一种半导体薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：S101.提供基底；S102.在基底上形成薄膜；S103.在薄膜上通过涂胶、曝光和显影光刻自定义图形：光刻胶形成掩蔽层，在没有光刻胶的薄膜部分形成腐蚀窗口；S104.真空条件下，对腐蚀窗口内的薄膜进行湿法腐蚀；S105.去除显影后剩余的光刻胶。本发明专利技术有效解决了腐蚀过程中气泡残留的问题，保证了腐蚀的均匀性，提高了产品的整体良品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别是，涉及一种半导体薄膜的制备方法。
技术介绍
现有技术中，湿法腐蚀一般在常压下进行，由于腐蚀过程中腐蚀性溶液与薄膜反应产生气泡，气泡的残留会影响到后续腐蚀过程，导致腐蚀的均匀性受到影响，因此，一般采用人工操作抖动的方式去除去气泡，但由于人工操作的不一致性，使得产品批次间差异较大，影响产品的整体良品率。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种半导体薄膜的制备方法，有效解决了腐蚀过程中气泡残留的问题，保证了腐蚀的均匀性，提高了产品的整体良品率。为解决上述问题，本专利技术所采用的技术方案如下：一种半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：S101.提供基底；S102.在基底上形成薄膜；S103.在薄膜上通过涂胶、曝光和显影光刻自定义图形：光刻胶形成掩蔽层，在没有光刻胶的薄膜部分形成腐蚀窗口；S104.真空条件下，对腐蚀窗口内的薄膜进行湿法腐蚀；S105.去除显影后剩余的光刻胶。优选的，所述步骤S101中，所述基底为硅晶圆。优选的，所述步骤S102中，所述薄膜通过等离子体增强化学气相沉积法、低压化学气相沉积法或薄膜沉积法获得。优选的，所述步骤S104中，湿法腐蚀中采用的腐蚀性溶液为碱性溶液或酸性溶液。优选的，所述步骤S104中，所述碱性溶液为氢氧化钠或氢氧化钾溶液。优选的，所述步骤S104中，所述酸性溶液为硝酸、盐酸、氢氟酸、硫酸、醋酸中一种或几种。优选的，所述步骤S104中，腐蚀温度为25℃-80℃，腐蚀时间为5-60min。相比现有技术，本专利技术的有益效果在于：1、本专利技术中使用真空环境，腐蚀液挥发的有害物质可以直接被抽走，不会对人和设备造成危害；2、本专利技术中真空环境可以更快的带走因腐蚀产生的气泡，使得腐蚀的均匀性更好；3、本专利技术中制备方法减少生产过程因为人操作差异导致的产品腐蚀差异，降低批次间的差异，提高了产品整体良品率。附图说明图1为本专利技术中半导体薄膜的制备方法的流程图。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细说明。参见图1，本专利技术提供了一种半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：S101.提供基底；S102.在基底上形成薄膜；S103.在薄膜上通过涂胶、曝光和显影光刻自定义图形：光刻胶形成掩蔽层，在没有光刻胶的薄膜部分形成腐蚀窗口；S104.真空条件下，对腐蚀窗口内的薄膜进行湿法腐蚀；S105.去除显影后剩余的光刻胶。优选的，所述步骤S101中，所述基底为硅晶圆。所述步骤S101中，所述薄膜通过等离子体增强化学气相沉积法、低压化学气相沉积法或薄膜沉积法获得。所述步骤S104中，湿法腐蚀中采用的腐蚀性溶液为碱性溶液或酸性溶液；所述碱性溶液为氢氧化钠或氢氧化钾溶液；所述步骤S104中，所述酸性溶液为硝酸、盐酸、氢氟酸、硫酸、醋酸中一种或几种；腐蚀温度为25℃-80℃，腐蚀时间为5-60min。实施例1参照图1中流程，制备半导体薄膜S101.提供硅晶圆基底，硅晶圆基底使用前经洗涤干燥；S102.在硅晶圆基底上采用薄膜沉积法溅射形成厚度为2000nm的铝膜；S103.在铝膜上通过涂胶、曝光和显影光刻自定义图形：光刻胶形成掩蔽层，在没有光刻胶的薄膜部分形成腐蚀窗口；S104.真空条件下，对腐蚀窗口内的薄膜进行湿法腐蚀，采用磷酸，硝酸和醋酸的混合液进行腐蚀，腐蚀温度为60℃，腐蚀时间为30min；S105.用O等离子体去除显影后剩余的光刻胶。实施例2参照图1中流程，制备半导体薄膜S101.提供硅晶圆基底，硅晶圆基底使用前经洗涤干燥；S102.在硅晶圆基底上采用薄膜沉积法依次形成厚度为200nm的钛，200nm的镍，3000nm的银，形成钛/镍/银薄膜；S103.在铝膜上通过涂胶、曝光和显影光刻自定义图形：光刻胶形成掩蔽层，在没有光刻胶的薄膜部分形成腐蚀窗口；S104.真空条件下，对腐蚀窗口内的钛/镍/银薄膜进行湿法腐蚀，采用稀醋酸，稀硝酸和稀氢氟酸的混合液进行腐蚀，腐蚀温度为23℃，腐蚀时间为8min；S105.用有机剥离剂去除显影后剩余的光刻胶。实施例3参照图1中流程，制备半导体薄膜S101.提供硅晶圆基底，硅晶圆基底使用前经洗涤干燥；S102.在硅晶圆基底上采用低压化学气相沉积法形成厚度为1500nm的氧化硅薄膜；S103.在铝膜上通过涂胶、曝光和显影光刻自定义图形：光刻胶形成掩蔽层，在没有光刻胶的薄膜部分形成腐蚀窗口；S104.真空条件下，对腐蚀窗口内的氧化硅薄膜进行湿法腐蚀，采用氢氧化钠溶液进行腐蚀，腐蚀温度为25℃，腐蚀时间为5min；S105.用有机剥离剂去除显影后剩余的光刻胶。本专利技术中使用真空环境，腐蚀液挥发的有害物质可以直接被抽走，不会对人和设备造成危害，且真空环境可以更快的带走因腐蚀产生的气泡，使得腐蚀的均匀性更好。对实施例1-3中获得的半导体薄膜进行检测发现，其腐蚀的均匀性远好于现有方法，进一步保证产品的良品率。对本领域的技术人员来说，可根据以上描述的技术方案以及构思，做出其它各种相应的改变以及形变，而所有的这些改变以及形变都应该属于本专利技术权利要求的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：S101.提供基底；S102.在基底上形成薄膜；S103.在薄膜上通过涂胶、曝光和显影光刻自定义图形：光刻胶形成掩蔽层，在没有光刻胶的薄膜部分形成腐蚀窗口；S104.真空条件下，对腐蚀窗口内的薄膜进行湿法腐蚀；S105.去除显影后剩余的光刻胶。

【技术特征摘要】
1.一种半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：S101.提供基底；S102.在基底上形成薄膜；S103.在薄膜上通过涂胶、曝光和显影光刻自定义图形：光刻胶形成掩蔽层，在没有光刻胶的薄膜部分形成腐蚀窗口；S104.真空条件下，对腐蚀窗口内的薄膜进行湿法腐蚀；S105.去除显影后剩余的光刻胶。2.如权利要求1所述的半导体薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S101中，所述基底为硅晶圆。3.如权利要求1所述的半导体薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S102中，所述薄膜通过等离子体增强化学气相沉积法、低压化学气相沉积法...

【专利技术属性】
技术研发人员：王友伟，
申请(专利权)人：苏州同冠微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32