当然，本实施例还可以将研磨体设置成其他研磨效果的结构。在本实施例中，所述加热器9包括有用于放置所述IC的加热台。将IC放置于加热台上再进行加热，对IC的加热效果更好，方便加热IC的不同部位。在本实施例中，所述加热器的加热温度范围为300度至500度。其中，本实施例将加热器的温度控制在300度至500度之间，当加热器的加热温度低于300度时不易使胶体变质，当加热器的加热温度高于500度时容易熔融胶体或容易损坏IC的元器件。而且胶体的各变质温度也不同，具体的加热温度还可以根据胶体的不同而进行调整。进一步的，所述加热器的加热温度为400度。加热器的加热温度为400度是本技术的更优方式，加热器的加热温度到400度时更快速的使得胶体脆化变质，而且不会对其他部件造成损坏，也不会熔融胶体。另外，在对IC进行加热烘烤过程中，当加热温度为400度时，可以控制烘烤时间为3分钟。当然，也可以控制为其他时间，直至胶体变质。优选的，所述Die为四个，分别为第一Die2、第二Die3、第三Die4、第四Die5，其中，三个所述Die并排排列在所述基板上，另外一个所述Die位于三个并排排列的所述Die上，也就是第二Die3、第三Die4、第四Die5并排排列，第一Die2位于第二Die3、第三Die4、第四Die5上方。三个并排排列的所述Die之间分别有所述胶体，三个并排排列的所述Die与另外一个所述Die之间分别有所述胶体。也就是说第二Die3、第三Die4、第四Die5相邻的两个之间都设置有胶体，第二Die3、第三Die4、第四Die5分别与第一Die2之间设置有胶体。优选的，所述基板7和三个并排排列的所述Die之间有所述胶体6。也就是说基板7与第二Die3、第三Die4、第四Die5之间有所述胶体6。优选的，四个所述Die大小不同，也就是第一Die2、第二Die3、第三Die4、第四Die5四者的大小不同。当胶体变质后，将IC放入到具有发烟硝酸内的容置器内，并将容置器加热至50度至60度之间，并将IC保持放置在容置器内预设时间段，该时间段可以是20分钟，当然，也可以是其他时间，比如15分钟、25分钟等等。从而将胶体去除，并将各个Die分离。现有技术中分离Die的方式都是直接将IC放入到热酸中，通过热酸对IC的腐蚀取出单颗Die；但是，在取出两个或多颗Die时热酸使得IC中的胶体膨胀，产生硬力作用于Die上面，从而容易造本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IC分离Die的控制装置，所述IC包括至少两颗叠封在一起的Die和位于所述Die之间的胶体，其特征在于，所述控制装置包括：研磨体，所述研磨体用于研磨IC的基板，使得所述基板减薄并露出所述胶体；加热器，所述加热器用于对IC进行加热、烘烤，使得IC胶体脆化变质。

【技术特征摘要】
1.一种IC分离Die的控制装置，所述IC包括至少两颗叠封在一起的Die和位于所述Die之间的胶体，其特征在于，所述控制装置包括：研磨体，所述研磨体用于研磨IC的基板，使得所述基板减薄并露出所述胶体；加热器，所述加热器用于对IC进行加热、烘烤，使得IC胶体脆化变质。2.如权利要求1所述的一种IC分离Die的控制装置，其特征在于，所述研磨体包括沙子。3.如权利要求1所述的一种IC分离Die的控制装置，其特征在于，所述加热器包括有用于放置所述IC的加热台。4.如权利要求1所述的一种IC分离Die的控制装置，其特征在于，所述加热器的加热温度范围为300度至500度。5.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：王绍海，蔡甦谷，
申请(专利权)人：深圳宜特检测技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44