原子层沉积涂层用于保护钎焊线不被腐蚀、侵蚀和击穿制造技术

本发明专利技术涉及原子层沉积涂层用于保护钎焊线路不被腐蚀、侵蚀和击穿。根据本公开，提供了几个发明专利技术，包括用于钎焊至少两个铝或铝合金部件并提供阳极氧化涂层以及用于增加耐等离子体腐蚀性的原子层沉积涂层的装置和方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在半导体处理中使用的蚀刻室内的部件的钎焊和/或涂层。
技术介绍
在等离子体处理室中，部件有时需要被接合在一起。接合部件的现有的方法可能会导致接头包含污染物。此外，这样的接头可能具有差的耐腐蚀性。因此，需要新的方法来接合等离子体室内的部件。
技术实现思路
本专利技术尤其公开了用于制造等离子体室部件的方法。该方法可以包括下述步骤中的任何或所有的步骤：提供由铝或铝合金制成的第一部件和第二部件；使用铝和硅的混合物钎焊所述第一部件和第二部件，以形成钎焊界面；阳极氧化所述第一部件和第二部件的至少一部分，使得在所述钎焊界面上形成阳极氧化涂层；以及使用原子层沉积共形地涂覆所述阳极氧化涂层，以形成ALD涂层。在上述方法的多种进一步的实施方式中，所述ALD涂层可以是耐腐蚀的介电材料。所述ALD涂层可以是包含钇、锆和/或铝的耐等离子体腐蚀的氧化物。所述ALD涂层可以是氧化铝。所述铝和硅的混合物可以是包含5-20％的硅的大致共晶的混合物。所述钎焊可以在低于约120℃的温度下进行。所述第一部件可以是可以包含用于分配流体的一个或多个开放管道的流体分配板；在一种实施方式中，钎焊的步骤可以使所述开放管道本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造等离子体室部件的方法，其包括：提供由铝或铝合金制成的第一部件和第二部件；使用铝和硅的混合物钎焊所述第一部件和第二部件，以形成钎焊界面；阳极氧化所述第一部件和第二部件的至少一部分，使得在所述钎焊界面上形成阳极氧化涂层；以及使用原子层沉积共形地涂覆所述阳极氧化涂层，以形成ALD涂层。

【技术特征摘要】
2015.06.29 US 14/754,4411.一种用于制造等离子体室部件的方法，其包括：提供由铝或铝合金制成的第一部件和第二部件；使用铝和硅的混合物钎焊所述第一部件和第二部件，以形成钎焊界面；阳极氧化所述第一部件和第二部件的至少一部分，使得在所述钎焊界面上形成阳极氧化涂层；以及使用原子层沉积共形地涂覆所述阳极氧化涂层，以形成ALD涂层。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述ALD涂层是耐腐蚀的介电材料。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述ALD涂层是包含钇、锆和/或铝的耐等离子体腐蚀的氧化物。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述ALD涂层是氧化铝。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述铝和硅的混合物是包含5-20％的硅的大致共晶的混合物。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述钎...

【专利技术属性】
技术研发人员：许临，约翰·多尔蒂，石洪，宋一伟，萨蒂什·斯里尼瓦桑，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国;US